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1. 发明申请

WO2010076974A3 폴리 실리콘 증착장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2010076974A3
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：PCT/KR2009/006974
申请日：2009-11-25
申请人： 주식회사 세미머티리얼즈 , 유호정 , 박성은 , 엄일수
发明人： 유호정 , 박성은 , 엄일수
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/24
摘要： 본 발명에 따른 폴리 실리콘 증착장치는, 원료가스가 투입되는 가스 투입구 및 외부로 가스를 배출하는 가스 배출구가 형성되는 반응기의 바닥에 설치되며 소정 거리만큼 이격되게 설치되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 전극부와, 전극부의 제 1 전극으로부터 전류를 입력받아 전극부의 제2 전극으로 전류를 통전시키면서 자체 발열하는 실리콘 코어 로드부와, 실리콘 코어 로드부로부터 소정 간격만큼 떨어져 실리콘 코어 로드부를 둘러싸며 내부에 발열수단이 설치되는 발열체를 포함하는 실리콘 코어 로드 가열부, 및 반응기의 가스 투입구를 통해 발열체 내부에 투입되는 원료가스가 실리콘 코어 로드부를 향하여 흐르도록 발열체의 표면에 형성되는 가스 분사부를 포함한다.

2. 发明申请

WO2010076973A2 폴리 실리콘 증착장치 审中-公开
标题翻译：多晶硅沉积设备
公开(公告)号：WO2010076973A2
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：PCT/KR2009/006972
申请日：2009-11-25
申请人： 주식회사 세미머티리얼즈 , 유호정 , 박성은 , 엄일수
发明人： 유호정 , 박성은 , 엄일수
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/24
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C14/0641 , C23C16/4418 , C23C16/45578
摘要： 본 발명에 따른 폴리 실리콘 증착장치는, 원료가스가 투입되는 가스 투입구와 외부로 가스를 배출하는 가스 배출구 및 발열물질이 투입되는 발열물질 투입구가 형성되는 반응기의 바닥에 설치되며 소정 거리만큼 이격되게 설치되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 전극부와, 전극부의 제1 전극으로부터 전류를 입력받아 전극부의 제2 전극으로 전류를 통전시키면서 자체 발열하는 실리콘 코어 로드부와, 실리콘 코어 로드부로부터 소정 간격만큼 떨어져 실리콘 코어 로드부를 둘러싸며 반응기의 발열물질 투입구를 통해 발열물질이 투입되는 발열체를 포함하는 실리콘 코어 로드 가열부와, 발열체와 실리콘 코어 로드부 사이에 설치되며 반응기의 가스 투입구를 통해 투입되는 원료가스를 상기 실리콘 코어 로드부로 공급하는 가스공급관, 및 가스공급관의 표면에 원료가스가 실리콘 코어 로드부를 향하여 흐르도록 형성되는 복수개의 노즐을 포함하는 가스 분사부를 포함한다.
摘要翻译：
根据本发明的多晶硅沉积装置，所述原料气体是在气体入口的底部与反应器，其中所述加热材料入口是一个气体出口，并且被引入加热材料被形成为外部输入到排出气体安装并用，其包括第一电极和被安装成隔开预定距离的电极部分上的第二电极，从所述电极和所述第一电极部分接收电流，同时使电流到所述第二电极的电极部的硅芯棒自加热单元硅芯棒加热部分，其围绕硅芯棒部分与硅芯棒部分相距预定距离并且包括加热元件，加热材料通过加热材料入口被注入到加热元件中; 一种用于将通过反应器的气体入口引入的源气体供应到硅芯棒部分的气体供应管，以及气体喷射部，其包括形成在气体供给管的表面上的多个喷嘴，使得原料气体流向硅芯棒部。

3. 发明申请

WO2011087186A1 폴리실리콘 증착장치 审中-公开
标题翻译：多晶硅沉积装置
公开(公告)号：WO2011087186A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/KR2010/002312
申请日：2010-04-14
申请人： 주식회사 세미머티리얼즈 , 박종훈 , 박성은 , 유호정 , 이창래 , 이근우
发明人： 박종훈 , 박성은 , 유호정 , 이창래 , 이근우
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/24
CPC分类号： C01B33/035 , C01B33/00
摘要： 본 발명은 폴리실리콘 증착장치에 관한 것으로, 반응가스가 투입되는 가스 투입구 및 외부로 가스를 배출하는 가스 배출구가 형성되는 반응기와, 반응기 내부에 설치되며 소정 거리만큼 이격되게 설치되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극부와, 전극부의 제 1 전극으로부터 전류를 입력받아 전극부의 제2 전극으로 전류를 통전시키면서 자체 발열하는 실리콘 코어 로드와, 반응기의 가스 투입구를 통해 투입되는 반응가스가 실리콘 코어 로드를 향하여 흐르도록 하는 복수개의 노즐과, 반응기의 가스 투입구와 연결되어 노즐로 가스를 공급하는 가스공급관을 포함하는 가스 분사부와, 가스 분사부의 가스공급관을 좌/우로 회전시키는 가스공급관 구동부를 포함한다.
摘要翻译：多晶硅沉积设备技术领域本发明涉及一种多晶硅沉积设备，其包括：反应器，其上形成用于喷射反应气体的气体入口和用于将气体排出到外部的气体出口; 电极单元，其安装在所述电抗器中，并且包括彼此隔开预定距离的第一电极和第二电极; 从电极单元的第一电极接收电流的硅芯棒使得电流能够流到电极单元的第二电极，并且独立地产生热量; 多个喷嘴，其使得能够通过反应器的气体入口喷射的反应气体朝向硅芯棒流动; 气体喷射单元，其包括气体供给管，其连接到所述反应器的气体入口并将气体供应到所述喷嘴; 以及气体供给管驱动单元，其将气体喷射单元的气体供给管向右侧和左侧旋转。

4. 发明申请

WO2011037393A2 실리콘 잉곳 제조장치 审中-公开
标题翻译：制造硅胶的装置
公开(公告)号：WO2011037393A2
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/KR2010/006473
申请日：2010-09-20
申请人： 주식회사 세미머티리얼즈 , 이근택 , 박성은 , 박종훈
发明人： 이근택 , 박성은 , 박종훈
IPC分类号： C30B21/02
CPC分类号： C30B28/06 , C30B11/003 , C30B29/06
摘要： 본 발명은 실리콘 잉곳 제조장치에 관한 것으로, 챔버와, 챔버 내에 설치되는 도가니와, 도가니를 발열시키는 발열부와, 도가니가 올려지는 도가니 탑재부와, 도가니 탑재부 아래에 형성되는 적어도 2개 이상의 수냉로드군을 포함하되, 적어도 2개 이상의 수냉로드군은 도가니 탑재부 중심으로부터 외측으로 서로 이격되게 설치되며 서로 다른 물 공급관이 연결되는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造硅锭的设备，包括：腔室; 坩埚安装在室内; 用于加热坩埚的加热单元; 坩埚安装单元，其上放置有坩埚; 以及布置在所述坩埚安装单元下方的至少两个或更多个水冷棒组，其中所述至少两个或更多个水冷棒组彼此围绕所述坩埚安装单元间隔开并连接到相应的供水管。

5. 发明申请

WO2011043550A2 실리콘 잉곳 제조장치에 사용되는 냉각 제어 시스템 및 수냉로드 审中-公开
标题翻译：在硅锭制造设备中使用的冷却控制系统和水冷负载
公开(公告)号：WO2011043550A2
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/KR2010/006495
申请日：2010-09-20
申请人： 주식회사 세미머티리얼즈 , 이근택 , 박성은 , 박종훈
发明人： 이근택 , 박성은 , 박종훈
IPC分类号： C30B21/02
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06
摘要： 본 발명은 실리콘 잉곳 제조장치에 사용되는 냉각 제어 시스템 및 수냉로드에 관한 것으로, 본 발명의 냉각 제어 시스템은 도가니 탑재부 하부면의 중심으로부터 외측 방향으로 서로 이격되게 설치되는 적어도 2개의 수냉로드군과, 수냉로드군에 물 공급관을 통해 냉각수를 공급하는 냉각수 공급부와, 냉각수 공급부와 수냉로드군 사이에 연결된 물 공급관을 개폐시키는 밸브와, 제1, 제2 열감지부에서 감지된 발열온도에 따라 밸브의 개폐동작을 제어하는 밸브 제어기를 포함한다.
摘要翻译：
本发明涉及一种冷却控制系统和在该硅锭的制造装置中使用的水冷却负载，本发明的冷却控制系统被安装成在从坩埚的中心向外的方向上彼此间隔开安装的下表面冷却水供应单元，用于通过供水管向所述水冷杆组供应冷却水;阀，用于打开和关闭连接在所述冷却水供应单元和所述水冷杆组之间的供水管; 以及阀控制器，用于根据产生的发热温度来控制阀的打开和关闭操作。

6. 发明申请

WO2011099676A1 박막증착장치 审中-公开
标题翻译：薄膜沉积装置
公开(公告)号：WO2011099676A1
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：PCT/KR2010/002566
申请日：2010-04-23
申请人： 주식회사 세미머티리얼즈 , 박종훈 , 박성은 , 이근택 , 이근우
发明人： 박종훈 , 박성은 , 이근택 , 이근우
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/30
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/4584 , C23C16/4585
摘要： 본 발명에 따른 박막증착장치는 화학기상증착(CVD)용 반응기 내부에 설치되어 증착대상물 표면에 박막을 증착하는 것으로, 증착대상물을 지지하는 지지부와, 지지부를 좌/우로 회전시키는 구동부와, 증착대상물을 가열시키는 발열부와, 반응기 외부에서 유입되는 반응가스를 증착대상물에 공급하는 가스 공급관과 가스 공급관에 형성되는 노즐을 포함하는 반응가스 공급부와, 반응가스 공급부와 마주보도록 장착되며 반응기 외부로 가스를 배출하는 가스 배출부를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜沉积装置，其被配置为安装在化学气相沉积（CVD）反应器中，用于在目标物体的表面上沉积薄膜。薄膜沉积设备包括：支撑件，其被配置为支撑目标物体; 驱动单元，其构造成在左右方向上旋转支撑件; 被配置为加热所述目标物体的加热器; 反应气体供给单元，其包括从反应器的外部区域向目标物体供给反应气体的气体供给管和形成在所述气体供给管上的喷嘴; 以及气体放电单元，安装在与反应气体供给单元相对的位置，以将反应气体排出到外部。

7. 发明申请

WO2012157908A3 기판의 텍스처링 조성물 및 이를 이용하는 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2012157908A3
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/KR2012/003731
申请日：2012-05-11
申请人： 주식회사 엘지생활건강 , 송방주 , 박성은 , 정국인 , 장석윤 , 박지웅
发明人： 송방주 , 박성은 , 정국인 , 장석윤 , 박지웅
IPC分类号： C09K13/02 , C11D7/06 , C11D7/36 , C23F1/32
摘要： 본 발명은 기판의 텍스처링 조성물에 관한 것으로서, 휘발성이 낮고 장시간 사용에도 농도의 변화가 적어 고품질의 요철 구조를 기판에 형성할 수 있어, 이러한 기판을 사용하여 광변화 효율이 높은 태양 전지를 제조할 수 있다.

8. 发明申请

WO2012020964A2 내부식성 태양전지 모듈 审中-公开
标题翻译：耐腐蚀光伏模块
公开(公告)号：WO2012020964A2
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/KR2011/005784
申请日：2011-08-09
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 김동환 , 탁성주 , 강민구 , 박성은
发明人： 김동환 , 탁성주 , 강민구 , 박성은
IPC分类号： H01L31/05
CPC分类号： H01L31/022425 , C23F13/20 , H01L31/0201 , H01L31/0512 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 태양전지 모듈에서 태양전지 셀과 셀 사이를 연결하는 인터커넥터 리본과, 태양전지 셀 사이의 연결부위의 부식을 방지하기 위해, 인터커넥터 리본 상에 방식용 양극으로서 희생금속을 부착한 것을 특징으로 하는 내부식성 태양전지 모듈에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 외부환경에 의한 인터커넥터 리본의 부식을 방지함으로써 리본과 셀 간의 연결부위의 직렬저항 증가를 방지하고 발전 효율의 열화를 현저하게 저감시킬 수 있는 효과가 있다. 아울러, 태양전지 모듈의 수명을 연장시킬 수 있는 장점이 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种耐腐蚀光伏组件，其特征在于，连接光伏电池的连接器带和光伏电池之间的空间以及用于阴极保护的阳极的牺牲金属连接到互连器带上以防止连接的腐蚀光伏电池之间的一部分。本发明可以防止带状和电池之间的连接部分处的串联电阻的增加，并且可以通过防止由于外部环境导致的互连器带的腐蚀而显着降低发电效率的劣化。此外，光伏组件的寿命可以延长。

9. 外观设计

KR3008908300000S 有权
公开(公告)号：KR3008908300000S
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR3020160032385
申请日：2016-07-04
申请人： 박성은
设计人： 박성은

10. 外观设计

KR3008908290000S 有权
公开(公告)号：KR3008908290000S
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR3020160032384
申请日：2016-07-04
申请人： 박성은
设计人： 박성은

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