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1. 发明授权

CN100530956C 表面声波器件失效
公开(公告)号：CN100530956C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510100556.9
申请日：2005-10-19
申请人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
发明人：陈杰良
IPC分类号： H03H9/25
CPC分类号： H03H9/02582
摘要：本发明涉及一种表面声波器件，其包括：一类金刚石碳膜，其具有纳米级厚度；一位于该类金刚石碳膜上的锌氧化物层，其具有纳米级厚度；及至少一位于该锌氧化物层上的指叉换能器。该类金刚石碳膜的厚度Z(f)满足条件式：Z(f)＝M×Z0/(f/f0)，Z(f)≥1nm；其中，Z0为表面声波器件的工作频率为f0时的类金刚石碳膜的厚度，f为表面声波器件的工作频率，其取值范围为20～1000GHz，M的取值范围为1～15。该锌氧化物层的厚度Y(f)满足条件式：Y(f)＝N×Y0/(f/f0)；其中，Y0为表面声波器件的工作频率为f0时的锌氧化物层的厚度，N的取值范围为1～1.5。本发明利用纳米级厚度的锌氧化物的压电效应及类金刚石碳膜的高表面声波传播速率的特性，可使该表面声波器件的工作频率高达1000GHz。

2. 发明公开

CN103918096A 压电器件及其制备和使用方法失效
公开(公告)号：CN103918096A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201180074423.2
申请日：2011-12-20
申请人：印度马德拉斯理工学院
发明人： M·钱德兰 , M·S·拉马钱德拉·劳
IPC分类号： H01L41/083 , H01L41/18 , H03H9/25
CPC分类号： H01L41/0815 , H01L21/02521 , H01L29/1602 , H01L29/66015 , H01L29/84 , H01L41/1876 , H01L41/253 , H01L41/316 , H01L41/319 , H03H9/02582
摘要：提供了制造压电器件的方法。该方法能够包括提供基板并且在基板的第一表面上形成纳米金刚石。方法还能够包括在纳米金刚石层上沉积压电层。

3. 发明授权

CN103918096B 压电器件及其制备和使用方法失效
公开(公告)号：CN103918096B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201180074423.2
申请日：2011-12-20
申请人：印度马德拉斯理工学院
发明人： M·钱德兰 , M·S·拉马钱德拉·劳
IPC分类号： H01L41/083 , H01L41/18 , H03H9/25
CPC分类号： H01L41/0815 , H01L21/02521 , H01L29/1602 , H01L29/66015 , H01L29/84 , H01L41/1876 , H01L41/253 , H01L41/316 , H01L41/319 , H03H9/02582
摘要：提供了制造压电器件的方法。该方法能够包括提供基板并且在基板的第一表面上形成纳米金刚石。方法还能够包括在纳米金刚石层上沉积压电层。

4. 发明公开

CN1048636A 弹性表面波装置失效
公开(公告)号：CN1048636A
公开(公告)日：1991-01-16
申请号：CN90103485.1
申请日：1990-07-06
申请人：株式会社村田制作所
发明人：家木英治 , 樱井敦 , 木村幸司
IPC分类号： H03H9/25
CPC分类号： H03H3/08 , H03H9/02582 , H03H9/14538
摘要：一种使用基板4的弹性表面波装置，该基板备有单晶介质2及外延生长在其表面上的压电薄膜3，沿介质2和压电薄膜3的界面形成构成叉指式电极的铝电极5。此铝电极5由在结晶方位方面是在一定方向上取向的铝膜组成，因此可抑制铝电极5的应力迁移，且压电薄膜3在其整个面上都能外延生长。

5. 发明公开

CN1953324A 表面声波器件失效
公开(公告)号：CN1953324A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510100556.9
申请日：2005-10-19
申请人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
发明人：陈杰良
IPC分类号： H03H9/25
CPC分类号： H03H9/02582
摘要：本发明涉及一种表面声波器件，其包括：一类金刚石碳膜，其具有纳米级厚度；一位于该类金刚石碳膜上的锌氧化物层，其具有纳米级厚度；及至少一位于该锌氧化物层上的指叉换能器。该类金刚石碳膜的厚度Z(f)满足条件式：Z(f)＝M×Z0/(f/f0)，Z(f)≥1nm；其中，Z0为表面声波器件的工作频率为f0时的类金刚石碳膜的厚度，f为表面声波器件的工作频率，其取值范围为20～1000GHz，M的取值范围为1～15。该锌氧化物层的厚度Y(f)满足条件式：Y(f)＝N×Y0/(f/f0)；其中，Y0为表面声波器件的工作频率为f0时的锌氧化物层的厚度，N的取值范围为1～1.5。本发明利用纳米级厚度的锌氧化物的压电效应及类金刚石碳膜的高表面声波传播速率的特性，可使该表面声波器件的工作频率高达1000GHz。

6. 发明授权

CN1015041B 弹性表面波装置失效
公开(公告)号：CN1015041B
公开(公告)日：1991-12-04
申请号：CN90103485.1
申请日：1990-07-06
申请人：株式会社村田制作所
发明人：家木英治 , 樱井敦 , 木村幸司
IPC分类号： H03H9/25
CPC分类号： H03H3/08 , H03H9/02582 , H03H9/14538
摘要：一种使用基板4的弹性表面波装置，该基板备有单晶介质2及外延生长在其表面上的压电薄膜3，沿介质2和压电薄膜3的界面形成构成叉指式电极的铝电极5。此铝电极5由在结晶方位方面是在一定方向上取向的铝膜组成，因此可抑制铝电极5的应力迁移，且压电薄膜3在其整个面上都能外延生长。

7. 发明专利

JP4069008B2 Surface acoustic wave device 有权
公开(公告)号：JP4069008B2
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：JP2003132575
申请日：2003-05-12
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：芳宏久保田 , 仁野口
IPC分类号： C23C16/27 , H03H9/25 , H01L41/08 , H01L41/09 , H03H3/02 , H03H9/02 , H03H9/64
CPC分类号： H03H9/02582 , H03H3/08
摘要： There is disclosed a surface acoustic wave device having at least a diamond film (12), a piezoelectric-material film (13), and an electrode (14) on a base material (11) wherein all or some part of the diamond film consists of an electroconductive diamond in which a dopant is doped. Thereby, there can be provided a surface acoustic wave device wherein breakage of the substrate due to generation of static electricity can be prevented in a device manufacturing process so that the device manufacture yield can be increased, and electrification can be prevented at the time of real use so that high performance can be maintained for a long time, even if it is a surface acoustic wave device using diamond.

8. 发明专利

JP2003034592A Diamond substrate with piezoelectric thin film formed thereon and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：具有压电薄膜的金刚石基板及其制造方法
公开(公告)号：JP2003034592A
公开(公告)日：2003-02-07
申请号：JP2001309289
申请日：2001-10-05
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： TATSUMI NATSUO , IMAI TAKAHIRO
IPC分类号： C30B29/04 , C23C14/28 , H03H3/08 , H03H9/02 , H03H9/25
CPC分类号： C23C14/165 , C23C14/325 , H01L41/081 , H01L41/1873 , H01L41/316 , H03H3/08 , H03H9/02582
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the performance of elements such as a surface acoustic wave element by obtaining a diamond substrate on which a thin film of Li(Nbx Ta1-x )O3 (wherein, 0
摘要翻译：要解决的问题：为了通过获得具有Li（Nb x Ta 1-x）O 3（其中，0 <= x <= 1）的薄膜的金刚石基底来改善诸如表面声波元件的元件的性能，形成优异的C轴取向性和优异的压电特性。解决方案：将表面经镜面加工并覆盖有非晶层的气相合成多晶金刚石的基材定向在（110）中。在该基材上，通过激光磨损法形成Li（Nb x Ta 1-x）O 3（其中，0 <= x <1）的薄膜，由此，在其上形成有Li（Nb x Ta 1-x）O 3的薄膜 -x）O3（其中，0 <= x <= 1），具有优异的C轴取向性和优异的压电特性，具有高传播速度的表面声波元件可以通过使用这样的金刚石形成压电薄膜的基板。

9. 发明申请

WO2003085827A2 AKUSTISCHES OBERFLÄCHENWELLENBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：声表面波器件
公开(公告)号：WO2003085827A2
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/DE2003/001172
申请日：2003-04-07
申请人： TELE FILTER, ZWEIGNIEDERLASSUNG DER DOVER GERMANY GMBH , FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , KUNZE, Reinhard , SIEMROTH, Peter , WEIHNACHT, Manfred , WEIHNACHT, Volker , SCHMIDT, Hagen
发明人： KUNZE, Reinhard , SIEMROTH, Peter , WEIHNACHT, Manfred , WEIHNACHT, Volker , SCHMIDT, Hagen
IPC分类号： H03H9/00
CPC分类号： H03H9/02921 , H03H9/02582 , H03H9/02929
摘要： Die Erfindung betrifft ein akustisches Oberflächenwellenbauelement, bei dem auf einem piezoelektrischen Substrat Interdigitalwandler- und Reflektorstrukturen aus einem elektrisch leitfähigen Material angeordnet sind.Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für ein derartiges Oberflächenwellenbauelement Maßnahmen vorzuschlagen, durch die die Akustomigration wesentlich verringert wird, die Möglichkeit einer Frequenzverschiebung zu höheren Werten vorliegt und preiswerte pyroelektrische Substrate einsetzbar sind, ohne dass hierdurch eine maßgebliche Beeinträchtigung der Übertragungseigenschaften und des wichtigen Temperaturkoeffizienten eintritt.Das erfindungsgemäße akustische Oberflächenwellenbauelement ist dadurch gekennzeichnet, dass auf und/oder unter den Interdigitalwandler- und Reflektorstrukturen eine 1 nm bis 20 nm dicke Schicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff mit einem sp3-Anteil von > 30% oder aus einem anderem Material mit einem E-Modul von mindestens 200 GPa vorhanden ist, die mit gepulstem Hochstrombogenverfahren oder einem anderen Schichtabscheidungsverfahren zur Erzeugung von diamantähnlichen Kohlenstoffschichten mit vergleichbarem sp3-Anteil oder zur Erzeugung anderer Schichten mit E-Moduli im Bereich von mindestens 200 GPa hergestellt ist.- Fig. 1 -
摘要翻译：本发明涉及一种表面声波装置，其特征在于，布置在导电材料other.The发明的目的是提出的措施对于这样的表面声波装置，通过该声迁移显着降低的可能性，的压电基片Interdigitalwandler-和反射器结构本频率偏移到更高的值而廉价热电基片均可使用，而这并不意味着传输特性和重要温度系数eintritt.Das本发明的表面声波装置，其特征在于上和/或下Interdigitalwandler-和反射器结构1纳米至20的显著恶化纳米厚的层的类金刚石碳的具有至少为200GPa的弹性前模量的SP 3含量的> 30％，或由另一种材料是手，这产生了脉冲高电流电弧过程或具有可比较的sp3成分或以产生具有在至少为200GPa的范围内的弹性模量的其它层产生类金刚石碳层的任何其他膜沉积工艺ist.-图1 -

10. 发明申请

WO01071909A1 SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE 审中-公开
标题翻译：表面声波设备
公开(公告)号：WO01071909A1
公开(公告)日：2001-09-27
申请号：PCT/JP2001/002184
申请日：2001-03-19
IPC分类号： H02N2/00 , H03H9/02 , H03H9/25 , H03H9/145
CPC分类号： H03H9/02984 , H03H9/02574 , H03H9/02582
摘要： A surface acoustic wave device which is suitable for mass-production and excellent in operation characteristics in a high frequency area, and which comprises a diamond layer (3), a ZnO layer (4) formed on the diamond layer (3) and having a thickness of tz, interdigital electrodes (5) formed on the ZnO layer (4), for oscillating and receiving a surface acoustic wave, and an SiO2 layer (6) formed on the ZnO layer (4), covering the interdigital electrodes (5) and having a thickness of ts, wherein kh1 and kh2 given by kh1=5.2 pi .(tz / lambda , kh2 = 5.2 pi .(ts / lambda ) are given within a given mumerical value range,
摘要翻译： 1.一种表面声波装置，其适用于大规模生产，并且在高频区域具有优异的操作特性，并且包括金刚石层（3），形成在金刚石层（3）上的ZnO层（4），并且具有在ZnO层（4）上形成的用于振荡和接收表面声波的tz的交叉指状电极（5）和形成在ZnO层（4）上的SiO 2层（6），覆盖指状电极（5）并且具有厚度ts，其中由kh1 =5.2π（tz /λ，kh2 = 5.2pi（ts /λ））给出的kh1和kh2在给定的数值范围内给出，其中表示声波波长次级模式，从而能够激发二次模式中的表面声波的五次高次谐波。

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