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1. 发明授权

CN103403804B 带有压电或铁电应力诱发垫的相变材料单元有权
公开(公告)号：CN103403804B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180059448.5
申请日：2011-12-01
申请人：国际商业机器公司 , 国家科研中心
发明人： C·A·杜伯迪尤 , M·M·弗兰克 , B·拉耶恩德兰 , A·G·施罗特
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： H01L45/1608 , G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0095 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要：所揭示的一个示范性实施例是一种相变存储单元。这种存储单元包括相变材料和被定位成接近相变材料的换能件。相变材料是可在至少一个非晶状态与结晶状态之间转换的材料。换能件被配置成在相变材料从非晶状态被改变到结晶状态时激活。在一个特定实施例中，换能件是铁电材料。

2. 发明公开

CN103403804A 带有压电或铁电应力诱发垫的相变材料单元有权
公开(公告)号：CN103403804A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180059448.5
申请日：2011-12-01
申请人：国际商业机器公司 , 国家科研中心
发明人： C·A·杜伯迪尤 , M·M·弗兰克 , B·拉耶恩德兰 , A·G·施罗特
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： H01L45/1608 , G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0095 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要：所揭示的一个示范性实施例是一种相变存储单元。这种存储单元包括相变材料和被定位成接近相变材料的换能件。相变材料是可在至少一个非晶状态与结晶状态之间转换的材料。换能件被配置成在相变材料从非晶状态被改变到结晶状态时激活。在一个特定实施例中，换能件是铁电材料。

3. 发明申请

US20160099410A1 MECHANICAL FORMING OF RESISTIVE MEMORY DEVICES 审中-公开
标题翻译：电阻式存储器件的机械形成
公开(公告)号：US20160099410A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：US14507977
申请日：2014-10-07
申请人： The Trustees of the University of Pennsylvania
发明人： I-Wei Chen , Yang Lu
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1641 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2013/0095 , H01L45/10 , H01L45/145 , H01L45/146
摘要： Provided are methods of forming electric devices by effecting application of a stress to the device so as to deform the device within the device's elastic limit and to place the device into a new electric—e.g., resistance—state.
摘要翻译：提供了通过对器件施加应力来形成电子器件的方法，以使器件在器件的弹性极限内变形并将器件置于新的电阻状态。

4. 发明申请

US20160005949A1 DEVICES AND METHODS FOR CONTROLLlNG MAGNETIC ANISTROPY WITH LOCALIZED BIAXIAL STRAIN IN A PIEZOELECTRIC SUBSTRATE 有权
标题翻译：用于在压电基板中控制具有局部化双轴应变的磁性异相的装置和方法
公开(公告)号：US20160005949A1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：US14740147
申请日：2015-06-15
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人： Christopher S. Lynch , Jizhai Cui , Joshua Hockel , Gregory P. Carman
IPC分类号： H01L41/047 , H01L41/09 , H01L41/053 , G11C11/14 , G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C2013/0095 , H01L41/047 , H01L41/0926
摘要： Devices and methods for controlling magnetic anisotropy and orientation of magnetic single domain structures between stable states are provided based on piezoelectric thin films and patterned electrodes. By using patterned electrodes, piezoelectric strain is manipulated to achieve a highly localized biaxial strain in a piezoelectric substrate and rotate the magnetic anisotropy of magnetic materials. Reorientation of a magnetic single domain between different stable states is accomplished by pulsing voltage across pairs of electrodes. Since only a small region surrounding the electrodes is strained, the methods can be applied to arrays of indexed magnetic elements and to piezoelectric thin films clamped to silicon base substrates.
摘要翻译：基于压电薄膜和图案电极提供了用于控制稳定状态之间的磁单畴结构的磁各向异性和取向的装置和方法。通过使用图案化电极，压电应变被控制以在压电基板中实现高度局部的双轴应变并且旋转磁性材料的磁各向异性。通过在电极对之间脉冲电压来实现不同稳定状态之间的磁单畴的重定向。由于只有围绕电极的小区域是紧张的，所以该方法可以应用于索引磁性元件的阵列和夹在硅基底板上的压电薄膜。

5. 发明授权

US08559217B2 Phase change material cell with stress inducer liner 有权
标题翻译：相变材料电池与应力诱导衬管
公开(公告)号：US08559217B2
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：US12964980
申请日：2010-12-10
申请人： Catherine A. Dubourdieu , Martin M. Frank , Bipin Rajendran , Alejandro G. Schrott
发明人： Catherine A. Dubourdieu , Martin M. Frank , Bipin Rajendran , Alejandro G. Schrott
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： H01L45/1608 , G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0095 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要： An example embodiment disclosed is a phase change memory cell. The memory cell includes a phase change material and a transducer positioned proximate the phase change material. The phase change material is switchable between at least an amorphous state and a crystalline state. The transducer is configured to activate when the phase change material is changed from the amorphous state to the crystalline state. In a particular embodiment, the transducer is ferroelectric material.
摘要翻译：所公开的示例实施例是相变存储单元。存储单元包括相变材料和位于相变材料附近的换能器。相变材料可在至少非晶状态和结晶状态之间切换。换能器被配置为当相变材料从非晶状态转变为结晶状态时激活。在特定实施例中，换能器是铁电材料。

6. 发明申请

US20120002465A1 METHODS, STRUCTURES, AND DEVICES FOR REDUCING OPERATIONAL ENERGY IN PHASE CHANGE MEMORY 有权
标题翻译：减少相变记忆中运行能量的方法，结构和装置
公开(公告)号：US20120002465A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：US13236178
申请日：2011-09-19
申请人： Roy E. Meade
发明人： Roy E. Meade
IPC分类号： G11C11/00 , H01L45/00 , H01L21/8239
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C7/04 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0095 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/126 , H01L45/144
摘要： Methods of forming and operating phase change memory devices include adjusting an activation energy barrier between a metastable phase and a stable phase of a phase change material in a memory cell. In some embodiments, the activation energy barrier is adjusted by applying stress to the phase change material in the memory cell. Memory devices include a phase change memory cell and a material, structure, or device for applying stress to the phase change material in the memory cell. In some embodiments, a piezoelectric device may be used to apply stress to the phase change material. In additional embodiments, a material having a thermal expansion coefficient greater than that of the phase change material may be positioned to apply stress to the phase change material.
摘要翻译：形成和操作相变存储器件的方法包括调节存储器单元中的相变材料的亚稳相和稳定相之间的激活能垒。在一些实施例中，通过对存储单元中的相变材料施加应力来调节激活能垒。存储器件包括相变存储器单元和用于向存储单元中的相变材料施加应力的材料，结构或器件。在一些实施例中，可以使用压电装置将应力施加到相变材料上。在另外的实施例中，可以定位具有大于相变材料的热膨胀系数的材料，以将应力施加到相变材料上。

7. 发明专利

JP2014504450A Phase change material cell having a piezoelectric or ferroelectric stress-liner 有权
公开(公告)号：JP2014504450A
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：JP2013543222
申请日：2011-12-01
申请人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation , サントルナショナルドゥラルシェルシュシアンティフィク
发明人：デュブルデュ、キャサリン、エー． , フランク、マーティン、エム． , ラジェンドラン、ビピン , シュロット、アレハンドロ、ジー．
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L41/047 , H01L41/09 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1608 , G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0095 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要：【課題】強誘電応力誘起ライナを有する相変化メモリ・セルを提供する。
【解決手段】メモリ・セルは、相変化材料と、相変化材料に近接して配置されたトランスデューサとを含む。相変化材料は、少なくともアモルファス状態と結晶状態との間で切換可能である。トランスデューサは、相変化材料がアモルファス状態から結晶状態に変化させられるときに活性化されるように構成される。特定の一実施形態においては、トランスデューサは強誘電材料である。
【選択図】図１

8. 发明申请

WO2015138058A3 PIEZOELECTRIC AND LOGIC INTEGRATED DELAY LINE MEMORY 审中-公开
标题翻译：压电和逻辑集成延迟线存储器
公开(公告)号：WO2015138058A3
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/US2015014324
申请日：2015-02-03
申请人： UNIV CORNELL
发明人： LAL AMIT , KUO JUSTIN C
IPC分类号： G11C21/02
CPC分类号： G11C21/023 , B06B1/0215 , B06B2201/20 , B06B2201/55 , B06B2201/70 , G11C7/16 , G11C19/00 , G11C2013/0095
摘要： Delay line memory device, systems and methods are disclosed. In one aspect, a delay line memory device includes a substrate; an electronic unit disposed on the substrate and operable to receive, amplify, and/or synchronize data signals into a bit stream to be transmitted as acoustic pulses carrying data stored in the delay line memory device; a first and a second piezoelectric transducer disposed on the substrate and in communication with the electronic unit, in which the first piezoelectric transducer is operable to transmit the data signals to the acoustic pulses that carry the data through the bulk of the substrate, and the second piezoelectric transducer is operable to transduce the received acoustic pulses to intermediate electrical signals containing the data, which are transferred to the electronic unit via an electrical interconnect to cause refresh of the data in the delay line memory device.
摘要翻译：延迟线存储器装置，系统和方法被公开。在一个方面，延迟线存储器装置包括衬底; 电子单元，其设置在所述基板上，并且可操作以将数据信号接收，放大和/或同步成比特流，以作为传送存储在所述延迟线存储器设备中的数据的声脉冲发送; 第一压电换能器和第二压电换能器，设置在所述基板上并与所述电子单元通信，其中所述第一压电换能器可操作以将所述数据信号传输到承载所述数据通过所述基板本体的所述声学脉冲，并且所述第二压电换能器可操作地将所接收的声脉冲转换成包含数据的中间电信号，所述数据经由电互连被传送到电子单元以引起延迟线存储器装置中的数据的刷新。

9. 发明申请

WO2015134035A1 MEMRISTOR DEVICES WITH A THERMALLY-INSULATING CLADDING 审中-公开
标题翻译：具有绝热层压的电容器件
公开(公告)号：WO2015134035A1
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：PCT/US2014/021598
申请日：2014-03-07
申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
发明人： GIBSON, Gary , HENZE, Richard , JACKSON, Warren , JEON, Yoocharn
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1293 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0095 , H01L27/2418 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146
摘要： A memristor device with a thermally-insulating cladding includes a first electrode, a second electrode, a memristor, and a thermally-insulating cladding. The memristor is coupled in electrical series between the first electrode and the second electrode. The thermally-insulating cladding surrounds at least a portion of the memristor.
摘要翻译：具有绝热包层的回忆体装置包括第一电极，第二电极，忆阻器和绝热包层。忆阻器以第一电极和第二电极之间的电气系列耦合。绝热包层包围至少一部分忆阻器。

10. 发明授权

US09379162B2 Magneto-elastic non-volatile multiferroic logic and memory with ultralow energy dissipation 有权
标题翻译：磁弹性非挥发性多铁磁逻辑和超低能耗的存储器
公开(公告)号：US09379162B2
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：US14546393
申请日：2014-11-18
申请人： Virginia Commonwealth University
发明人： Supriyo Bandyopadhyay , Jayasimha Atulasimha , Ayan Kumar Biswas
IPC分类号： G11C11/00 , H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L41/047 , H01L41/08 , G11C11/16
CPC分类号： H01L27/222 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/22 , G11C11/2275 , G11C11/54 , G11C2013/0095 , H01L41/047 , H01L41/0805 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： Memory cells, non-volatile logic gates, and combinations thereof have magneto-tunneling junctions (MTJs) which are switched using potential differences across a piezoelectric layer in elastic contact with a magnetostrictive nanomagnet of an MTJ. One or more pairs of electrodes are arranged about the MTJ for supplying voltage across the piezoelectric layer for switching. A permanent magnetic field may be employed to change the positions of the stable magnetic orientations of the magnetostrictive nanomagnet. Exemplary memory cells and universal non-volatile logic gates show dramatically improved performance characteristics, particularly with respect to energy dissipation and error-resilience, over existing methods and architectures for switching MTJs such as spin transfer torque (STT) techniques.
摘要翻译：存储单元，非易失性逻辑门及其组合具有使用与MTJ的磁致伸缩纳米磁体弹性接触的压电层上的电位差来切换的磁隧道结（MTJ）。围绕MTJ布置一对或多对电极，用于在压电层两端提供电压用于切换。永久磁场可用于改变磁致伸缩纳米磁体的稳定磁取向的位置。示例性存储器单元和通用非易失性逻辑门显示出显着改进的性能特性，特别是关于能量耗散和错误恢复性的现有方法和结构，用于切换MTJ，例如自旋传递转矩（STT）技术。

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