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1. 发明公开

KR20090033247A AN APPARATUS OF CONTROLLING TEMPERATURE AND A METHOD OF CONTROLLING THE TEMPERATURE OF WAFER 审中-公开
标题翻译：一种控制温度的方法和一种控制波浪温度的方法
公开(公告)号：KR20090033247A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：KR20097001508
申请日：2009-01-23
申请人： BEIJING NMC CO LTD
发明人： LIU LIJIAN
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/00 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/6831
摘要： An apparatus of controlling temperature and a method of controlling the temperature of the wafer are provided, the apparatus comprises an electrostatic chuck (5) on which a wafer may be placed, a centric backside cooling gas passage (2) and an edge backside cooling gas passage (4) which are not communicated each other are disposed in the electrostatic chuck (5), the centric backside cooling gas passage (2) is contacted with the wafer tightly and sealed well, the edge surface of the edge backside cooling gas passage (4) which is contact with the wafer is rough, or one or plurity of leaking holes (11) of gas is/are disposed at the edge of electrostatic chuck, the cooling gas in the edge backside cooling gas passage (4) can be leaked along the roughness surface or the leaking holes (11), the centric backside cooling gas passage (2) is connected to the pressure controller (8), the edge backside cooling gas passage (4) is connected to the MFC. The apparatus can both vary the effect of heat dissipation at the edge of the wafer and control efficiently the tempreture of the wafer. The invention can be used mainly in the temperature controlling system of the semiconductor manufacturing process, it also can be used in other occasions, especially used in the etching apparatus.
摘要翻译：提供了一种控制温度的装置和一种控制晶片温度的方法，该装置包括一个可放置晶片的静电卡盘（5），一个中心后侧冷却气体通道（2）和一个边缘后侧冷却气体未彼此连通的通路（4）设置在静电卡盘（5）中，中心背侧冷却气体通路（2）与晶片紧密接触并密封，边缘后侧冷却气体通路与晶片接触的4）是粗糙的，或者在静电卡盘的边缘处设置有一个或多个气体泄漏孔（11），边缘后侧冷却气体通道（4）中的冷却气体可能会泄漏沿着粗糙表面或泄漏孔（11），中心后侧冷却气体通路（2）连接到压力控制器（8），边缘后侧冷却气体通道（4）连接到MFC。该装置既可以改变晶片边缘散热的影响，又能有效控制晶片的温度。本发明主要用于半导体制造工艺的温度控制系统，也可用于其他场合，特别是在蚀刻装置中使用。

2. 发明专利

JP6054873B2 トレイデバイスおよび結晶膜成長装置有权
标题翻译：盘装置和所述晶体膜生长装置
公开(公告)号：JP6054873B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2013541191
申请日：2011-09-20
申请人：北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司 , BEIJING NMC CO., LTD.
发明人：古村雄二 , ▲張▼建▲勇▼ , 徐▲亜▼▲偉▼ , ▲張▼秀川 , 周▲衛▼国 , 董志清
IPC分类号： C23C16/458 , C30B25/12 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/4583 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785 , H01L21/68792

3. 发明申请

WO2017071046A1 APPARATUS FOR SPUTTERING AND OPERATION METHOD THEREOF 审中-公开
标题翻译：用于溅射的装置及其操作方法
公开(公告)号：WO2017071046A1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：PCT/CN2015/098875
申请日：2015-12-25
申请人： BEIJING NMC CO., LTD.
发明人： YANG, Yujie
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0641 , C23C14/3414 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3429 , H01J37/3452 , H01J37/347 , H01L21/2855
摘要： A sputtering apparatus comprises a magnetron structure (11) configured to erode a target (15) according to a predetermined erosion rate profile (300) symmetric to a central axis (C1) of the magnetron structure (11), and the predetermined erosion rate profile(300) comprising a first peak rate (PR1) in proximity to the central axis (C1); and a second peak rate (PR2) located at about from 0.7 to 0.75 of a radius (TR1) of the target (15) from the central axis (C1). Also are provided another sputtering apparatus and a method of sputtering.
摘要翻译：溅射设备包括磁控管结构（11），该磁控管结构（11）被配置成根据与磁控管结构（11）的中心轴线（C 1）对称的预定侵蚀速率分布图（300）侵蚀靶（15）），并且所述预定侵蚀速率曲线（300）包括接近所述中心轴线（C1）的第一峰值速率（PR1）; 以及位于距所述中心轴（C1）的所述靶（15）的半径（TR1）的大约0.7至0.75处的第二峰值速率（PR2）。还提供了另一种溅射设备和溅射方法。

4. 发明专利

TW201742937A 形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法审中-公开
简体标题：形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法
公开(公告)号：TW201742937A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW105124057
申请日：2016-07-29
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD.
发明人：王軍 , WANG, JUN , 董博宇 , DONG, BOYU , 郭冰亮 , GUO, BINGLIANG , 耿玉潔 , GENG, YUJIE , 馬懷超 , MA, HUAICHAO
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/06
CPC分类号： C23C14/02
摘要：本發明揭示一種形成薄膜的方法以及形成氮化鋁薄膜的方法，利用於主濺射進行之前先進行兩次具有不同製程參數的預濺射，藉此達到穩定靶材狀況的效果。本發明之形成薄膜的方法可於基板上形成氮化鋁薄膜，而此氮化鋁薄膜可用於電子裝置中位於基板與氮化鎵層之間的緩衝層，藉此改善氮化鋁以及氮化鎵層的成膜品質並達到提升電子裝置效能之目的。
简体摘要：本发明揭示一种形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法，利用于主溅射进行之前雪铁龙行两次具有不同制程参数的预溅射，借此达到稳定靶材状况的效果。本发明之形成薄膜的方法可于基板上形成氮化铝薄膜，而此氮化铝薄膜可用于电子设备中位于基板与氮化镓层之间的缓冲层，借此改善氮化铝以及氮化镓层的成膜品质并达到提升电子设备性能之目的。

5. 发明专利

TW201713789A 加熱模組、物理氣相沉積腔室以及沉積設備审中-公开
简体标题：加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备
公开(公告)号：TW201713789A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105124053
申请日：2016-07-29
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD.
发明人：張軍 , CHANG, JUN , 徐寶崗 , HSU, PAOKANG , 趙晉榮 , ZHAO, JINRONG , 武學偉 , WU, XUEWEI , 董博宇 , DONG, BOYU
IPC分类号： C23C14/56 , H01L21/203 , H05B3/44
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C14/35 , C23C14/541 , F27D5/0037 , F27D2003/0065 , F27D2019/0003 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/68792 , H05B1/0233 , H05B3/0047
摘要：本發明揭示一種加熱模組、物理氣相沉積腔室及沉積設備。利用於物理氣相沉積腔室中設置加熱模組，加熱模組包括加熱燈管，加熱燈管經配置分佈以構成加熱區域，且加熱區域於投影方向上之投影覆蓋基板。加熱燈管包括加熱段及非加熱段，加熱段係對應加熱區域，且加熱段包括加熱絲。本發明提供的加熱模組、物理氣相沉積腔室以及沉積設備，既能滿足高溫物理氣相沉積製程對基板的快速升溫及快速降溫的要求，又可直接應用於真空環境或大氣環境內，應用範圍較大；而且，當其應用於真空環境中時，加熱燈管的熱量損失更少，從而可進一步提高加熱效率。
简体摘要：本发明揭示一种加热模块、物理气相沉积腔室及沉积设备。利用于物理气相沉积腔室中设置加热模块，加热模块包括加热灯管，加热灯管经配置分布以构成加热区域，且加热区域于投影方向上之投影覆盖基板。加热灯管包括加热段及非加热段，加热段系对应加热区域，且加热段包括加热丝。本发明提供的加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备，既能满足高温物理气相沉积制程对基板的快速升温及快速降温的要求，又可直接应用于真空环境或大气环境内，应用范围较大；而且，当其应用于真空环境中时，加热灯管的热量损失更少，从而可进一步提高加热效率。

6. 发明专利

TWI515790B 晶片蝕刻方法有权
简体标题：芯片蚀刻方法
公开(公告)号：TWI515790B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102143434
申请日：2013-11-28
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：符雅麗 , 王春 , 邢濤 , 楊盟
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065

7. 发明专利

TWI480405B 物理氣相沉積裝置有权
简体标题：物理气相沉积设备
公开(公告)号：TWI480405B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW102142958
申请日：2013-11-26
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：陳鵬 , 趙夢欣 , 丁培軍 , 王厚工 , 武學偉 , 劉建生 , 耿波 , 邱國慶 , 文莉輝
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3444

8. 发明专利

TW201506197A 反應腔和MOCVD裝置审中-公开
简体标题：反应腔和MOCVD设备
公开(公告)号：TW201506197A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW102145332
申请日：2013-12-10
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：塗冶
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C30B25/02 , C23C16/4584 , C30B25/08
摘要：本發明揭露了一種反應腔，該反應腔包括托盤裝置、支撐骨架和傳導單元，其中：該托盤裝置，包括多個小托盤和沿該反應腔的高度方向設置的多層大托盤，每層該大托盤在周向上都設置有多個該小托盤；該支撐骨架與該大托盤同軸設置；該傳導單元設置在該支撐骨架與該小托盤之間；當該支撐骨架或該托盤裝置繞該反應腔的縱向軸線轉動時，利用該傳導單元帶動該小托盤在該大托盤的徑向上環繞該小托盤自身的軸線按照預定的速度旋轉。本發明還提供一種包括該反應腔的MOCVD裝置。該反應腔結構簡單，降低了包括該反應腔的MOCVD裝置的總體成本。
简体摘要：本发明揭露了一种反应腔，该反应腔包括托盘设备、支撑骨架和传导单元，其中：该托盘设备，包括多个小托盘和沿该反应腔的高度方向设置的多层大托盘，每层该大托盘在周向上都设置有多个该小托盘；该支撑骨架与该大托盘同轴设置；该传导单元设置在该支撑骨架与该小托盘之间；当该支撑骨架或该托盘设备绕该反应腔的纵向轴线转动时，利用该传导单元带动该小托盘在该大托盘的径向上环绕该小托盘自身的轴线按照预定的速度旋转。本发明还提供一种包括该反应腔的MOCVD设备。该反应腔结构简单，降低了包括该反应腔的MOCVD设备的总体成本。

9. 发明专利

TW201505366A 射頻電源系統和利用射頻電源系統進行阻抗匹配的方法审中-公开
简体标题：射频电源系统和利用射频电源系统进行阻抗匹配的方法
公开(公告)号：TW201505366A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102145329
申请日：2013-12-10
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：張璐
IPC分类号： H03H7/38 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H03H7/40
摘要：本發明提供一種射頻電源系統，該射頻電源系統包括射頻電源、電連接在該射頻電源與電漿腔室之間的自動阻抗匹配器，其中，該射頻電源的頻率能夠在最小預定頻率和最大預定頻率之間調節，通過調節該射頻電源的頻率以及通過該自動阻抗匹配器調節匹配網路的輸入阻抗能夠使得匹配網路的輸入阻抗與該射頻電源的恒定輸出阻抗相等。本發明還提供一種利用射頻電源系統進行阻抗匹配的方法。利用本發明所提供的射頻電源系統可以在較短的時間內即可達到阻抗匹配。
简体摘要：本发明提供一种射频电源系统，该射频电源系统包括射频电源、电连接在该射频电源与等离子腔室之间的自动阻抗匹配器，其中，该射频电源的频率能够在最小预定频率和最大预定频率之间调节，通过调节该射频电源的频率以及通过该自动阻抗匹配器调节匹配网络的输入阻抗能够使得匹配网络的输入阻抗与该射频电源的恒定输出阻抗相等。本发明还提供一种利用射频电源系统进行阻抗匹配的方法。利用本发明所提供的射频电源系统可以在较短的时间内即可达到阻抗匹配。

10. 发明专利

TWI468637B 均熱板及應用該均熱板的基片處理設備有权
简体标题：均热板及应用该均热板的基片处理设备
公开(公告)号：TWI468637B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW100144284
申请日：2011-12-02
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：趙夢欣 , 劉旭 , 丁培軍 , 王厚工 , 夏威 , 文莉輝
IPC分类号： F28F3/02 , H01L21/324 , C23C14/02
CPC分类号： C23C16/46 , C23C14/02 , H01L21/67103

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