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    • 7. 发明申请
    • 폴리실리콘 증착장치
    • 多晶硅沉积装置
    • WO2011087186A1
    • 2011-07-21
    • PCT/KR2010/002312
    • 2010-04-14
    • 주식회사 세미머티리얼즈박종훈박성은유호정이창래이근우
    • 박종훈박성은유호정이창래이근우
    • H01L21/205C23C16/24
    • C01B33/035C01B33/00
    • 본 발명은 폴리실리콘 증착장치에 관한 것으로, 반응가스가 투입되는 가스 투입구 및 외부로 가스를 배출하는 가스 배출구가 형성되는 반응기와, 반응기 내부에 설치되며 소정 거리만큼 이격되게 설치되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극부와, 전극부의 제 1 전극으로부터 전류를 입력받아 전극부의 제2 전극으로 전류를 통전시키면서 자체 발열하는 실리콘 코어 로드와, 반응기의 가스 투입구를 통해 투입되는 반응가스가 실리콘 코어 로드를 향하여 흐르도록 하는 복수개의 노즐과, 반응기의 가스 투입구와 연결되어 노즐로 가스를 공급하는 가스공급관을 포함하는 가스 분사부와, 가스 분사부의 가스공급관을 좌/우로 회전시키는 가스공급관 구동부를 포함한다.
    • 多晶硅沉积设备技术领域本发明涉及一种多晶硅沉积设备,其包括:反应器,其上形成用于喷射反应气体的气体入口和用于将气体排出到外部的气体出口; 电极单元,其安装在所述电抗器中,并且包括彼此隔开预定距离的第一电极和第二电极; 从电极单元的第一电极接收电流的硅芯棒使得电流能够流到电极单元的第二电极,并且独立地产生热量; 多个喷嘴,其使得能够通过反应器的气体入口喷射的反应气体朝向硅芯棒流动; 气体喷射单元,其包括气体供给管,其连接到所述反应器的气体入口并将气体供应到所述喷嘴; 以及气体供给管驱动单元,其将气体喷射单元的气体供给管向右侧和左侧旋转。
    • 8. 发明申请
    • 폴리 실리콘 증착장치
    • 多晶硅沉积设备
    • WO2010076973A2
    • 2010-07-08
    • PCT/KR2009/006972
    • 2009-11-25
    • 주식회사 세미머티리얼즈유호정박성은엄일수
    • 유호정박성은엄일수
    • H01L21/205C23C16/24
    • C23C16/24C01B33/035C23C14/0641C23C16/4418C23C16/45578
    • 본 발명에 따른 폴리 실리콘 증착장치는, 원료가스가 투입되는 가스 투입구와 외부로 가스를 배출하는 가스 배출구 및 발열물질이 투입되는 발열물질 투입구가 형성되는 반응기의 바닥에 설치되며 소정 거리만큼 이격되게 설치되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 전극부와, 전극부의 제1 전극으로부터 전류를 입력받아 전극부의 제2 전극으로 전류를 통전시키면서 자체 발열하는 실리콘 코어 로드부와, 실리콘 코어 로드부로부터 소정 간격만큼 떨어져 실리콘 코어 로드부를 둘러싸며 반응기의 발열물질 투입구를 통해 발열물질이 투입되는 발열체를 포함하는 실리콘 코어 로드 가열부와, 발열체와 실리콘 코어 로드부 사이에 설치되며 반응기의 가스 투입구를 통해 투입되는 원료가스를 상기 실리콘 코어 로드부로 공급하는 가스공급관, 및 가스공급관의 표면에 원료가스가 실리콘 코어 로드부를 향하여 흐르도록 형성되는 복수개의 노즐을 포함하는 가스 분사부를 포함한다.
    • 根据本发明的多晶硅沉积装置,所述原料气体是在气体入口的底部与反应器,其中所述加热材料入口是一个气体出口,并且被引入加热材料被形成为外部输入到排出气体 安装并用,其包括第一电极和被安装成隔开预定距离的电极部分上的第二电极,从所述电极和所述第一电极部分接收电流,同时使电流到所述第二电极的电极部的硅芯棒自加热单元 硅芯棒加热部分,其围绕硅芯棒部分与硅芯棒部分相距预定距离并且包括加热元件,加热材料通过加热材料入口被注入到加热元件中; 一种用于将通过反应器的气体入口引入的源气体供应到硅芯棒部分的气体供应管, 以及气体喷射部,其包括形成在气体供给管的表面上的多个喷嘴,使得原料气体流向硅芯棒部。