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1. 发明公开

CN104944356A 微机电系统装置无效
公开(公告)号：CN104944356A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510129061.2
申请日：2015-03-23
申请人：精工爱普生株式会社
发明人：吉泽隆彦
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/0271 , B81C2203/0136 , B81C2203/0163 , B81C2203/0764
摘要：本发明提供一种MEMS装置。该MEMS装置具备：半导体基板，其在主面的第一区域中形成有沟槽，并且在主面的第二区域中形成有半导体电路元件的杂质扩散区；功能元件，其直接或经由绝缘膜而被设置于半导体基板的沟槽的底面上；壁部，其被设置于半导体基板的沟槽内，并在功能元件的周围形成空腔；盖部，其对空腔进行覆盖；支柱，其被设置于空腔内，并与半导体基板的沟槽的底面或绝缘膜、和盖部的背面接触。

2. 发明授权

CN104925737B 微机电系统装置及其制造方法有权
公开(公告)号：CN104925737B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510119951.5
申请日：2015-03-18
申请人：精工爱普生株式会社
发明人：吉泽隆彦
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81B7/007 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81C1/00246 , B81C1/00301 , B81C2203/0728 , B81C2203/0764 , H01L2224/24145
摘要：本发明涉及一种MEMS装置。该MEMS装置具备：半导体基板，其被形成有沟槽；功能元件，其被设置于半导体基板的沟槽内，且具有连接电极；结构体，其被设置于半导体基板的沟槽内，且在功能元件的周围形成空腔；盖部，其包括与连接电极电连接的导电体，且对空腔进行覆盖；绝缘层，其对盖部以及设置有半导体电路元件的半导体基板的主面进行覆盖；第一电极，其贯穿绝缘层并与导电体电连接；第二电极，其贯穿绝缘层并与半导体电路元件电连接；配线，其被设置于绝缘层的表面上，并对第一电极与第二电极进行电连接。

3. 发明公开

CN104925737A 微机电系统装置及其制造方法有权
公开(公告)号：CN104925737A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510119951.5
申请日：2015-03-18
申请人：精工爱普生株式会社
发明人：吉泽隆彦
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81B7/007 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81C1/00246 , B81C1/00301 , B81C2203/0728 , B81C2203/0764 , H01L2224/24145
摘要：本发明涉及一种MEMS装置。该MEMS装置具备：半导体基板，其被形成有沟槽；功能元件，其被设置于半导体基板的沟槽内，且具有连接电极；结构体，其被设置于半导体基板的沟槽内，且在功能元件的周围形成空腔；盖部，其包括与连接电极电连接的导电体，且对空腔进行覆盖；绝缘层，其对盖部以及设置有半导体电路元件的半导体基板的主面进行覆盖；第一电极，其贯穿绝缘层并与导电体电连接；第二电极，其贯穿绝缘层并与半导体电路元件电连接；配线，其被设置于绝缘层的表面上，并对第一电极与第二电极进行电连接。

4. 发明授权

CN104045047B 带有覆盖式衬底的MEMS器件有权
公开(公告)号：CN104045047B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310245334.0
申请日：2013-06-19
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
发明人：郑钧文 , 朱家骅
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： G11C11/419 , B81B3/0051 , B81B2207/015 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C1/00253 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/0742 , B81C2203/0764 , B81C2203/0778 , G11C5/063 , H01L23/528 , H01L27/1104 , H01L27/1116
摘要：本发明涉及了一种带有覆盖式衬底的MEMS器件，其包括设置在第一衬底上的介电层，该介电层具有形成在其中的牺牲凹部。该集成电路另外包括形成在介电层之上且悬置在牺牲凹部之上的膜层，以及与膜层相接合从而形成了第二凹部的覆盖式衬底，该第二凹部通过形成到膜层中的通孔与牺牲凹部相连接。

5. 发明公开

CN104071741A 电子装置及其制造方法、以及振荡器无效
公开(公告)号：CN104071741A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410123288.1
申请日：2014-03-28
申请人：精工爱普生株式会社
发明人：吉泽隆彦
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , H03H9/02
CPC分类号： H03B5/30 , B81C1/00246 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2203/0742 , B81C2203/0764 , H01L21/76802 , H03B5/32
摘要：本发明提供一种电子装置及其制造方法、以及振荡器，本发明所涉及的电子装置包括：基板；基底层，其被形成在所述基板上且具有开口；功能元件，其被设置在所述基底层上；包围壁，其为形成对所述功能元件进行收纳的空腔的包围壁，并且至少一部分被配置于所述开口内。

6. 发明公开

CN104045047A 带有覆盖式衬底的MEMS器件有权
公开(公告)号：CN104045047A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310245334.0
申请日：2013-06-19
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
发明人：郑钧文 , 朱家骅
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： G11C11/419 , B81B3/0051 , B81B2207/015 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C1/00253 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/0742 , B81C2203/0764 , B81C2203/0778 , G11C5/063 , H01L23/528 , H01L27/1104 , H01L27/1116
摘要：本发明涉及了一种带有覆盖式衬底的MEMS器件，其包括设置在第一衬底上的介电层，该介电层具有形成在其中的牺牲凹部。该集成电路另外包括形成在介电层之上且悬置在牺牲凹部之上的膜层，以及与膜层相接合从而形成了第二凹部的覆盖式衬底，该第二凹部通过形成到膜层中的通孔与牺牲凹部相连接。

7. 发明申请

US20180061487A1 Two-Port SRAM Connection Structure 审中-公开
公开(公告)号：US20180061487A1
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：US15613817
申请日：2017-06-05
申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
发明人： Jhon Jhy Liaw
IPC分类号： G11C11/419 , H01L27/11 , B81B3/00 , G11C5/06 , B81C1/00 , H01L23/528
CPC分类号： G11C11/419 , B81B3/0051 , B81B2207/015 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C1/00253 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/0742 , B81C2203/0764 , B81C2203/0778 , G11C5/063 , H01L23/528 , H01L27/1104 , H01L27/1116
摘要： A static random access memory (SRAM) device is provided in accordance with some embodiments. The SRAM device comprises a plurality of two-port SRAM arrays, which comprise a plurality of two-port SRAM cells. Each two-port SRAM cell comprises a write port portion, a read port portion, a first plurality of metal lines located in a first metal layer, a second plurality of metal lines located in a second metal layer, a third plurality of metal lines located in a third metal layer a plurality of edge cells, a plurality of well strap cells, and a plurality of jumper structures. Each jumper structure comprises first, second, and third metal landing pads located in the second metal layer and electrically connecting metal lines of the first and third metal layers.

8. 发明申请

US20170081182A1 MULTI-FACED COMPONENT-BASED ELECTROMECHANICAL DEVICE 有权
公开(公告)号：US20170081182A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：US14861358
申请日：2015-09-22
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Qing Cao , Kangguo Cheng , Zhengwen Li , Fei Liu
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/00
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B7/0058 , B81B2203/0307 , B81B2203/033 , B81C1/00039 , B81C1/00698 , B81C2201/017 , B81C2203/0764 , B82Y10/00 , C08K5/34 , G06N3/0635 , H01L21/00 , H01L21/02263 , H01L21/30625 , H01L21/465 , H01L27/092 , H01L29/42316 , H01L49/00
摘要： An electromechanical device comprises a substrate structure, a set of electrodes, one or more anchor trenches, and one or more multi-faced components. For example, each of the one or more multi-faced components comprises an isolation region formed on a first portion of the surface of the component, a high resistance region formed on a second portion of the surface of the component, and a low resistance region formed on a third portion of the surface of the component. For example, the synapse device is configured to provide an analog resistive output, ranging between the high resistance region and the low resistance region, from at least one of the set of electrodes in response to a pulsed voltage input to at least another one of the set of electrodes.

9. 发明申请

US20160185594A1 SYSTEMS AND METHODS FOR HORIZONTAL INTEGRATION OF ACCELERATION SENSOR STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：用于加速传感器结构的水平积分的系统和方法
公开(公告)号：US20160185594A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：US15064916
申请日：2016-03-09
申请人： Infineon Technologies Dresden GmbH
发明人： Thoralf Kautzsch , Heiko Froehlich , Mirko Vogt , Maik Stegemann , Andre Roeth , Steffen Bieselt
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C1/00246 , B81C2203/0764 , H01L21/3065 , H01L29/84
摘要： Embodiments relate to integrated circuit sensors, and more particularly to sensors integrated in an integrated circuit structure and methods for producing the sensors. In an embodiment, a sensor device comprises a substrate; a first trench in the substrate; a first moveable element suspended in the first trench by a first plurality of support elements spaced apart from one another and arranged at a perimeter of the first moveable element; and a first layer arranged on the substrate to seal the first trench, thereby providing a first cavity containing the first moveable element and the first plurality of support elements.
摘要翻译：实施例涉及集成电路传感器，更具体地涉及集成在集成电路结构中的传感器和用于产生传感器的方法。在一个实施例中，传感器装置包括衬底; 衬底中的第一沟槽; 第一可移动元件，其通过彼此间隔开并布置在第一可移动元件的周边的第一多个支撑元件悬挂在第一沟槽中; 以及布置在所述基板上以密封所述第一沟槽的第一层，从而提供包含所述第一可移动元件和所述第一多个支撑元件的第一空腔。

10. 发明申请

US20150266721A1 MEMS DEVICE 有权
标题翻译： MEMS器件
公开(公告)号：US20150266721A1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：US14660157
申请日：2015-03-17
申请人： SEIKO EPSON CORPORATION
发明人： Takahiko YOSHIZAWA
IPC分类号： B81B7/00 , B81B7/02
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/0271 , B81C2203/0136 , B81C2203/0163 , B81C2203/0764
摘要： A MEMS device includes a semiconductor substrate having a main surface with a first region in which a trench is formed and a second region in which an impurity diffusion region of a semiconductor circuit element is formed; a functional element provided, either directly or via an insulating film, on a bottom surface of the trench of the semiconductor substrate; a wall portion in the trench of the semiconductor substrate and forming a cavity surrounding the functional element; a lid portion that covers the cavity; and a pillar in the cavity and in contact with either the bottom surface of the trench of the semiconductor substrate or the insulating film, and with a back surface of the lid portion.
摘要翻译： MEMS器件包括具有主表面的半导体衬底，其中形成有沟槽的第一区域和形成有半导体电路元件的杂质扩散区域的第二区域; 在半导体衬底的沟槽的底表面上直接或经由绝缘膜提供的功能元件; 在所述半导体衬底的沟槽中的壁部分，并且形成围绕所述功能元件的空腔; 覆盖所述空腔的盖部; 以及与该半导体基板的沟槽的底面或绝缘膜接触的空腔内的支柱，以及盖部的背面。

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