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1. 发明公开

CN107799529A 半导体存储器件及其制造方法有权
公开(公告)号：CN107799529A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710727478.8
申请日：2017-08-22
申请人：三星电子株式会社
发明人：申重植 , 李秉一 , 朴玄睦 , 郑恩宅
IPC分类号： H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11573
CPC分类号： G11C11/4085 , G11C8/08 , G11C8/12 , G11C8/14 , G11C11/06042 , H01L21/8239 , H01L23/5286 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11563 , H01L27/11568
摘要：一种半导体存储器件包括衬底、地选择线、字线、绝缘层、竖直通道部分和第一外围电路栅极图案。衬底包括单元阵列区域和外围电路区域。地选择线在单元阵列区域上。字线在地选择线上。绝缘层在地选择线与字线之间。竖直通道部分在与衬底的顶表面垂直的方向上穿过地选择线、字线和绝缘层。第一外围电路栅极图案在衬底的外围电路区域上。绝缘层从单元阵列区域延伸到外围电路区域上以覆盖第一外围电路栅极图案的顶表面。

2. 发明公开

KR20180027708A 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR20180027708A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：KR20160114488
申请日：2016-09-06
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： G11C11/4085 , G11C8/08 , G11C8/12 , G11C11/06042 , H01L21/8239 , H01L23/5286 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
摘要： 본발명의실시예에따른반도체메모리소자는셀 어레이영역과주변회로영역을포함하는기판, 상기기판의상기셀 어레이영역상에배치된접지선택라인, 상기접지선택라인상에배치된워드라인, 상기접지선택라인과상기워드라인사이에배치된절연막, 상기기판의상면에대해수직방향으로상기접지선택라인, 상기워드라인및 상기절연막을관통하는수직채널부및 상기기판의상기주변회로영역상에배치된제 1 주변회로게이트패턴을포함하되, 상기절연막은상기기판의상기셀 어레이영역에서상기주변회로영역상으로연장하여상기제 1 주변회로게이트패턴의상면을덮을수 있다.
摘要翻译：一种半导体存储器件包括衬底，地选择线，字线，绝缘层，垂直沟道部分和第一外围电路栅极图案。衬底包括单元阵列区域和外围电路区域。地选线位于单元阵列区域。字线位于地面选择线上。绝缘层位于地选择线和字线之间。垂直沟道部分在垂直于衬底的顶表面的方向上穿透地选择线，字线和绝缘层。第一外围电路栅极图案位于衬底的外围电路区域上。绝缘层从单元阵列区域延伸到外围电路区域以覆盖第一外围电路栅极图案的顶表面。

3. 发明授权

US3568152A Method and apparatus for preconditioning a memory system 失效
标题翻译：用于预先记忆系统的方法和装置
公开(公告)号：US3568152A
公开(公告)日：1971-03-02
申请号：US3568152D
申请日：1967-11-08
申请人： CONTROL DATA CORP
发明人： JALLEN GALE A
IPC分类号： G11C11/06 , G11C7/00
CPC分类号： G11C11/06042
摘要： Arrangement for preconditioning a memory system having selectable address lines to reduce adverse effects arising during addressing caused by the effective shunt capacitance of the memory. The effective shunt impedance of the memory system is increased by a switching arrangement which permits the stray capacitances of the system to be charged prior to completion of a current path through a selected address line. When such a current path is subsequently completed, the switching arrangement bypasses enough current from this path to prevent the memory from being actuated. However, during this period the effective shunt capacitance associated with the selected path discharges. Thus, when the bypass is subsequently interrupted, full current passes through the selected address line without encountering adverse effects caused by shunt capacitance.

4. 发明授权

US3493931A Diode-steered matrix selection switch 失效
标题翻译：二极管转矩矩阵选择开关
公开(公告)号：US3493931A
公开(公告)日：1970-02-03
申请号：US3493931D
申请日：1963-04-16
申请人： IBM
发明人： FOGLIA HENRY R
IPC分类号： G11C11/06 , H03K17/74 , H03K17/76 , H04Q1/00 , H04Q3/00
CPC分类号： H03K17/76 , G11C11/06007 , G11C11/06042 , H03K17/74

5. 发明授权

US3466638A Nondestructive readout magnetic memory 失效
标题翻译：非磁性读出磁记忆
公开(公告)号：US3466638A
公开(公告)日：1969-09-09
申请号：US3466638D
申请日：1965-12-28
申请人： IBM
发明人： ANACKER WILHELM
IPC分类号： G11C11/06 , G11B5/62
CPC分类号： G11C11/06042

6. 发明授权

US3436750A Write and read circuit arrangement for a magnetic storage with magnetizable cores 失效
标题翻译：用可磁化的磁道写入和读取电路存储器的电路布置
公开(公告)号：US3436750A
公开(公告)日：1969-04-01
申请号：US3436750D
申请日：1966-04-01
申请人： HOLLANDSE SIGNAALAPPARATEN BV
发明人： BAKKER EELKE FOLKERT
IPC分类号： G11C11/06 , G11B5/00
CPC分类号： G11C11/06035 , G11C11/06042 , G11C11/06078

7. 发明授权

US3325791A Sense line capacitive balancing in word-organized memory arrays 失效
标题翻译：字组织记忆阵列中的感应线电容平衡
公开(公告)号：US3325791A
公开(公告)日：1967-06-13
申请号：US26125963
申请日：1963-02-27
申请人： ITT
发明人： ITALIA CONCETTO P
IPC分类号： G11C7/02 , G11C11/06
CPC分类号： G11C11/06042

8. 发明授权

US3209337A Magnetic matrix memory system 失效
标题翻译：磁矩记忆系统
公开(公告)号：US3209337A
公开(公告)日：1965-09-28
申请号：US21970662
申请日：1962-08-27
申请人： IBM
发明人： CRAWFORD DAVID J
IPC分类号： G11C11/06
CPC分类号： G11C11/06007 , G11C11/06042

9. 发明授权

US3144640A Ferrite matrix storage 失效
标题翻译：铁氧体矩阵存储
公开(公告)号：US3144640A
公开(公告)日：1964-08-11
申请号：US83123559
申请日：1959-08-03
申请人： INT STANDARD ELECTRIC CORP
发明人： WILHELM GROOTEBOER
IPC分类号： G06F9/32 , G11C7/02 , G11C11/06 , H04J3/04 , H04L13/08 , H04Q3/42
CPC分类号： G06F9/30 , G11C11/06014 , G11C11/06035 , G11C11/06042 , H04J3/04 , H04L13/08 , H04Q3/42

10. 发明授权

US3117309A Arrangement for controlling a magnet core matrix 失效
标题翻译：用于控制磁芯矩阵的布置
公开(公告)号：US3117309A
公开(公告)日：1964-01-07
申请号：US17477962
申请日：1962-02-21
申请人： KIENZLE APPARATE GMBH
发明人： GERHARD WOLF
IPC分类号： G11C11/06
CPC分类号： G11C11/06042

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