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1. 发明专利

TWI315020B 液晶顯示裝置 LIQUID CRYSTAL DISPLAY 有权
简体标题：液晶显示设备 LIQUID CRYSTAL DISPLAY
公开(公告)号：TWI315020B
公开(公告)日：2009-09-21
申请号：TW096144267
申请日：2001-08-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：柳川和彥 , 岩壁靖 , 仲吉良彰 , 小林節郎 SETSUO KOBAYASHI , 近藤克己 KONDO, KATSUMI , 倉橋永年
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/134363 , G02F1/1345 , G02F1/13452 , G09G3/3648
摘要：一種液晶顯示裝置,其特徵在於:
在經由液晶而被對向配置之各基板中,在其中一個基板的液晶側的面具有配線層,被覆該配線層而由SiN所構成的第1絕緣膜(GI),被形成在該第1絕緣膜(GI)上,而由密度較該第1絕緣膜(GI)為低的SiN所構成的第2絕緣膜保護膜(PSV1),以及被形成在該第2絕緣膜保護膜(PSV1)上,而由有機材料所構成的第3絕緣膜保護膜(PSV2),而從該第3絕緣膜保護膜(PSV2)開始到第1絕緣膜(GI)為止,形成讓上述配線層的一部分露出的貫通孔,而在該貫通孔內之上述第1絕緣膜(GI)與第2絕緣膜保護膜(PSV1)的側壁則形成SiO2膜。
简体摘要：一种液晶显示设备,其特征在于: 在经由液晶而被对向配置之各基板中,在其中一个基板的液晶侧的面具有配线层,被覆该配线层而由SiN所构成的第1绝缘膜(GI),被形成在该第1绝缘膜(GI)上,而由密度较该第1绝缘膜(GI)为低的SiN所构成的第2绝缘膜保护膜(PSV1),以及被形成在该第2绝缘膜保护膜(PSV1)上,而由有机材料所构成的第3绝缘膜保护膜(PSV2),而从该第3绝缘膜保护膜(PSV2)开始到第1绝缘膜(GI)为止,形成让上述配线层的一部分露出的贯通孔,而在该贯通孔内之上述第1绝缘膜(GI)与第2绝缘膜保护膜(PSV1)的侧壁则形成SiO2膜。

2. 发明专利

TWI314132B 昇降機控制裝置失效
简体标题：升降机控制设备
公开(公告)号：TWI314132B
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW096102497
申请日：2007-01-23
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. , 日立大樓系統股份有限公司 HITACHI BUILDING SYSTEMS CO., LTD. , 日立水戶工程技術股份有限公司 HITACHI MITO ENGINEERING CO., LTD.
发明人：杉山洋平 SUGIYAMA, YOHEI , 山下健一 YAMASHITA, KENICHI , 會田敬一 AIDA, KEIICHI , 高橋裕智 TAKAHASHI, YASUNORI , 岸川孝生 KISHIKAWA, TAKAO , 藤野篤哉 FUJINO, ATSUYA , 川西清司 KAWANISHI, SEIJI , 中村元美 NAKAMURA, MOTOYOSHI
IPC分类号： B66B
摘要：課題
在地震時實施自動診斷運轉之際,抑制配重與昇降廂接觸而損傷昇降廂或配重的情形。
解決手段
具備:在感測到所定値以上的搖動大小時停止運轉昇降機的手段,及在成為停止運轉時自動地進行診斷運轉,由停止運轉修復的手段,又具備:檢測昇降廂與配重的位置的位置檢測手段,及在上述昇降廂與配重的位置之距離為所定値以下時輸出減速指令的速度控制手段。
效果
當昇降廂與配重接近,則昇降廂與配重被減速之故,因而可抑制昇降廂與配重接觸時的損傷。
简体摘要：课题在地震时实施自动诊断运转之际,抑制配重与升降厢接触而损伤升降厢或配重的情形。解决手段具备:在传感到所定値以上的摇动大小时停止运转升降机的手段,及在成为停止运转时自动地进行诊断运转,由停止运转修复的手段,又具备:检测升降厢与配重的位置的位置检测手段,及在上述升降厢与配重的位置之距离为所定値以下时输出减速指令的速度控制手段。效果当升降厢与配重接近,则升降厢与配重被减速之故,因而可抑制升降厢与配重接触时的损伤。

3. 发明专利

TWI313556B 加密通訊系統及方法失效
简体标题：加密通信系统及方法
公开(公告)号：TWI313556B
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：TW095106411
申请日：2006-02-24
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：高田治 TAKADA, OSAMU , 藤城孝宏 FUJISHIRO, TAKAHIRO , 鍛忠司 KAJI, TADASHI , 星野和義 HOSHINO, KAZUYOSHI
IPC分类号： H04L
CPC分类号： H04L9/14 , H04L9/083 , H04L9/0861 , H04L9/0891 , H04L9/3247 , H04L9/3268 , H04L63/065
摘要： [課題]即使在有複數加密演算法存在時仍可實現通訊終端間之加密通訊,且不會增加各通訊終端上的處理負擔,實現長時間且安全的加密通訊。
[解決手段]金鑰管理伺服器1,係對每台通訊終端3,管理著可在該當通訊終端3上利用之加密演算法。又,金鑰管理伺服器1,係檢索在進行加密通訊之通訊終端3間所共通之加密演算法,並對進行該加密通訊之各台通訊終端3,將檢索到之加密演算法,連同含有該加密演算法中所使用之金鑰或用來生成該當金鑰之金鑰種子的複數金鑰生成資訊,一併加以通知。另一方面,進行該加密通訊之各台通訊終端3,係將從管理伺服器1所通知過來的複數金鑰生成資訊加以依序切換,藉由從管理伺服器1所通知過來之加密演算法,來和通訊對象進行加密通訊。
简体摘要： [课题]即使在有复数加密算法存在时仍可实现通信终端间之加密通信,且不会增加各通信终端上的处理负担,实现长时间且安全的加密通信。 [解决手段]密钥管理服务器1,系对每台通信终端3,管理着可在该当通信终端3上利用之加密算法。又,密钥管理服务器1,系检索在进行加密通信之通信终端3间所共通之加密算法,并对进行该加密通信之各台通信终端3,将检索到之加密算法,连同含有该加密算法中所使用之密钥或用来生成该当密钥之密钥种子的复数密钥生成信息,一并加以通知。另一方面,进行该加密通信之各台通信终端3,系将从管理服务器1所通知过来的复数密钥生成信息加以依序切换,借由从管理服务器1所通知过来之加密算法,来和通信对象进行加密通信。

4. 发明专利

TWI312953B 利用附有記載內容竄改防止功能之電子筆之文書寫入系統失效
简体标题：利用附有记载内容窜改防止功能之电子笔之文书写入系统
公开(公告)号：TWI312953B
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW092136574
申请日：2003-12-23
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：酒裕 SAKO, HIROSHI , 古川直廣 FURUKAWA, NAOHIRO , 池田尚司 IKEDA, HISASHI , 加藤陽介 KATO, YOSUKE
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F3/03545 , G06F3/0321 , G06F3/0383 , G06F2203/0337
摘要：本發明之課題係針對利用附有記載內容竄改防止機能之電子筆之文書寫入系統,消除初期使用電子筆寫入電子處理用紙之電子資訊被故意或意外重寫之可能性。
本發明之解決手段係配設在已寫入之電子處理用紙內之想要禁止追記及修正之區域上印刷新微細圖案之手段。其原理上,係利用此印刷在原本存在於電子處理用紙上之點圖案上追加微細圖案,而實現無法以電子筆施資訊輸入。
简体摘要：本发明之课题系针对利用附有记载内容窜改防止机能之电子笔之文书写入系统,消除初期使用电子笔写入电子处理用纸之电子信息被故意或意外重写之可能性。本发明之解决手段系配设在已写入之电子处理用纸内之想要禁止追记及修正之区域上印刷新微细图案之手段。其原理上,系利用此印刷在原本存在于电子处理用纸上之点图案上追加微细图案,而实现无法以电子笔施信息输入。

5. 发明专利

TW200931493A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW200931493A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097129526
申请日：2008-08-04
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：神藤英彥 KANDOU, HIDEHIKO , 間功 SAKAMA, ISAO
IPC分类号： H01L , G06K
CPC分类号： H01L22/34 , H01L2924/3011
摘要：本發明係一種由具有複數形成於晶圓上之複數個資訊區塊的晶片(10)所形成的半導體裝置之製造方法。其係以固定圖案法將專一賦予包含於分割晶圓之區域的1曝光照射內之晶片(10)的各個之資訊位元寫入此晶片(10)的晶片識別區塊。而且,以光罩位移法將專一賦予晶圓內的每一曝光照射之資訊位元寫入。進而,以光罩位移法及光罩組合法將專一賦予每一晶圓之資訊位元寫入形成於此晶圓之晶片(10)的晶圓識別區塊。
简体摘要：本发明系一种由具有复数形成于晶圆上之复数个信息区块的芯片(10)所形成的半导体设备之制造方法。其系以固定图案法将专一赋予包含于分割晶圆之区域的1曝光照射内之芯片(10)的各个之信息比特写入此芯片(10)的芯片识别区块。而且,以光罩位移法将专一赋予晶圆内的每一曝光照射之信息比特写入。进而,以光罩位移法及光罩组合法将专一赋予每一晶圆之信息比特写入形成于此晶圆之芯片(10)的晶圆识别区块。

6. 发明专利

TW200926005A RFID(射頻辨識資訊)標籤失效
简体标题： RFID(射频辨识信息)标签
公开(公告)号：TW200926005A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097129874
申请日：2008-08-06
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人： 間功 SAKAMA, ISAO , 艗慎平 HESAKI, SHIMPEI , 工藤伸弘 KUDO, NOBUHIRO
IPC分类号： G06K , G11B
CPC分类号： G11B20/00086 , G06K19/04 , G06K19/045 , G11B20/00876 , G11B23/0042
摘要：本發明之課題為提供:降低基於安裝RFID標籤所導致的光碟媒體的偏重心,且與媒體光碟的構造無關,可以獲得穩定的通訊特性之RFID標籤。本發明之解決手段為:一種構裝有以非接觸方式能夠接收外部的資訊之IC晶片的RFID晶片,前述RFID晶片之特徵為:以構裝有前述IC晶片的天線本身的重心軸為標籤中心、及控制天線寬,即控制天線的重心軸的位置來補正偏重心。另外,本發明的RFID標籤,係構裝有以非接觸方式能夠接收外部的資訊之IC晶片的RFID晶片,其特徵為:IC晶片係被安裝於第1天線長與第2天線長為不同的位置。
简体摘要：本发明之课题为提供:降低基于安装RFID标签所导致的光盘媒体的偏重心,且与媒体光盘的构造无关,可以获得稳定的通信特性之RFID标签。本发明之解决手段为:一种构装有以非接触方式能够接收外部的信息之IC芯片的RFID芯片,前述RFID芯片之特征为:以构装有前述IC芯片的天线本身的重心轴为标签中心、及控制天线宽,即控制天线的重心轴的位置来补正偏重心。另外,本发明的RFID标签,系构装有以非接触方式能够接收外部的信息之IC芯片的RFID芯片,其特征为:IC芯片系被安装于第1天线长与第2天线长为不同的位置。

7. 发明专利

TWI310701B 觸媒構造體及具備觸媒之排氣處理系統失效
简体标题：触媒构造体及具备触媒之排气处理系统
公开(公告)号：TWI310701B
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：TW095100078
申请日：2006-01-02
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：岩崎富生 IWASAKI, TOMIO
IPC分类号： B01J , B01D
CPC分类号： B01J37/347 , B01D53/945 , B01J21/185 , B01J27/22 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J37/0217 , B01J37/0225 , B01J37/0238 , B82Y30/00 , Y02T10/22
摘要： [課題]
提供高觸媒活性之觸媒構造。又,提供高機能之排氣處理系統。
[解決手段]
具備擔體、和被形成在前記擔體上的觸媒粒子;令構成前記擔體之材料之晶格常數與構成前記觸媒粒子之材料之晶格常數的差,為16%以下。又或,較佳之構成係為1%以上。
简体摘要： [课题] 提供高触媒活性之触媒构造。又,提供高机能之排气处理系统。 [解决手段] 具备担体、和被形成在前记担体上的触媒粒子;令构成前记担体之材料之晶格常数与构成前记触媒粒子之材料之晶格常数的差,为16%以下。又或,较佳之构成系为1%以上。

8. 发明专利

TWI310554B 磁性記憶體裝置及其寫入方法 MAGNETIC MEMORY DEVICE AND THE WRITING METHOD THEREOF 失效
简体标题：磁性内存设备及其写入方法 MAGNETIC MEMORY DEVICE AND THE WRITING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI310554B
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW095138396
申请日：2006-10-18
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：伊藤顯知 ITO, KENCHI , 高橋宏昌 TAKAHASHI, HIROMASA , 河原尊之 KAWAHARA, TAKAYUKI , 竹村理一郎 TAKEMURA, RIICHIRO
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/15
摘要：一種磁性記憶體裝置,包含:具有鐵磁自由層的磁性穿隧接面(MTJ),並且顯現出較高電阻之第一狀態和較低電阻之第二狀態。為了寫入磁性記憶體裝置,將電流IMTJ(125)驅動經過MTJ。就第一持續期間而言,電流等於DC臨界電流,該DC臨界電流是在第一狀態和第二狀態之間轉換多層結構所需的DC電流。此在自由層中感生C形磁疇結構。就第二持續期間而言,電流IMTJ大於DC臨界電流。此造成MTJ轉換狀態。造成轉換所需的電流低於使用均一電流脈衝所需的電流(127)。
简体摘要：一种磁性内存设备,包含:具有铁磁自由层的磁性穿隧接面(MTJ),并且显现出较高电阻之第一状态和较低电阻之第二状态。为了写入磁性内存设备,将电流IMTJ(125)驱动经过MTJ。就第一持续期间而言,电流等于DC临界电流,该DC临界电流是在第一状态和第二状态之间转换多层结构所需的DC电流。此在自由层中感生C形磁畴结构。就第二持续期间而言,电流IMTJ大于DC临界电流。此造成MTJ转换状态。造成转换所需的电流低于使用均一电流脉冲所需的电流(127)。

9. 发明专利

TW200924381A 電壓驅動型半導體元件之驅動電路及反相裝置失效
简体标题：电压驱动型半导体组件之驱动电路及反相设备
公开(公告)号：TW200924381A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097123926
申请日：2008-06-26
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：橋本貴之 HASHIMOTO, TAKAYUKI , 平尾高志 HIRAO, TAKASHI , 白石正樹 SHIRAISHI, MASAKI
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H02M3/07 , H02M1/08 , H02M7/5387 , H02M2003/071
摘要：【課題】半導體元件,為了防止誤啓動,在斷路時,係有必要將閘極設為負電位狀態,而在驅動電路中,負電壓之電源係成為必要。【解決手段】在本發明中,於驅動半導體元件之驅動電路中,具備有:第1開關,係被連接於直流電源之正側;和第2開關,係被連接於第1開關之另一端子,且被連接於直流電源之負側;和第3開關,係被連接於直流電源之正側;和第4開關,係被連接於第3開關之另一端子;和第5開關,係被連接於第4開關之另一端子,且被連接於直流電源之負側;和電容器,係被連接於第1開關之另外一端與第4開關之另外一端,半導體元件之閘極,係被連接於第3開關之另外一端,而半導體元件之源極,係被連接於直流電源之負側。【效果】成為能夠僅使用正電壓之電源,來對半導體元件之閘極施加負電壓。
简体摘要：【课题】半导体组件,为了防止误启动,在断路时,系有必要将闸极设为负电位状态,而在驱动电路中,负电压之电源系成为必要。【解决手段】在本发明中,于驱动半导体组件之驱动电路中,具备有:第1开关,系被连接于直流电源之正侧;和第2开关,系被连接于第1开关之另一端子,且被连接于直流电源之负侧;和第3开关,系被连接于直流电源之正侧;和第4开关,系被连接于第3开关之另一端子;和第5开关,系被连接于第4开关之另一端子,且被连接于直流电源之负侧;和电容器,系被连接于第1开关之另外一端与第4开关之另外一端,半导体组件之闸极,系被连接于第3开关之另外一端,而半导体组件之源极,系被连接于直流电源之负侧。【效果】成为能够仅使用正电压之电源,来对半导体组件之闸极施加负电压。

10. 发明专利

TWI310297B 電子機器裝置有权
简体标题：电子机器设备
公开(公告)号：TWI310297B
公开(公告)日：2009-05-21
申请号：TW091116174
申请日：2002-07-19
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：近藤義廣 KONDO, YOSHIHIRO , 松下伸二 MATSUSHITA, SHINJI , 大橋繁男 OHASHI, SHIGEO , 長繩尚 NAGANAWA, TAKASHI , 南谷林太郎 MINAMITANI, RINTARO , 中川毅 NAKAGAWA, TSUYOSHI , 吉富雄二 YOSHITOMI, YUJI , 中西正人 NAKANISHI, MASATO , 加藤宗
IPC分类号： H05K
CPC分类号： G06F1/203 , G06F2200/201 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】
提供對伴隨著可移動的電子裝置的處理性能提高的發熱元件的發熱量增大,可穩定地供給液循環的水冷構造。
【解決手段】
將冷卻水由水冷系統的槽流出的側的配管延伸到槽的中心位置而安裝。再者,將如間隔此冷卻水流出的配管入口部附近的板配設於兩片槽。在對此槽的冷卻水注入使用具有槽接合部的冷卻水注入治具。
简体摘要：【课题】提供对伴随着可移动的电子设备的处理性能提高的发热组件的发热量增大,可稳定地供给液循环的水冷构造。【解决手段】将冷却水由水冷系统的槽流出的侧的配管延伸到槽的中心位置而安装。再者,将如间隔此冷却水流出的配管入口部附近的板配设于两片槽。在对此槽的冷却水注入使用具有槽接合部的冷却水注入治具。

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