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1. 发明授权

CN105900208B 针对离子注入系统的降低轨迹金属污染的离子源有权
公开(公告)号：CN105900208B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201480068636.8
申请日：2014-12-19
申请人：艾克塞利斯科技公司
发明人：谢泽仁 , 奈尔·卡尔文
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/082 , H01J2237/31705
摘要：一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。

2. 发明公开

CN101971286A 真空内保护衬层无效
公开(公告)号：CN101971286A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980102279.1
申请日：2009-01-16
申请人：瓦里安半导体设备公司
发明人：留德米拉·史东 , 朱利安·G·布雷克 , 岱尔·K·史东 , 罗·S·希瑞史盖
IPC分类号： H01J37/30 , H01L21/26
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/16 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/0268 , H01J2237/31705
摘要：本设备包括配置于真空室的界面的衬层。一构件位于真空式内以定义该界面。该衬层配置成用以保护工件免受污染，或是用以避免因原子或离子植入界面所引起的界面产生气泡。在一些实施例中，衬层可由真空室中的界面丢弃以及移除并以新的衬层取代。在一些实施例中，此衬层可为具有粗糙面的聚合物，以碳为基质或是由纳米管构成。

3. 发明授权

CN105742211B 基板处理装置有权
公开(公告)号：CN105742211B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201510993622.3
申请日：2015-12-25
申请人：东京毅力科创株式会社
发明人：网仓学 , 日向寿树
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/4404 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45587 , H01J37/32449 , H01J2237/0268 , H01J2237/16 , H01L21/67017 , H01L21/6719
摘要：本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。

4. 发明公开

CN101730921A 基板清洁腔室与其部件有权
公开(公告)号：CN101730921A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200880017948.0
申请日：2008-05-27
申请人：应用材料股份有限公司
发明人： M·瑞克 , W·W·王
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/02
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/2001 , H01J2237/335 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67207 , Y10T29/49826
摘要：一种基板清洁腔室包含多种部件，例如，一消耗性陶瓷衬垫、基板加热底座、以及工艺套组。该消耗性陶瓷衬垫是经提供以连接一远程气体激发器的出气道至一基板清洁腔室的进气道。该基板加热底座包含一环状板，该环状板具有一基板承接表面，且该基板承接表面具有设置在一凹槽数组内的数个陶瓷球。一工艺套组包含一顶板、顶部衬垫、配气板、底部衬垫、集中环。

5. 发明公开

CN108878324A 基板处理装置有权
公开(公告)号：CN108878324A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810678335.7
申请日：2015-12-25
申请人：东京毅力科创株式会社
发明人：网仓学 , 日向寿树
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/4404 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45587 , H01J37/32449 , H01J2237/0268 , H01J2237/16 , H01L21/67017 , H01L21/6719
摘要：本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。

6. 发明公开

CN105900208A 针对离子注入系统的降低轨迹金属污染的离子源有权
公开(公告)号：CN105900208A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480068636.8
申请日：2014-12-19
申请人：艾克塞利斯科技公司
发明人：谢泽仁 , 奈尔·卡尔文
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/082 , H01J2237/31705
摘要：一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。

7. 发明公开

CN105742211A 基板处理装置有权
公开(公告)号：CN105742211A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993622.3
申请日：2015-12-25
申请人：东京毅力科创株式会社
发明人：网仓学 , 日向寿树
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/4404 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45587 , H01J37/32449 , H01J2237/0268 , H01J2237/16 , H01L21/67017 , H01L21/6719
摘要：本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。

8. 发明授权

CN101730921B 基板清洁腔室与其部件有权
公开(公告)号：CN101730921B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200880017948.0
申请日：2008-05-27
申请人：应用材料股份有限公司
发明人： M·瑞克 , W·W·王
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/02
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/2001 , H01J2237/335 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67207 , Y10T29/49826
摘要：一种基板清洁腔室包含多种部件，例如，一消耗性陶瓷衬垫、基板加热底座、以及工艺套组。该消耗性陶瓷衬垫是经提供以连接一远程气体激发器的出气道至一基板清洁腔室的进气道。该基板加热底座包含一环状板，该环状板具有一基板承接表面，且该基板承接表面具有设置在一凹槽阵列内的数个陶瓷球。一工艺套组包含一顶板、顶部衬垫、配气板、底部衬垫、和集中环。

9. 发明申请

WO2008153785A3 SUBSTRATE CLEANING CHAMBER AND COMPONENTS 审中-公开
标题翻译：基板清洁室和组件
公开(公告)号：WO2008153785A3
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/US2008006702
申请日：2008-05-27
申请人： APPLIED MATERIALS INC , RIKER MARTIN , WANG WEI W
发明人： RIKER MARTIN , WANG WEI W
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/02
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/2001 , H01J2237/335 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67207 , Y10T29/49826
摘要： A substrate cleaning chamber (24) comprises various components, such as for example, a consumable ceramic liner (10), substrate heating pedestal (80), and process kit (114). The consumable ceramic liner (60) is provided for connecting a gas outlet channel (62) of a remote gas energizer (52) to a gas inlet channel (40) of a substrate cleaning chamber (24). The substrate heating pedestal (80) comprises an annular plate (82) having a substrate receiving surface (84) with a plurality of ceramic balls (90) positioned in an array of recesses (88). A process kit (114) comprises a top plate (116), top liner(118), gas distributor plate (120), bottom liner (122), and focus ring (124).
摘要翻译：衬底清洁室（24）包括各种部件，例如可消耗陶瓷衬垫（10），衬底加热基座（80）和处理套件（114）。可消耗陶瓷衬套（60）用于将远程气体激励器（52）的气体出口通道（62）连接到衬底清洁室（24）的气体入口通道（40）。衬底加热基座（80）包括具有衬底接收表面（84）的环形板（82），多个陶瓷球（90）定位在凹槽阵列（88）中。处理套件（114）包括顶板（116），顶衬（118），气体分布板（120），底衬（122）和聚焦环（124）。

10. 发明授权

EP2159816B1 Particle beam system with anti-contamination shield 有权
标题翻译：用针对污染的护罩粒子束系统
公开(公告)号：EP2159816B1
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：EP09252073.3
申请日：2009-08-26
申请人： JEOL Ltd.
发明人： Koizumi, Mitsuru , Nishiyama, Hidetoshi
IPC分类号： H01J37/09 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/28 , H01J2237/022 , H01J2237/0268 , H01J2237/2004 , H01J2237/2608

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