专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

CN102738704B 多波长半导体激光器件失效
公开(公告)号：CN102738704B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210080643.2
申请日：2012-03-23
申请人：索尼公司
发明人：高桥义彦 , 及川文武
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/026
CPC分类号： G11B7/1275 , B82Y20/00 , H01S5/026 , H01S5/0284 , H01S5/0287 , H01S5/22 , H01S5/343 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/176
摘要：本发明涉及的多波长半导体激光器包括：单体地形成在基板上的第一和第二器件部；及整体地形成在第一器件部和第二器件部中各个器件部的后端面上的后端面膜。第一器件部为具有λ1的振荡波长的发光器件部。第二器件部为具有λ2(λ1＜λ2)的振荡波长的发光器件部。后端面膜从后端面一侧起依次包括层叠有N(N≥2)组层的层和折射率为n2(n1＜n2＜n3)的中折射率层，N组层中各组层具有折射率为n1的低折射率层和折射率为n3(n1＜n3)的高折射率层的组合，且后端面膜由不同于Si膜的膜构成。本发明的多波长半导体激光器件能够在抑制端面劣化的产生的同时抑制监视电流相对器件温度变化的变化。

2. 发明公开

CN102738704A 多波长半导体激光器件失效
公开(公告)号：CN102738704A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210080643.2
申请日：2012-03-23
申请人：索尼公司
发明人：高桥义彦 , 及川文武
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/026
CPC分类号： G11B7/1275 , B82Y20/00 , H01S5/026 , H01S5/0284 , H01S5/0287 , H01S5/22 , H01S5/343 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/176
摘要：本发明涉及的多波长半导体激光器，包括：单体地形成在基板上的第一和第二器件部；及整体地形成在第一器件部和第二器件部中各个器件部的后端面上的后端面膜。第一器件部为具有λ1的振荡波长的发光器件部。第二器件部为具有λ2(λ1＜λ2)的振荡波长的发光器件部。后端面膜从后端面一侧起依次包括层叠有N(N≥2)组层的层和折射率为n2(n1＜n2＜n3)的中折射率层，N组层中各组层具有折射率为n1的低折射率层和折射率为n3(n1＜n3)的高折射率层的组合，且后端面膜由不同于Si膜的膜构成。本发明的多波长半导体激光器件能够在抑制端面劣化的产生的同时抑制监视电流相对器件温度变化的变化。

3. 发明授权

US07627010B2 Semiconductor laser having Fabry-Perot resonator 有权
标题翻译：半导体激光器具有法布里 - 珀罗谐振器
公开(公告)号：US07627010B2
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：US11854653
申请日：2007-09-13
申请人： Tetsuya Yagi
发明人： Tetsuya Yagi
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0284 , H01S5/06804 , H01S5/34306
摘要： A semiconductor laser has a reflectance of the front facet coating film or the rear facet coating film dramatically that decreases at wavelengths greater than a predetermined wavelength. This characteristic causes the loss of the semiconductor laser to dramatically increase at wavelengths greater than the predetermined wavelength. As a result, the oscillation wavelength of the semiconductor laser at high temperatures is clamped to around the predetermined wavelength.
摘要翻译：半导体激光器具有显着的前面小面涂膜或后面涂膜的反射率，其在大于预定波长的波长处降低。该特性使得半导体激光器的损耗在大于预定波长的波长处显着增加。结果，半导体激光器在高温下的振荡波长被夹持在预定波长附近。

4. 发明授权

US4843610A Semiconductor laser apparatus 失效
标题翻译：半导体激光装置
公开(公告)号：US4843610A
公开(公告)日：1989-06-27
申请号：US198216
申请日：1988-05-25
申请人： Tsunekazu Okada , Nozomu Yamaguchi
发明人： Tsunekazu Okada , Nozomu Yamaguchi
IPC分类号： H01S5/00 , H01S3/08 , H01S3/13 , H01S5/028 , H01S5/068 , H01S5/0683
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/068 , H01S5/0284 , H01S5/0683
摘要： A semiconductor laser apparatus which detects a laser beam from a semiconductor laser element by using a light-receiving element so as to perform automatic light power control, the temperature characteristic of the power of a laser beam which is transmitted through an end face protection film of the semiconductor laser element and the detected power of the light-receiving element have inverse characteristics relative to each other, and variations in intensity of the output light due to changes in temperature are minimized.

5. 发明公开

EP1188208A1 SEMICONDUCTOR LASER WITH TEMPERATURE INDEPENDANT PERFORMANCES 审中-公开
标题翻译：与温度无关大功率半导体激光器
公开(公告)号：EP1188208A1
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：EP00938259.9
申请日：2000-06-09
申请人： Gore Enterprise Holdings, Inc.
发明人： PETERS, Frank, A. , MAC DOUGAL, Michael, H.
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18361 , H01S5/0284 , H01S5/1221 , H01S5/18369 , H01S5/18377
摘要： Diode lasers are fabricated whose performance is essentially unchanged over designed temperature and bias ranges. The threshold current (Ith) and the external efficiency (θext) of the diode lasers are unchanged over a range of specified temperatures.

6. 发明公开

EP0413320A3 Halbleiterlaserverstärker für optische Signale mit steuerbaren Spiegeln 失效
标题翻译：具有光信号控制镜的半导体激光放大器
公开(公告)号：EP0413320A3
公开(公告)日：1991-09-04
申请号：EP90115614.1
申请日：1990-08-14
申请人： TSENTR NAUCHNO-TEKHNICHESKOGO TVORCHESTVA MOLODEZHI " LINAX"
发明人： Lomashevich, Svyatoslav Alexandrovich , Eskin, Konstantin Fedorovich , Bystrov, Jury Lvovich , Semenova, Galina Alexandrovna
IPC分类号： H01S3/105 , H01S3/025
CPC分类号： H01S3/105 , H01S5/028 , H01S5/0284 , H01S5/50
摘要： Das Ziel der Erfindung besteht darin, eine aktive Mehrzweckvorrichtung mit der Charakteristik der Differentialverstärkung zu schaffen, die es gestattet, optische Signale zu verstärken, mit der Änderung der Frequenz weiterzuleiten, zu formieren, zu generieren. Die obengenannten Eigenschaften werden durch antireflektierende Schichten (2) auf den Spiegeln (5, 6) realisiert, die einen Phasenübergang der ersten Gattung im Bereich von Arbeitswellen und Temperaturen des Verstärkers aufweisen, welcher durch eine äußere und innere optische Änderung oder mit einem äußeren elektrischen Signal gesteuert wird.

7. 发明公开

EP0413320A2 Halbleiterlaserverstärker für optische Signale mit steuerbaren Spiegeln 失效
标题翻译： Halbleiterlaserverstärkerfüroptische Signale mit steuerbaren Spiegeln。
公开(公告)号：EP0413320A2
公开(公告)日：1991-02-20
申请号：EP90115614.1
申请日：1990-08-14
申请人： TSENTR NAUCHNO-TEKHNICHESKOGO TVORCHESTVA MOLODEZHI " LINAX"
发明人： Lomashevich, Svyatoslav Alexandrovich , Eskin, Konstantin Fedorovich , Bystrov, Jury Lvovich , Semenova, Galina Alexandrovna
IPC分类号： H01S3/105 , H01S3/025
CPC分类号： H01S3/105 , H01S5/028 , H01S5/0284 , H01S5/50
摘要： Das Ziel der Erfindung besteht darin, eine aktive Mehrzweckvorrichtung mit der Charakteristik der Differentialverstärkung zu schaffen, die es gestattet, optische Signale zu verstärken, mit der Änderung der Frequenz weiterzuleiten, zu formieren, zu generieren.
Die obengenannten Eigenschaften werden durch antireflektierende Schichten (2) auf den Spiegeln (5, 6) realisiert, die einen Phasenübergang der ersten Gattung im Bereich von Arbeitswellen und Temperaturen des Verstärkers aufweisen, welcher durch eine äußere und innere optische Änderung oder mit einem äußeren elektrischen Signal gesteuert wird.
摘要翻译：本发明的目的是创建一种具有差分放大特性的有源多用途装置，其允许光信号被放大，随着频率的变化而被转发以形成和产生。上述性质通过反射镜（5,6）上的抗反射涂层（2）实现，该涂层在工作波区域和放大器的温度范围内具有一级相变，其转变由外部和内部光学变化或外部电信号的装置。

8. 发明授权

US07542493B2 Temperature compensated lasers 有权
标题翻译：温度补偿激光器
公开(公告)号：US07542493B2
公开(公告)日：2009-06-02
申请号：US11046735
申请日：2005-02-01
申请人： Jack L. Jewell
发明人： Jack L. Jewell
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： H01S5/0612 , H01S5/02461 , H01S5/0284 , H01S5/06804 , H01S5/1221 , H01S5/18311 , H01S5/18322 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/3095
摘要： A novel approach for providing temperature compensation for semiconductor lasers is disclosed. This approach utilizes reflectivity characteristics in the at least one of the mirrors of the semiconductor laser to provide temperature compensation to the device.
摘要翻译：公开了一种用于为半导体激光器提供温度补偿的新颖方法。该方法利用半导体激光器的至少一个反射镜中的反射率特性来向器件提供温度补偿。

9. 发明申请

US20030043871A1 Surface emitting semiconductor laser device 有权
标题翻译：表面发射半导体激光器件
公开(公告)号：US20030043871A1
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：US10214787
申请日：2002-08-06
发明人： Natsumi Ueda , Noriyuki Yokouchi , Tatsuyuki Shinagawa
IPC分类号： H01S005/00 , H01S003/08
CPC分类号： H01S5/18311 , H01S5/0284 , H01S5/1221 , H01S2301/166
摘要： A surface emitting semiconductor laser device of oxidized-Al current confinement structure has a resonant wavelength of a fundamental transverse mode, which is set shorter than or equal to a peak-gain wavelength of the laser device at a specified temperature. The surface emitting semiconductor laser device emits in a single-transverse mode.
摘要翻译：氧化Al电流限制结构的表面发射半导体激光器件具有基本横向模式的谐振波长，该谐振波长被设定为小于或等于激光装置在特定温度下的峰值增益波长。表面发射半导体激光器件以单横模式发射。

10. 发明授权

US5497389A Semiconductor laser device having an active layer and a resonator having a single reflector or pair of reflectors 失效
标题翻译：具有有源层和谐振器的半导体激光器件具有单个反射器或一对反射器
公开(公告)号：US5497389A
公开(公告)日：1996-03-05
申请号：US265875
申请日：1994-06-27
申请人： Akihiko Kasukawa , Norihiro Iwai
发明人： Akihiko Kasukawa , Norihiro Iwai
IPC分类号： H01S3/131 , H01S5/028 , H01S5/343 , H01S3/10
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S3/1317 , H01S5/0284 , H01S5/34306
摘要： There are provided a semiconductor laser device equipped with improved reflectors at the opposite ends of the resonator and capable of preventing any rise in the laser oscillation threshold current and reduction in the quantum efficiency due to temperature rise and a laser module comprising such a semiconductor laser device that operates effectively and efficiently at high temperature and can be downsized at reduced cost. The reflector 23 or 26 disposed at either end of the resonator 22 of a semiconductor laser device 21 according to the invention have a reflectivity that increases with the oscillation wavelength of the device within a range (.lambda..sub.1 to .lambda..sub.1) as a function of the operating temperature of the device. A laser module 31 according to the invention comprises such a semiconductor laser device 21 as a principal component. The semiconductor laser device 21 and therefore the laser module 31 comprising such a device have an improved temperature dependency because its reflector loss is reduced as the device temperature rises.
摘要翻译：提供了一种半导体激光装置，其在谐振器的相对端配备有改进的反射器，并且能够防止激光振荡阈值电流的任何上升以及由于温度升高而导致的量子效率的降低以及包括这种半导体激光装置的激光器模块在高温下有效高效地运转，可以降低成本。设置在根据本发明的半导体激光器装置21的谐振器22的任一端处的反射器23或26的反射率随着器件的振荡波长随着作为功率的范围（λ1至λ1）而增加设备的工作温度。根据本发明的激光器模块31包括作为主要部件的这种半导体激光器装置21。因此，半导体激光装置21，因此包括这种装置的激光模块31具有改善的温度依赖性，因为其反射器损耗随着装置温度升高而降低。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式