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1. 发明授权

CN102955116B 由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备失效
公开(公告)号：CN102955116B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201210298666.0
申请日：2012-08-21
申请人：布鲁克纳米公司
发明人：陈东
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2648 , F21V29/83 , F21V2200/00 , F21Y2103/00 , G01R31/2656 , H05B31/00 , H05B2206/00
摘要：本发明涉及一种由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备。利用在晶片级所采取的二极管模型和导电探针测量来预测由该晶片制造的半导体器件的特征参数。将表示作为电阻、理想因子、和反向饱和电流的函数的电流‑电压关系的电流‑电压曲线（I‑V）模型拟合到多个导电探针测量数据。然后，通过从（I‑V）模型减去由拟合该（I‑V）模型产生的电阻乘以电流的积来估算器件的电流‑电压曲线（I‑Vd）。

2. 发明公开

CN102955116A 由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备失效
公开(公告)号：CN102955116A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210298666.0
申请日：2012-08-21
申请人：布鲁克纳米公司
发明人：陈东
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2648 , F21V29/83 , F21V2200/00 , F21Y2103/00 , G01R31/2656 , H05B31/00 , H05B2206/00
摘要：本发明涉及一种由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备。利用在晶片级所采取的二极管模型和导电探针测量来预测由该晶片制造的半导体器件的特征参数。将表示作为电阻、理想因子、和反向饱和电流的函数的电流-电压关系的电流-电压曲线（I-V）模型拟合到多个导电探针测量数据。然后，通过从（I-V）模型减去由拟合该（I-V）模型产生的电阻乘以电流的积来估算器件的电流-电压曲线（I-Vd）。

3. 发明授权

US09069035B2 Predicting LED parameters from electroluminescent semiconductor wafer testing 有权
标题翻译：从电致发光半导体晶圆测试预测LED参数
公开(公告)号：US09069035B2
公开(公告)日：2015-06-30
申请号：US13333433
申请日：2011-12-21
申请人： Dong Chen
发明人： Dong Chen
IPC分类号： G06F19/00 , G01R27/00 , G01R31/26 , H05B31/00 , F21V8/00 , F21Y103/00 , G01R31/265
CPC分类号： G01R31/2648 , F21V29/83 , F21V2200/00 , F21Y2103/00 , G01R31/2656 , H05B31/00 , H05B2206/00
摘要： A diode model and conductive-probe measurements taken at the wafer lever are used to predict the characterization parameters of a semiconductor device manufactured from the wafer. A current-voltage curve (I-V) model that expresses a current-voltage relationship as a function of resistance, ideality factor, and reverse saturation current is fitted to a number of conductive-probe measurement data. The current-voltage curve (I-Vd) for the device is then estimated by subtracting from the (I-V) model the product of current times the resistance produced by fitting the (I-V) model.
摘要翻译：使用在晶圆杠杆处获取的二极管模型和导电探针测量来预测从晶片制造的半导体器件的表征参数。表示作为电阻，理想因子和反向饱和电流的函数的电流 - 电压关系的电流 - 电压曲线（I-V）模型拟合到多个导电探针测量数据。然后通过从（I-V）模型中减去当前乘积乘以（I-V）模型产生的电阻的乘积，来估计器件的电流 - 电压曲线（I-Vd）。

4. 发明授权

US09726714B2 Sensor device and inspection method thereof 有权
公开(公告)号：US09726714B2
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：US15058875
申请日：2016-03-02
申请人： SII Semiconductor Corporation
发明人： Tomoki Hikichi
IPC分类号： G01R31/10 , G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2829 , G01R31/2856 , G01R31/2875 , H05B2203/00 , H05B2206/00 , H05B2213/00
摘要： To provide a sensor device which is capable of high temperature detection using self-heat generation without providing a dedicated terminal and suppresses an increase in cost with an increase in chip occupation area due to the addition of a test pad. A sensor device is configured to include an active logic switching circuit for switching an active logic of an output driver and perform a heating inspection while switching the active logic of the output driver during an inspection process with the output driver as a heat generation source.

5. 发明申请

US20130046496A1 PREDICTING LED PARAMETERS FROM ELECTROLUMINESCENT SEMICONDUCTOR WAFER TESTING 有权
公开(公告)号：US20130046496A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：US13333433
申请日：2011-12-21
申请人： Dong CHEN
发明人： Dong CHEN
IPC分类号： G06F19/00 , G01R27/00
CPC分类号： G01R31/2648 , F21V29/83 , F21V2200/00 , F21Y2103/00 , G01R31/2656 , H05B31/00 , H05B2206/00
摘要： A diode model and conductive-probe measurements taken at the wafer lever are used to predict the characterization parameters of a semiconductor device manufactured from the wafer. A current-voltage curve (I-V) model that expresses a current-voltage relationship as a function of resistance, ideality factor, and reverse saturation current is fitted to a number of conductive-probe measurement data. The current-voltage curve (I-Vd) for the device is then estimated by subtracting from the (I-V) model the product of current times the resistance produced by fitting the (I-V) model.

6. 发明申请

US20130043875A1 TESTING OF ELECTROLUMINESCENT SEMICONDUCTOR WAFERS 有权
标题翻译：电致发光半导体波长的测试
公开(公告)号：US20130043875A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：US13332657
申请日：2011-12-21
申请人： DONG CHEN
发明人： DONG CHEN
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2648 , F21V29/83 , F21V2200/00 , F21Y2103/00 , G01R31/2656 , H05B31/00 , H05B2206/00
摘要： Forward voltage drift in a probe system for the characterization of a light-emitting wafer is virtually eliminated by directing compressed air to the probe so as to ensure that the exact same temperature conditions exist during repeated measurements of the wafer. In one embodiment of the invention, an air flow at room temperature is used, either continuously or intermittently. In another embodiment, the temperature of the probe is controlled by flowing a liquid or a gas through micro-channels built into the probe. In yet another embodiment, the probe is connected to a solid-state Peltier cell that is computer-controlled to maintain the probe's temperature at a predetermined set-point. A temperature-controlled chamber or a thermal reservoir enclosing the probe could be used as well. The results obtained showed remarkable repeatability.
摘要翻译：用于表征发光晶片的探针系统中的正向电压漂移实际上通过将压缩空气引导到探针来消除，以确保在晶片的重复测量期间存在完全相同的温度条件。在本发明的一个实施方案中，连续地或间歇地使用室温下的空气流。在另一个实施例中，通过将液体或气体流经内置于探针中的微通道来控制探针的温度。在另一个实施例中，探针连接到被计算机控制的固态珀耳帖细胞，以将探针的温度保持在预定的设定点。也可以使用温度控制室或包围探针的热储存器。获得的结果显示出显着的重复性。

7. 发明申请

US20160258995A1 SENSOR DEVICE AND INSPECTION METHOD THEREOF 有权
标题翻译：传感器装置及其检测方法
公开(公告)号：US20160258995A1
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：US15058875
申请日：2016-03-02
申请人： SII Semiconductor Corporation
发明人： Tomoki HIKICHI
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2829 , G01R31/2856 , G01R31/2875 , H05B2203/00 , H05B2206/00 , H05B2213/00
摘要： To provide a sensor device which is capable of high temperature detection using self-heat generation without providing a dedicated terminal and suppresses an increase in cost with an increase in chip occupation area due to the addition of a test pad. A sensor device is configured to include an active logic switching circuit for switching an active logic of an output driver and perform a heating inspection while switching the active logic of the output driver during an inspection process with the output driver as a heat generation source.
摘要翻译：提供一种传感器装置，其能够在不提供专用端子的情况下使用自发热进行高温检测，并且由于添加了测试垫而增加了芯片占用面积，从而抑制了成本的增加。传感器装置被配置为包括用于切换输出驱动器的有源逻辑的有源逻辑切换电路，并且在检查过程期间以输出驱动器作为发热源切换输出驱动器的有源逻辑，并执行加热检查。

8. 发明授权

US09057757B2 Testing of electroluminescent semiconductor wafers 有权
标题翻译：电致发光半导体晶片的测试
公开(公告)号：US09057757B2
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：US13332657
申请日：2011-12-21
申请人： Dong Chen
发明人： Dong Chen
IPC分类号： G01R31/00 , G01R31/26 , H05B31/00 , F21V8/00 , F21Y103/00 , G01R31/265
CPC分类号： G01R31/2648 , F21V29/83 , F21V2200/00 , F21Y2103/00 , G01R31/2656 , H05B31/00 , H05B2206/00
摘要： Forward voltage drift in a probe system for the characterization of a light-emitting wafer is virtually eliminated by directing compressed air to the probe so as to ensure that the exact same temperature conditions exist during repeated measurements of the wafer. In one embodiment of the invention, an air flow at room temperature is used, either continuously or intermittently. In another embodiment, the temperature of the probe is controlled by flowing a liquid or a gas through micro-channels built into the probe. In yet another embodiment, the probe is connected to a solid-state Peltier cell that is computer-controlled to maintain the probe's temperature at a predetermined set-point. A temperature-controlled chamber or a thermal reservoir enclosing the probe could be used as well. The results obtained showed remarkable repeatability.
摘要翻译：用于表征发光晶片的探针系统中的正向电压漂移实际上通过将压缩空气引导到探针来消除，以便确保在晶片的重复测量期间存在完全相同的温度条件。在本发明的一个实施方案中，连续地或间歇地使用室温下的空气流。在另一个实施例中，通过将液体或气体流经内置于探针中的微通道来控制探针的温度。在另一个实施例中，探针连接到被计算机控制的固态珀耳帖细胞，以将探针的温度保持在预定的设定点。也可以使用温度控制室或包围探针的热储存器。获得的结果显示出显着的重复性。

9. 发明公开

KR1020160108241A 센서 장치 및 그것의 검사 방법 审中-实审
标题翻译：传感器装置及其检测方法
公开(公告)号：KR1020160108241A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020160026514
申请日：2016-03-04
申请人： 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 히키치도모키
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/3177 , G01R31/26 , G01R31/00
CPC分类号： G01R31/2829 , G01R31/2856 , G01R31/2875 , H05B2203/00 , H05B2206/00 , H05B2213/00
摘要： [과제] 전용단자를설치하는일 없이, 자기발열을이용한고온검사가가능하고, 테스트패드추가에의한칩 점유면적증대에수반하는비용증가를억제한센서장치를제공한다. [해결수단] 출력드라이버의액티브논리를전환하는액티브논리전환회로를구비하고, 출력드라이버를발열원으로서, 검사공정중에서출력드라이버의액티브논리를전환하면서가열검사를행하는구성으로한 센서장치.
摘要翻译：提供一种传感器装置，其能够在不安装专用端子的情况下进行使用自热的高温检查，并且用于抑制由于测试垫添加引起的占用面积增加的成本增加。传感器装置具有有源逻辑开关电路，其切换输出驱动器的有源逻辑，并且被配置为在由输出驱动器作为加热源的检查过程期间切换输出驱动器的有源逻辑时执行加热检查。

10. 发明专利

TW201323898A 由在製造元件的晶片上執行的導電探針測量來表徵半導體元件的方法及其設備與電腦程式產品审中-公开
简体标题：由在制造组件的芯片上运行的导电探针测量来表征半导体组件的方法及其设备与电脑进程产品
公开(公告)号：TW201323898A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101128689
申请日：2012-08-08
申请人：布魯克奈米公司 , BRUKER NANO, INC.
发明人：陳東 , CHEN, DONG
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2648 , F21V29/83 , F21V2200/00 , F21Y2103/00 , G01R31/2656 , H05B31/00 , H05B2206/00
摘要：利用在晶片級所採取的二極體模型和導電探針測量來預測由該晶片製造的半導體元件的特徵參數。將表示作為電阻、理想因數、和反向飽和電流的函數的電流-電壓關係的電流-電壓曲線（I-V）模型擬合到多個導電探針測量資料。然後，藉由從（I-V）模型減去由擬合該（I-V）模型產生的電阻乘以電流的積來估算元件的電流-電壓曲線（I-Vd）。
简体摘要：利用在芯片级所采取的二极管模型和导电探针测量来预测由该芯片制造的半导体组件的特征参数。将表示作为电阻、理想因子、和反向饱和电流的函数的电流-电压关系的电流-电压曲线（I-V）模型拟合到多个导电探针测量数据。然后，借由从（I-V）模型减去由拟合该（I-V）模型产生的电阻乘以电流的积来估算组件的电流-电压曲线（I-Vd）。

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