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1. 发明申请

WO2012066761A1 METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL WAFER AND THE EPITAXIAL WAFER 审中-公开
标题翻译：生产外延波浪和外延波形的方法
公开(公告)号：WO2012066761A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/JP2011/006327
申请日：2011-11-11
申请人： SUMCO CORPORATION , MASUDA, Sumihisa , NARAHARA, Kazuhiro
发明人： MASUDA, Sumihisa , NARAHARA, Kazuhiro
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02021 , C30B25/186 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L29/30
摘要： The present invention provides a method of producing an epitaxial wafer having a highly flat rear surface without polishing top and rear surfaces of the epitaxial wafer after forming an epitaxial film. A method of producing an epitaxial wafer 100 according to the present invention comprises a step of preparing a semiconductor wafer 10 having a beveled portion 11 formed on its end portion, a first surface 12b, a second surface 12a opposite to the first surface 12b, and edges 13b and 13a on both of the first surface12b and the second surface12a, the each edge 13a and 13b is boundary with the beveled portion 11; a step of processing of rolling off an outer peripheral portion 14 of the first surface 12b to form a roll-off region, the outer peripheral portion 14 is extending outward of the wafer from a predetermined position P inner than the position of the edge 13b on the first surface 12b; and a step of forming a first epitaxial film 20 on the second surface 12a.
摘要翻译：本发明提供一种制造具有高平坦后表面的外延晶片的方法，而不会在形成外延膜之后抛光外延晶片的顶表面和后表面。根据本发明的制造外延晶片100的方法包括制备半导体晶片10的步骤，半导体晶片10具有形成在其端部上的斜面部分11，第一表面12b，与第一表面12b相对的第二表面12a，以及在第一表面12b和第二表面12a上的边缘13b和13a，每个边缘13a和13b与斜面部分11是边界; 处理滚动第一表面12b的外周部分14以形成滚降区域的步骤，外周部分14从比边缘13b的位置内侧的预定位置P向晶片外延伸第一表面12b; 以及在第二表面12a上形成第一外延膜20的步骤。

2. 发明申请

US20180328859A1 WAFER INSPECTION METHOD AND WAFER INSPECTION APPARATUS 审中-公开
公开(公告)号：US20180328859A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：US15757856
申请日：2016-08-03
申请人： SUMCO CORPORATION
发明人： Tatsuya OSADA , Masahiko EGASHIRA , Tomokatsu UCHINO
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/64
CPC分类号： G01N21/9501 , G01B11/30 , G01N21/6489 , G01N21/956
摘要： Provided is a wafer inspection method capable of examining whether pits are formed in wafer surfaces. The wafer inspection method includes the steps of: choosing defects of a wafer using a first optical system; selecting potential pits from the chosen defects; and classifying the potential pits into pits and defects other than the pits using a second optical system.

3. 发明专利

TWI697590B 矽融液的對流圖案推測方法、矽單結晶的氧濃度推測方法、矽單結晶的製造方法及矽單結晶的拉引裝置有权
简体标题：硅融液的对流图案推测方法、硅单结晶的氧浓度推测方法、硅单结晶的制造方法及硅单结晶的拉引设备
公开(公告)号：TWI697590B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108106614
申请日：2019-02-27
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：杉村渉 , SUGIMURA, WATARU , 横山竜介 , YOKOYAMA, RYUSUKE , 藤原俊幸 , FUJIWARA, TOSHIYUKI , 小野敏昭 , ONO, TOSHIAKI
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , G01J5/00

4. 发明专利

TWI693124B 晶圓的製造方法有权
简体标题：晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI693124B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW108102373
申请日：2019-01-22
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 橋本靖行 , HASHIMOTO, YASUYUKI
IPC分类号： B24B7/04 , B24B7/22 , H01L21/304

5. 发明专利

TWI687991B 載具的製造方法及晶圓的研磨方法有权
简体标题：载具的制造方法及晶圆的研磨方法
公开(公告)号：TWI687991B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107123945
申请日：2018-07-11
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：御厨俊介 , MIKURIYA, SHUNSUKE , 三浦友紀 , MIURA, TOMONORI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/28

6. 发明专利

TWI685399B 研磨頭及使用此研磨頭之晶圓研磨裝置及研磨方法有权
简体标题：研磨头及使用此研磨头之晶圆研磨设备及研磨方法
公开(公告)号：TWI685399B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW108105257
申请日：2019-02-18
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：中野裕生 , NAKANO, YUKI , 杉森勝久 , SUGIMORI, KATSUHISA , 小佐佐和明 , KOZASA, KAZUAKI , 梶原治郎 , KAJIWARA, JIRO , 山本勝利 , YAMAMOTO, KATSUTOSHI , 木原誉之 , KIHARA, TAKAYUKI , 寺川良也 , TERAKAWA, RYOYA
IPC分类号： B24B37/30 , H01L21/304

7. 发明专利

TWI682526B 矽晶圓的製造方法有权
简体标题：硅晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI682526B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107120957
申请日：2018-06-19
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：高奉均 , KO, BONG-GYUN , 小野敏昭 , ONO, TOSHIAKI
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L21/822

8. 发明专利

TWI681087B 矽單結晶的製造方法及矽單結晶的提拉裝置有权
简体标题：硅单结晶的制造方法及硅单结晶的提拉设备
公开(公告)号：TWI681087B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107144481
申请日：2018-12-11
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：金原崇浩 , KANEHARA, TAKAHIRO , 片野智一 , KATANO, TOMOKAZU
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06

9. 发明专利

TWI674247B 石英玻璃坩堝有权
简体标题：石英玻璃坩埚
公开(公告)号：TWI674247B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW108100188
申请日：2017-09-13
申请人：日商勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：岸弘史 , KISHI,HIROSHI , 福井正德 , FUKUI,MASANORI
IPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06

10. 发明专利

TWI668783B ＦＯＳＢ型出貨用晶圓收容容器之洗淨方法有权
简体标题：ＦＯＳＢ型出货用晶圆收容容器之洗净方法
公开(公告)号：TWI668783B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107101059
申请日：2018-01-11
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：小佐佐寛 , KOSASA, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/68 , B65D85/86

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