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    • 8. 发明申请
    • HALBLEITERBAUELEMENT
    • 半导体部件
    • WO2012022342A1
    • 2012-02-23
    • PCT/DE2011/075172
    • 2011-07-21
    • NOVALED AGDOROK, SaschaLESSMANN, RudolfCANZLER, TobiasHUANG, QiangKÖHN, Christiane
    • DOROK, SaschaLESSMANN, RudolfCANZLER, TobiasHUANG, QiangKÖHN, Christiane
    • H01L51/10H01L51/05
    • H01L51/05H01L51/002H01L51/0562H01L51/105
    • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer Schichtanordnung mit einer Elektrode (20a, 20b) aus einem Elektrodenmaterial, einer organischen Halbleiterschicht (22) auss organischem Material, einer Injektionsschicht (21), welche zwischen der Elektrode und der organischen Halbleiterschicht angeordnet ist und aus einem molekularen Dotierungsmaterial besteht, das ein elektrischer Dotand für das organische Material der organischen Halbleiterschicht ist, und einer Zusatzschicht (25), welche auf der der Elektrode zugewandten Seite der Injektionsschicht an der Injektionsschicht angeordnet ist und aus einem Zusatzmaterial besteht, welches bei Kontakt mit dem molekularen Dotierungsmaterial dessen Dotierungsaffinität bezüglich des organischen Materials der organischen Halbleiterschicht verändert, wobei in der Injektionsschicht ein Schichtbereich mit einer ersten Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials und ein weiterer Schichtbereich mit einer zweiten, im Vergleich zur ersten Dotierungsaffinität kleineren Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials gebildet sind. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes sowie die Verwendung eines Halbleiterelementes.
    • 本发明涉及一种具有层结构的半导体元件与电极(20A,20B)的电极材料的auss有机材料,有机半导体层(22),注射布置在电极与有机半导体层之间,并且从一个分子层(21) 掺杂材料,该材料为被布置在面向在注入层的注入层的电极侧的侧面和由添加剂材料的有机半导体层的有机材料和附加层(25)的电掺杂剂,其在与分子掺杂材料接触 其掺杂改变了有机半导体层的有机材料,其中,所述注入层中具有相对于所述有机材料和另外的层B中的分子掺杂材料的第一掺杂亲和力的层区域的相对亲和力 REA与第二形成,相对于分子掺杂材料的相对于所述有机材料的第一掺杂剂的亲和性较小的掺杂亲和力。 此外,本发明涉及一种用于制造半导体器件以及使用的半导体元件的方法。