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1. 发明公开

CN1610765A 工件镀层加工的改进方法失效
公开(公告)号：CN1610765A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN02826377.4
申请日：2002-11-28
申请人： EPPRA公司
发明人： P·舒瓦
IPC分类号： C23C14/22 , G21K5/04 , C23C16/56
CPC分类号： C23C14/5833 , C23C14/22 , C23C14/5893 , C23C16/56
摘要：本发明是关于一种镀层加工方法，这种镀层加工方法是在含有第一种材料的工件(10)上，覆盖含第二种材料的镀层，它包括至少一次将具有一定厚度的、用来与工件表面材料形成紧密结构的材料(11、13)进行沉积处理的过程(A、A’)，这一过程是利用等离子源与等离子体之间的相互反应实现的。其特征在于每一沉积处理过程(A、A’)之后都伴随着处理过程(B、B’)，在所述处理过程(B、B’)中将工件和材料层(11、13)在处于所选择的能量密度级别的高能量密度离子轰击的脉冲照射下暴露一段有限的时间。

2. 发明授权

CN1610765B 工件镀层加工的改进方法失效
公开(公告)号：CN1610765B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN02826377.4
申请日：2002-11-28
申请人： EPPRA公司
发明人： P·舒瓦
IPC分类号： C23C14/22 , G21K5/04 , C23C16/56
CPC分类号： C23C14/5833 , C23C14/22 , C23C14/5893 , C23C16/56
摘要：本发明是关于一种镀层加工方法，这种镀层加工方法是在含有第一种材料的工件(10)上，覆盖含第二种材料的镀层，它包括至少一次将具有一定厚度的、用来与工件表面材料形成紧密结构的材料(11、13)进行沉积处理的过程(A、A’)，这一过程是利用等离子源与等离子体之间的相互反应实现的。其特征在于每一沉积处理过程(A、A’)之后来都伴随着处理过程(B、B’)，在所述处理过程(B、B’)中将工件和材料层(11、13)在处于所选择的能量密度级别的高能量密度离子轰击的脉冲照射下暴露一段有限的时间。

3. 发明专利

TW200527978A 射線驅動之電漿源及微平版印刷應用 SOURCE A PLASMA DE RAYONS DIRIGES ET APPLICATION A LA MICROLITOGRAPHIE 审中-公开
简体标题：射线驱动之等离子源及微平版印刷应用 SOURCE A PLASMA DE RAYONS DIRIGES ET APPLICATION A LA MICROLITOGRAPHIE
公开(公告)号：TW200527978A
公开(公告)日：2005-08-16
申请号：TW093131575
申请日：2004-10-18
申请人： EPPRA公司 EPPRA
发明人：卓彼得 CHOI, PETER
IPC分类号： H05H
CPC分类号： G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/06
摘要：本發明係關於一種用以於一發射方向產生在一所欲波長範圍內之輻射之方法，該方法包括：–以一波長包含該所欲範圍之輻射源產生初始輻射，–過濾該初始輻射，俾實質上消除波長超出該所欲範圍之該初始輻射之射線，其特徵在於該過濾係藉由啟始該初始輻射通過之一控制區中之射線折射率之受控分佈，俾選擇性以該初始輻射之射線之波長之函數去除該等射線，並獲得具所欲波長之射線。本發明亦與一相關裝置有關。
简体摘要：本发明系关于一种用以于一发射方向产生在一所欲波长范围内之辐射之方法，该方法包括：–以一波长包含该所欲范围之辐射源产生初始辐射，–过滤该初始辐射，俾实质上消除波长超出该所欲范围之该初始辐射之射线，其特征在于该过滤系借由启始该初始辐射通过之一控制区中之射线折射率之受控分布，俾选择性以该初始辐射之射线之波长之函数去除该等射线，并获得具所欲波长之射线。本发明亦与一相关设备有关。

4. 发明申请

WO2005038822A2 SOURCE A PLASMA DE RAYONS DIRIGES ET APPLICATION A LA MICROLITHOGRAPHIE 审中-公开
标题翻译：有向光束的等离子体源及其在显微研究中的应用
公开(公告)号：WO2005038822A2
公开(公告)日：2005-04-28
申请号：PCT/FR2004/002656
申请日：2004-10-18
申请人： EPPRA , CHOI, Peter
发明人： CHOI, Peter
IPC分类号： G21K1/06
CPC分类号： G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/06
摘要： L'invention concerne un procédé de génération dans une direction d'émission d'un rayonnement dans une gamme de longueurs d'onde désirées, ledit procédé comprenant La production d'un rayonnement initial par une source de rayonnement, dont les longueurs d'onde incluent ladite gamme désirée, Le filtrage dudit rayonnement initial, de manière à substantiellement éliminer les rayons du rayonnement initial dont la longueur d'onde est hors de ladite gamme désirée, caractérisé en ce que ledit filtrage est réalisé en instaurant une répartition contrôlée d'indice de réfraction des rayons dans une région de contrôle traversée par le rayonnement initial, de manière à dévier sélectivement les rayons du rayonnement initial en fonction de leur longueur d'onde et à récupérer les rayons de longueurs d'onde désirées. L'invention concerne également un dispositif associé.
摘要翻译：
本发明涉及一种方法用于在期望的波长范围内以发射方向产生辐射，所述去污方法是包括通过辐射源产生初始辐射，所述辐射源的波长包括所述期望的范围，以这样的方式过滤所述初始辐射基本上消除波长在所述期望范围之外的初始辐射的光线，这是特征; 因为所述过滤是以eacute进行的通过建立一个控制区域的射线的折射率控制通过初始辐射，以类似的方式作为其波长的函数来检测初始辐射的辐射恢复所需波长的波长。本发明还涉及一种相关设备。

5. 发明申请

WO2003046248A2 PROCEDE PERFECTIONNE DE REVETEMENT D'UN SUPPORT PAR UN MATERIAU 审中-公开
标题翻译：用材料涂覆支撑的改进方法
公开(公告)号：WO2003046248A2
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/FR2002/004087
申请日：2002-11-28
申请人： EPPRA , CHOI, Peter
发明人： CHOI, Peter
IPC分类号： C23C14/22
CPC分类号： C23C14/5833 , C23C14/22 , C23C14/5893 , C23C16/56
摘要： L'invention concerne un procédé de revêtement d'un support (10) comprenant un premier matériau par une couche de revêtement comportant un deuxième matériau, comportant au moins une phase (A, A') de dépôt d'une couche d'épaisseur donnée de matériau cohérent (11, 13) sur la surface du support lors de laquelle on utilise l'interaction entre une source d'ions et un plasma, caractérisé en ce que chaque phase (A, A') de dépôt de matériau est suivie d'une phase (B, B') d'exposition du support et de la couche de matériau (11, 13) déposée à une pulsation de durée limitée d'un bombardement d'ions de haute densité d'énergie de niveau de densité d'énergie choisi.
摘要翻译：本发明涉及一种用于涂覆支撑体（10）的方法，所述支撑体（10）包括具有包括第二材料的涂层的第一材料，所述涂层包括至少一个用于沉积给定厚度的粘结材料层（11， 13），其中使用离子源和等离子体之间的相互作用。本发明的特征在于，材料沉积的每相（A，A'）之后是用于将载体和沉积的材料层（11,13）暴露于有限持续时间的脉冲（B，B'）的具有高能量密度的选择的能量密度水平的离子轰击。

6. 发明申请

WO2005038822A3 PLASMA SOURCE OF DIRECTED BEAMS AND APPLICATION THEREOF TO MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：等离子体源的方向和应用于微观图
公开(公告)号：WO2005038822A3
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：PCT/FR2004002656
申请日：2004-10-18
申请人： EPPRA , CHOI PETER
发明人： CHOI PETER
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06 , H05G2/00
CPC分类号： G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/06
摘要： The invention relates to a method for generating radiation in a range of desired wavelengths in a direction of emission. According to said method, initial radiation is produced by a radiation source, the wavelengths thereof including said desired range, and said initial radiation is filtered in such a way as to substantially eliminate the initial radiation beams having a wavelength outside the desired range. The inventive method is characterised in that the filtering is carried out by setting up a controlled distribution of the refractive index of the beams in a control region through which the initial radiation passes, in such a way as to selectively deviate the beams of the initial radiation according to the wavelength thereof and to recover the beams having desired wavelengths. The invention also relates to an associated device.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在发射方向上产生所需波长范围内的辐射的方法。根据所述方法，通过辐射源产生初始辐射，其包括所述期望范围的波长和所述初始辐射以基本上消除具有在期望范围之外的波长的初始辐射束的方式被滤波。本发明的方法的特征在于，通过在初始辐射通过的控制区域中设置光束的折射率的受控分布来执行滤波，以便选择性地偏离初始辐射束根据其波长，并恢复具有所需波长的光束。本发明还涉及一种相关联的装置。

7. 发明申请

WO2003046248A3 PROCEDE PERFECTIONNE DE REVETEMENT D'UN SUPPORT 审中-公开
公开(公告)号：WO2003046248A3
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/FR2002/004087
申请日：2002-11-28
申请人： EPPRA , CHOI, Peter
发明人： CHOI, Peter
IPC分类号： C23C14/22
摘要： L'invention concerne un procédé de revêtement d'un support (10) comprenant un premier matériau par une couche de revêtement comportant un deuxième matériau, comportant au moins une phase (A, A') de dépôt d'une couche d'épaisseur donnée de matériau cohérent (11, 13) sur la surface du support lors de laquelle on utilise l'interaction entre une source d'ions et un plasma, caractérisé en ce que chaque phase (A, A') de dépôt de matériau est suivie d'une phase (B, B') d'exposition du support et de la couche de matériau (11, 13) déposée à une pulsation de durée limitée d'un bombardement d'ions de haute densité d'énergie de niveau de densité d'énergie choisi.

8. 发明专利

DE602004006525T2 未知
公开(公告)号：DE602004006525T2
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：DE602004006525
申请日：2004-10-18
申请人： EPPRA
发明人： CHOI PETER
IPC分类号： G21K1/06 , G03F7/20 , H05G2/00
摘要： The method involves producing an initial radiation with desired wavelength in the range of 0-100 nanometer, by a radiation source (211). The initial radiation is filtered by controlling distribution of refractive index of rays of the initial radiation in a control region (212), using a multilayer mirror, to selectively deviate the rays whose wavelengths are out of the desired range and to recover the rays with desired wavelengths. An independent claim is also included for a lithography device having an apparatus for generating a radiation in a transmission direction.

9. 发明专利

FR2832736A1 Coating of a support involves deposition from the interaction of a source of ions and a plasma, followed by exposure to a limited duration pulse of high density energy ion bombardment 未知
公开(公告)号：FR2832736A1
公开(公告)日：2003-05-30
申请号：FR0115366
申请日：2001-11-28
申请人： EPPRA
发明人： CHOI PETER
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/58 , C23C16/56 , C23C16/515 , C23C16/513
摘要： Coating of a support (10) incorporating a first material with a coating layer incorporating a second material includes at least one phase (A, A') of depositing a layer of a given thickness of material (11, 13) on the surface of the support utilizing the interaction between a source of ions and a plasma. Each phase of deposition of material is followed by a phase (B, B') of exposing the support and the layer of material deposited to a pulse of limited duration of chosen high density energy ion bombardment. The duration of the ion bombardment is less than a micro-second and preferably less than a hundred nanoseconds. The energy level of the bombarded ions is about 300-500 KeV.

10. 发明专利

FR2798551A1 未知
公开(公告)号：FR2798551A1
公开(公告)日：2001-03-16
申请号：FR9911469
申请日：1999-09-14
申请人： EPPRA
发明人： CHOI PETER
IPC分类号： G21K4/00 , A61B6/00 , A61B6/02 , G01N23/04 , G01T1/00 , G01T1/20 , G02B27/02 , H04N5/30 , H05G1/64
摘要： The invention concerns a radiology device comprising an X-ray source (11) for exposing a subject (S) to the radiation of said source, means (12) converting the X-rays into optical images for forming primary optical images, means (20) for transforming the primary optical images into secondary optical images, and means (40) for displaying the secondary images to a user. The invention is characterised in that the means forming secondary images comprise an optical chain including a succession, from the converter output towards the device output, an image enlarging assembly (22) directly exposed to the primary images of said converting means (12), an assembly (23) for optical intensification of the enlarged images and a photosensitive matrix sensor (25) for forming said secondary images.

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