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1. 发明授权

CN1790760B 氮化物半导体元件失效
公开(公告)号：CN1790760B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200510125404.4
申请日：2001-07-06
申请人：日亚化学工业株式会社
发明人：小崎德也
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/343
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要：本发明提供一种氮化物半导体元件，具有以p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层夹着具有由包含In的氮化物半导体构成的井层和由氮化物半导体构成的阻挡层的量子井结构的活性层的结构，其特征在于：所述活性层作为所述阻挡层，具有配置在最接近所述p型氮化物半导体层的位置上的第一阻挡和与该第一阻挡层不同的第二阻挡层，并且，所述第一阻挡层实质上不包含n型杂质，所述第二阻挡层包含n型杂质，所述第一阻挡层的膜厚比所述第二阻挡层的膜厚大。

2. 发明授权

CN105765804B 量子级联激光器有权
公开(公告)号：CN105765804B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201480064803.1
申请日：2014-11-26
申请人：统雷量子电子有限公司
发明人： C·G·卡诺 , C·E·扎赫 , 谢峰
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： H01S5/3402 , H01S5/3415
摘要：一种量子级联激光器结构，包括多个量子阱和多个势垒，所述多个量子阱的至少一部分限定了一激活区，所述激活区的一端邻接一注入势垒，其中：在限定激活区的多个量子阱中的两个或多个相邻量子阱位于注入势垒的附近，并且每一个所述两个或多个量子阱都具有一宽度，所述宽度比所述限定激活区的多个量子阱中两个或多个后续量子阱的宽度要窄。所述生成的激活区具有增加的从较高的光子发射能态跃迁到较低的光子发射能态的寿命，并带来更高的效率和更好的整体性能，特别是对于在长波长(>7μm)上发射或者产生激光的设备。

3. 发明公开

CN103119722A 发光及激光半导体的方法及装置无效
公开(公告)号：CN103119722A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045546.3
申请日：2011-09-20
申请人：量子电镀光学系统有限公司
发明人：加布里埃尔·沃尔特
IPC分类号： H01L29/737 , H01L33/04
CPC分类号： H01L33/0025 , H01S5/06203 , H01S5/06226 , H01S5/183 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S2304/04
摘要：本发明适于结合发光半导体结构使用，所述发光半导体结构包含第一导电率类型的半导体有源区域，所述半导体有源区域含有量子大小区域且具有与第二导电率类型的半导体输入区域相邻的第一表面，所述发光半导体结构在相对于有源区域及输入区域施加电位后即刻操作以从所述有源区域产生光发射。提供一种用于增强所述发光半导体结构的操作的方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体输出区域，所述半导体输出区域包含与第二表面相邻的第一导电率类型的半导体辅助层，所述第二表面与有源区域的第一表面相对；及将所述辅助层提供为半导体材料，所述半导体材料具有所述第一导电率类型材料的少数载流子的扩散长度，所述扩散长度实质上比所述有源区域的半导体材料的少数载流子的扩散长度短。

4. 发明公开

CN1790760A 氮化物半导体元件失效
公开(公告)号：CN1790760A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510125404.4
申请日：2001-07-06
申请人：日亚化学工业株式会社
发明人：小崎德也
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/343
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要：本发明提供一种氮化物半导体元件，具有以p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层夹着具有由包含In的氮化物半导体构成的井层和由氮化物半导体构成的阻挡层的量子井结构的活性层的结构，其特征在于：所述活性层作为所述阻挡层，具有配置在最接近所述p型氮化物半导体层的位置上的第一阻挡和与该第一阻挡层不同的第二阻挡层，并且，所述第一阻挡层实质上不包含n型杂质，所述第二阻挡层包含n型杂质，所述第一阻挡层的膜厚比所述第二阻挡层的膜厚大。

5. 发明公开

CN105765804A 量子级联激光器有权
公开(公告)号：CN105765804A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064803.1
申请日：2014-11-26
申请人：统雷量子电子有限公司
发明人： C·G·卡诺 , C·E·扎赫 , 谢峰
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： H01S5/3402 , H01S5/3415
摘要：一种量子级联激光器结构，包括多个量子阱和多个势垒，所述多个量子阱的至少一部分限定了一激活区，所述激活区的一端邻接一注入势垒，其中：在限定激活区的多个量子阱中的两个或多个相邻量子阱位于注入势垒的附近，并且每一个所述两个或多个量子阱都具有一宽度，所述宽度比所述限定激活区的多个量子阱中两个或多个后续量子阱的宽度要窄。所述生成的激活区具有增加的从较高的光子发射能态跃迁到较低的光子发射能态的寿命，并带来更高的效率和更好的整体性能，特别是对于在长波长(>7μm)上发射或者产生激光的设备。

6. 发明公开

CN104412148A 用于无源光网络(PON)应用的直接调制激光器失效
公开(公告)号：CN104412148A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380036351.1
申请日：2013-05-17
申请人：菲尼萨公司
发明人：松井康浩
IPC分类号： G02B26/00 , G02B26/08
CPC分类号： H01S5/0085 , B82Y20/00 , H01S5/0035 , H01S5/02276 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/06226 , H01S5/06256 , H01S5/1221 , H01S5/20 , H01S5/34 , H01S5/3415 , H01S5/3416 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3434 , H04B10/504
摘要：在一个实施例中，分布布拉格反射器(DBR)激光器包括增益部分和无源部分。增益部分包括有源区、上部分离约束异质结构(SCH)和下部SCH。上部SCH在有源区的上方并且具有至少60纳米(nm)的厚度。下部SCH在有源区的下方并且具有至少60nm的厚度。无源部分与增益部分耦合，该无源部分具有与有源区进行光通信的DBR。

7. 发明授权

CN104412148B 用于无源光网络(PON)应用的直接调制激光器失效
公开(公告)号：CN104412148B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201380036351.1
申请日：2013-05-17
申请人：菲尼萨公司
发明人：松井康浩
IPC分类号： G02B26/00 , G02B26/08
CPC分类号： H01S5/0085 , B82Y20/00 , H01S5/0035 , H01S5/02276 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/06226 , H01S5/06256 , H01S5/1221 , H01S5/20 , H01S5/34 , H01S5/3415 , H01S5/3416 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3434 , H04B10/504
摘要：在一个实施例中，分布布拉格反射器(DBR)激光器包括增益部分和无源部分。增益部分包括有源区、上部分离约束异质结构(SCH)和下部SCH。上部SCH在有源区的上方并且具有至少60纳米(nm)的厚度。下部SCH在有源区的下方并且具有至少60nm的厚度。无源部分与增益部分耦合，该无源部分具有与有源区进行光通信的DBR。

8. 发明授权

CN1440579B 氮化物半导体元件失效
公开(公告)号：CN1440579B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN01812428.3
申请日：2001-07-06
申请人：日亚化学工业株式会社
发明人：小崎德也
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要：本发明作为夹入p型氮化物半导体层11、n型氮化物半导体层13的活性层12，至少具有：具有n型杂质的阻挡层2a；由包含In的氮化物半导体构成的井层1a；具有p型杂质的、或者以无掺杂而使其生长的阻挡层2c，通过配置该阻挡层2作为最接近p型层一侧的阻挡层，就可以注入适当的载流子到活性层12。

9. 发明公开

CN1440579A 氮化物半导体元件失效
公开(公告)号：CN1440579A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN01812428.3
申请日：2001-07-06
申请人：日亚化学工业株式会社
发明人：小崎德也
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要：本发明作为夹入p型氮化物半导体层11、n型氮化物半导体层13的活性层12，至少具有：具有n型杂质的阻挡层2a；由包含In的氮化物半导体构成的井层1a；具有p型杂质的、或者以无掺杂而使其生长的阻挡层2c，通过配置该阻挡层2作为最接近p型层一侧的阻挡层，就可以注入适当的载流子到活性层12。

10. 发明申请

WO2015081217A1 QUANTUM CASCADE LASER 审中-公开
标题翻译：量子CASCADE激光
公开(公告)号：WO2015081217A1
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：PCT/US2014/067646
申请日：2014-11-26
申请人： THORLABS QUANTUM ELECTRONICS, INC.
发明人： CANEAU, Catherine, Genevieve , ZAH, Chung-eng , XIE, Feng
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： H01S5/3402 , H01S5/3415
摘要： A quantum cascade laser structure comprises a plurality of quantum wells and a plurality of barriers, at least a portion of which define an active region, one end of said active region being bordered by an injector barrier, wherein two or more adjacent quantum wells of the plurality in the plurality of quantum wells that define the active region are positioned next to the injector barrier and each of the two or more wells have a width narrower than the widths of two or more succeeding quantum wells in the plurality of quantum wells that define the active region. The resulting active region has increased lifetime of the transition from the upper to the lower photon emission energy state, resulting in higher efficiencies and better overall performance particularly for devices emitting or lasing at long wavelengths (> 7 μm).
摘要翻译：量子级联激光器结构包括多个量子阱和多个屏障，其至少一部分限定有源区域，所述有源区域的一端由注入器屏障界定，其中两个或更多个相邻的量子阱限定有源区域的多个量子阱中的多个位于喷射器屏障旁边，并且两个或更多个阱中的每一个具有比限定多个量子阱中的两个或更多个后续量子阱的宽度的宽度的宽度活跃区域。所产生的有源区域具有从上到下的光子发射能态转变的寿命增加，导致更高的效率和更好的整体性能，特别是对于在长波长（>7μm）处发射或发射的器件。

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