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1. 发明专利

TW201713789A 加熱模組、物理氣相沉積腔室以及沉積設備审中-公开
简体标题：加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备
公开(公告)号：TW201713789A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105124053
申请日：2016-07-29
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD.
发明人：張軍 , CHANG, JUN , 徐寶崗 , HSU, PAOKANG , 趙晉榮 , ZHAO, JINRONG , 武學偉 , WU, XUEWEI , 董博宇 , DONG, BOYU
IPC分类号： C23C14/56 , H01L21/203 , H05B3/44
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C14/35 , C23C14/541 , F27D5/0037 , F27D2003/0065 , F27D2019/0003 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/68792 , H05B1/0233 , H05B3/0047
摘要：本發明揭示一種加熱模組、物理氣相沉積腔室及沉積設備。利用於物理氣相沉積腔室中設置加熱模組，加熱模組包括加熱燈管，加熱燈管經配置分佈以構成加熱區域，且加熱區域於投影方向上之投影覆蓋基板。加熱燈管包括加熱段及非加熱段，加熱段係對應加熱區域，且加熱段包括加熱絲。本發明提供的加熱模組、物理氣相沉積腔室以及沉積設備，既能滿足高溫物理氣相沉積製程對基板的快速升溫及快速降溫的要求，又可直接應用於真空環境或大氣環境內，應用範圍較大；而且，當其應用於真空環境中時，加熱燈管的熱量損失更少，從而可進一步提高加熱效率。
简体摘要：本发明揭示一种加热模块、物理气相沉积腔室及沉积设备。利用于物理气相沉积腔室中设置加热模块，加热模块包括加热灯管，加热灯管经配置分布以构成加热区域，且加热区域于投影方向上之投影覆盖基板。加热灯管包括加热段及非加热段，加热段系对应加热区域，且加热段包括加热丝。本发明提供的加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备，既能满足高温物理气相沉积制程对基板的快速升温及快速降温的要求，又可直接应用于真空环境或大气环境内，应用范围较大；而且，当其应用于真空环境中时，加热灯管的热量损失更少，从而可进一步提高加热效率。

2. 发明专利

TWI480405B 物理氣相沉積裝置有权
简体标题：物理气相沉积设备
公开(公告)号：TWI480405B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW102142958
申请日：2013-11-26
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：陳鵬 , 趙夢欣 , 丁培軍 , 王厚工 , 武學偉 , 劉建生 , 耿波 , 邱國慶 , 文莉輝
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3444

3. 发明专利

TWI510655B 加熱腔室及電漿加工裝置有权
简体标题：加热腔室及等离子加工设备
公开(公告)号：TWI510655B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW102146393
申请日：2013-12-16
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：武學偉
IPC分类号： C23C14/02 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/68742 , H01L21/67115

4. 发明专利

TW201420796A 物理氣相沉積裝置审中-公开
简体标题：物理气相沉积设备
公开(公告)号：TW201420796A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102142958
申请日：2013-11-26
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：陳鵬 , 趙夢欣 , 丁培軍 , 王厚工 , 武學偉 , 劉建生 , 耿波 , 邱國慶 , 文莉輝
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3444
摘要：本發明提供一種物理氣相沉積裝置，包括：反應腔室；基片支撐部件，該基片支撐部件設置在該反應腔室的底部且與該濺射靶材相對；直流電源，該直流電源耦接於該濺射靶材；射頻電源，該射頻饋入部件耦接於該濺射靶材，該射頻饋入部件包括分配環和沿所述分配環的圓周方向間隔設置的複數分配條，該分配環與該射頻電源耦接，該分配環經由該等分配條耦接至該濺射靶材。根據本發明的物理氣相沉積裝置，其能降低在濺射靶材上產生的負偏壓，進而減小對基片或晶圓產生的損傷，同時顯著提高沉積速率，藉此提高製程效率。
简体摘要：本发明提供一种物理气相沉积设备，包括：反应腔室；基片支撑部件，该基片支撑部件设置在该反应腔室的底部且与该溅射靶材相对；直流电源，该直流电源耦接于该溅射靶材；射频电源，该射频馈入部件耦接于该溅射靶材，该射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的圆周方向间隔设置的复数分配条，该分配环与该射频电源耦接，该分配环经由该等分配条耦接至该溅射靶材。根据本发明的物理气相沉积设备，其能降低在溅射靶材上产生的负偏压，进而减小对基片或晶圆产生的损伤，同时显着提高沉积速率，借此提高制程效率。

5. 发明专利

TW201446984A 加熱腔室及電漿加工裝置审中-公开
简体标题：加热腔室及等离子加工设备
公开(公告)号：TW201446984A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102146393
申请日：2013-12-16
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：武學偉
IPC分类号： C23C14/02 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/68742 , H01L21/67115
摘要：本發明提供一種加熱腔室，在其頂部設置有加熱單元，在其內周壁上設置有傳片口，用以供被加工工件移入或移出。該加熱腔室還包括承載裝置，承載裝置包括升降單元和頂針裝置，其中，頂針裝置位於該加熱腔室內，其頂端用以支撐被加工工件；升降單元與頂針裝置固定連接，用於驅動頂針裝置上升或下降，以帶動頂針裝置的頂端自裝卸區上升至製程區，或者自製程區下降至裝卸區，該製程區的下邊緣位於該傳片口上邊緣的上方，該裝卸區的上邊緣對應於該傳片口的上邊緣。本發明還提供一種電漿加工裝置。本發明提供的加熱腔室和電漿加工裝置，可以均勻地加熱被加工工件，從而可以提高被加工工件的溫度均勻性，進而可以提高製程的品質。
简体摘要：本发明提供一种加热腔室，在其顶部设置有加热单元，在其内周壁上设置有传片口，用以供被加工工件移入或移出。该加热腔室还包括承载设备，承载设备包括升降单元和顶针设备，其中，顶针设备位于该加热腔室内，其顶端用以支撑被加工工件；升降单元与顶针设备固定连接，用于驱动顶针设备上升或下降，以带动顶针设备的顶端自装卸区上升至制程区，或者自制程区下降至装卸区，该制程区的下边缘位于该传片口上边缘的上方，该装卸区的上边缘对应于该传片口的上边缘。本发明还提供一种等离子加工设备。本发明提供的加热腔室和等离子加工设备，可以均匀地加热被加工工件，从而可以提高被加工工件的温度均匀性，进而可以提高制程的品质。

6. 发明专利

TWI450310B 磁控管、磁控管的製造方法及應用上述磁控管的物理沈積室有权
简体标题：磁控管、磁控管的制造方法及应用上述磁控管的物理沉积室
公开(公告)号：TWI450310B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW101111617
申请日：2012-04-02
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：李楊超 , 耿波 , 武學偉 , 邱國慶 , 劉旭
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/35

7. 发明专利

TWI569363B 承載裝置、反應腔室及半導體加工裝置有权
简体标题：承载设备、反应腔室及半导体加工设备
公开(公告)号：TWI569363B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW103146445
申请日：2014-12-31
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
发明人：武學偉
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： C23C14/50 , H01L21/203 , H01L21/687

8. 发明专利

TW201248677A 磁控管、磁控管的製造方法及應用上述磁控管的物理沈積室审中-公开
简体标题：磁控管、磁控管的制造方法及应用上述磁控管的物理沉积室
公开(公告)号：TW201248677A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101111617
申请日：2012-04-02
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
发明人：李楊超 , 耿波 , 武學偉 , 邱國慶 , 劉旭
IPC分类号： H01J , C23C
摘要：本發明提供一種磁控管、磁控管的製造方法及應用上述磁控管的物理沈積室。其中,本發明提供的磁控管包括可繞一靶材中心軸旋轉且極性方向相反的內磁極和外磁極,內磁極設置於外磁極的內部,在內、外磁極之間形成閉合曲線形的磁場軌道,由中心軸發射出去的任一角度的半徑與磁場軌道具有且僅有一次相交;磁控管繞中心軸旋轉過程中,上述磁場軌道使靶材表面任一單位面積所獲得的磁場掃描强度大致相等,從而有效提高靶材的利用率以及加工的均勻性。利用本發明所提供磁控管製造方法製造的磁控管以及本發明提供的物理沈積室同樣能夠有效提高靶材利用率及加工均勻性。
简体摘要：本发明提供一种磁控管、磁控管的制造方法及应用上述磁控管的物理沉积室。其中,本发明提供的磁控管包括可绕一靶材中心轴旋转且极性方向相反的内磁极和外磁极,内磁极设置于外磁极的内部,在内、外磁极之间形成闭合曲线形的磁场轨道,由中心轴发射出去的任一角度的半径与磁场轨道具有且仅有一次相交;磁控管绕中心轴旋转过程中,上述磁场轨道使靶材表面任一单位面积所获得的磁场扫描强度大致相等,从而有效提高靶材的利用率以及加工的均匀性。利用本发明所提供磁控管制造方法制造的磁控管以及本发明提供的物理沉积室同样能够有效提高靶材利用率及加工均匀性。

9. 发明专利

TWI557829B 一種腔室有权
简体标题：一种腔室
公开(公告)号：TWI557829B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW103142821
申请日：2014-12-09
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
发明人：武學偉
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , B08B7/0071 , H01L21/67126 , H01L21/6719

10. 发明专利

TW201545266A 承載裝置、反應腔室及半導體加工裝置审中-公开
简体标题：承载设备、反应腔室及半导体加工设备
公开(公告)号：TW201545266A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103146445
申请日：2014-12-31
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
发明人：武學偉
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： C23C14/50 , H01L21/203 , H01L21/687
摘要：本發明提供一種承載裝置、反應腔室及半導體加工裝置。該承載裝置中的壓片部的下表面具有均呈環形的第一貼合區和第一懸空區，第一懸空區環繞在壓環的環孔的週邊，第一貼合區環繞在第一懸空區的週邊；托盤上表面的邊緣區域具有均呈環形的第二貼合區和第二懸空區，第二貼合區處於托盤上表面的邊緣區域中的週邊，第二懸空區環繞在第二貼合區的內側；並且在製程位置時，第一貼合區與第二貼合區貼合，第一懸空區和第二懸空區在豎直方向上存在豎直間距。本發明提供的承載裝置、反應腔室及半導體加工裝置，不僅可以避免在壓環與托盤相互脫離時形成污染顆粒，而且還可以防止壓環損壞托盤，從而提高產品品質及良率，而且還可以降低裝置的使用成本。
简体摘要：本发明提供一种承载设备、反应腔室及半导体加工设备。该承载设备中的压片部的下表面具有均呈环形的第一贴合区和第一悬空区，第一悬空区环绕在压环的环孔的周边，第一贴合区环绕在第一悬空区的周边；托盘上表面的边缘区域具有均呈环形的第二贴合区和第二悬空区，第二贴合区处于托盘上表面的边缘区域中的周边，第二悬空区环绕在第二贴合区的内侧；并且在制程位置时，第一贴合区与第二贴合区贴合，第一悬空区和第二悬空区在竖直方向上存在竖直间距。本发明提供的承载设备、反应腔室及半导体加工设备，不仅可以避免在压环与托盘相互脱离时形成污染颗粒，而且还可以防止压环损坏托盘，从而提高产品品质及良率，而且还可以降低设备的使用成本。

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