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1. 发明专利

TWI308759B 積體電路之一次可程式化記憶體的程式化方法有权
简体标题：集成电路之一次可进程化内存的进程化方法
公开(公告)号：TWI308759B
公开(公告)日：2009-04-11
申请号：TW095127152
申请日：2006-07-25
申请人：富晶電子股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION.
发明人：趙伯寅 CHAO, PO-YIN , 袁國元 YUAN, KUO-YUAN , 林祥民 LIN, HSIANG-MIN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/18 , G11C2216/26
摘要：本發明公開了積體電路一次可程式化記憶體的程式化方法,系統記憶體能夠以兩種寫入模式,分別寫入指令集或標準參數,使積體電路的內部結構簡化;且標準參數寫入於系統記憶體內,充分利用了系統記憶體的有效空間;使積體電路廠商無需針對不同應用提前寫入各種校正參數;積體電路廠商可以藉以提高生產效率,降低生產成本。本發明的測量電路不需要額外外接存儲元件,節省最終系統產品的元件,降低最終的電子測量裝置的成本。由於本發明提供的測量電路具有自我燒錄校正參數的功能,可在最終系統產品製造完成後,直接進行自我校正,使其校正程式簡化,對於應用廠商或積體電路廠商均可以藉以降低生產成本。
简体摘要：本发明公开了集成电路一次可进程化内存的进程化方法,系统内存能够以两种写入模式,分别写入指令集或标准参数,使集成电路的内部结构简化;且标准参数写入于系统内存内,充分利用了系统内存的有效空间;使集成电路厂商无需针对不同应用提前写入各种校正参数;集成电路厂商可以借以提高生产效率,降低生产成本。本发明的测量电路不需要额外外置存储组件,节省最终系统产品的组件,降低最终的电子测量设备的成本。由于本发明提供的测量电路具有自我刻录校正参数的功能,可在最终系统产品制造完成后,直接进行自我校正,使其校正进程简化,对于应用厂商或集成电路厂商均可以借以降低生产成本。

2. 发明专利

TW200937701A 二次電池之充放電控制電路的溫度感測器审中-公开
简体标题：二次电池之充放电控制电路的温度传感器
公开(公告)号：TW200937701A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097105569
申请日：2008-02-18
申请人：富晶電子股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION.
发明人：俞再鈞 YU, TSAI CHUNG
IPC分类号： H01M
CPC分类号： G01K7/01 , G01K2205/00 , H02J7/0091
摘要：本發明提出了一種二次電池之充放電控制電路的溫度感測器,用以配合充放電控制電路中的微控制器使用;溫度感測器是一種可利用半導體製程技術製造完成的無極性溫度感測器,這種溫度感測器具有第一訊號接腳和第二訊號接腳,其中包含有成對的第一熱二極體(Thermal Diode)和第二熱二極體,第一熱二極體的正極與第二熱二極體的負極共同連接第一訊號接腳,第一熱二極體的負極與第二熱二極體的正極共同連接第二訊號接腳,具有校正容易、低製造成本、節省電能以及抗干擾能力佳的優點。
简体摘要：本发明提出了一种二次电池之充放电控制电路的温度传感器,用以配合充放电控制电路中的单片机使用;温度传感器是一种可利用半导体制程技术制造完成的无极性温度传感器,这种温度传感器具有第一信号接脚和第二信号接脚,其中包含有成对的第一热二极管(Thermal Diode)和第二热二极管,第一热二极管的正极与第二热二极管的负极共同连接第一信号接脚,第一热二极管的负极与第二热二极管的正极共同连接第二信号接脚,具有校正容易、低制造成本、节省电能以及抗干扰能力佳的优点。

3. 发明专利

TWI298495B 具有雙電壓源之熔絲記憶位元與其電源供應方法失效
简体标题：具有双电压源之熔丝记忆比特与其电源供应方法
公开(公告)号：TWI298495B
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW095109446
申请日：2006-03-20
申请人：富晶電子股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION.
发明人：黃一洲 , 吳曉龍
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/16
摘要：一種具有雙電壓源之熔絲記憶位元與其電源供應方法,熔絲連接修整電壓源,第一檢查電路與第二檢查電路被系統電壓源所驅動,檢查電路依據熔絲之第一端與第二端的電位差,以判斷熔絲是否被燒斷。
简体摘要：一种具有双电压源之熔丝记忆比特与其电源供应方法,熔丝连接修整电压源,第一检查电路与第二检查电路被系统电压源所驱动,检查电路依据熔丝之第一端与第二端的电位差,以判断熔丝是否被烧断。

4. 发明专利

TW200936996A 溫度感測模組审中-公开
简体标题：温度传感模块
公开(公告)号：TW200936996A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097105567
申请日：2008-02-18
申请人：富晶電子股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION.
发明人：俞再鈞 YU, TSAI CHUNG
IPC分类号： G01K , H01L
CPC分类号： G01J5/16 , G01J5/0003 , G01J5/0011 , G01J2005/068
摘要：本發明提出了一種溫度感測模組,包括:第一溫度感測器用以感測環境的溫度、第二溫度感測器用以感測耳膜的溫度,其中的第一溫度感測器係為熱二極體(Thermal Diode),第二溫度感測器可為一種熱電堆型(thermopile)之熱感測器,或是以互補式金氧半導體製程技術製作的紅外線溫度感測器(CMOS-IR Detector),兩者都是以半導體材料製成,因此兩者的物理特性一致,即使同時進出不同溫度之環境下,兩者之升溫/降溫速度相同,校正容易且具有低製造成本與低耗電能的優點。
简体摘要：本发明提出了一种温度传感模块,包括:第一温度传感器用以传感环境的温度、第二温度传感器用以传感耳膜的温度,其中的第一温度传感器系为热二极管(Thermal Diode),第二温度传感器可为一种热电堆型(thermopile)之热传感器,或是以互补式金属氧化物半导体制程技术制作的红外线温度传感器(CMOS-IR Detector),两者都是以半导体材料制成,因此两者的物理特性一致,即使同时进出不同温度之环境下,两者之升温/降温速度相同,校正容易且具有低制造成本与低耗电能的优点。

5. 发明专利

TWI300848B 熔絲檢查電路及其檢查方法失效
简体标题：熔丝检查电路及其检查方法
公开(公告)号：TWI300848B
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：TW095109448
申请日：2006-03-20
申请人：富晶電子股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃一洲 , 吳曉龍
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G11C17/16
摘要：一種熔絲檢查電路及其檢查方法,第一檢查電路被系統電壓源所驅動,係檢查熔絲之第一端的電壓値,以輸出第一參考電壓,第二檢查電路被系統電壓源所驅動,係檢查熔絲之第二端的電壓値,以輸出第二參考電壓,類比比較器根據第一參考電壓與第二參考電壓的差値,判斷熔絲是否已被燒斷,於熔絲的燒錄過程中,第一參考電壓與第二參考電壓之差値較小,以延長類比比較器的反應時間,於熔絲的讀取過程中,第一參考電壓與第二參考電壓之差値較大,以縮短類比比較器的反應時間。
简体摘要：一种熔丝检查电路及其检查方法,第一检查电路被系统电压源所驱动,系检查熔丝之第一端的电压値,以输出第一参考电压,第二检查电路被系统电压源所驱动,系检查熔丝之第二端的电压値,以输出第二参考电压,模拟比较器根据第一参考电压与第二参考电压的差値,判断熔丝是否已被烧断,于熔丝的刻录过程中,第一参考电压与第二参考电压之差値较小,以延长模拟比较器的反应时间,于熔丝的读取过程中,第一参考电压与第二参考电压之差値较大,以缩短模拟比较器的反应时间。

6. 发明专利

TWI300938B 燒錄檢查方法及其電路失效
简体标题：刻录检查方法及其电路
公开(公告)号：TWI300938B
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：TW095109447
申请日：2006-03-20
申请人：富晶電子股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION.
发明人：黃一洲 , 吳曉龍
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/16
摘要：一種燒錄檢查電路,一第一檢查電路被系統電壓源所驅動,檢查熔絲之第一端的電壓値,以輸出第一參考電壓,一第二檢查電路被系統電壓源所驅動,係檢查熔絲之第二端的電壓値,以輸出第二參考電壓,一比較器根據第一參考電壓與第二參考電壓的差値,判斷熔絲是否已被燒斷。
简体摘要：一种刻录检查电路,一第一检查电路被系统电压源所驱动,检查熔丝之第一端的电压値,以输出第一参考电压,一第二检查电路被系统电压源所驱动,系检查熔丝之第二端的电压値,以输出第二参考电压,一比较器根据第一参考电压与第二参考电压的差値,判断熔丝是否已被烧断。

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