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1. 发明申请

WO2011020690A3 METHOD FOR PRODUCING A MIRROR HAVING AT LEAST TWO MIRROR SURFACES, MIRROR OF A PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR MICROLITHOGRAPHY, AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
标题翻译：生产具有至少两个镜面的镜子的方法，用于显微摄影的投影曝光设备的镜子以及投影曝光设备
公开(公告)号：WO2011020690A3
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：PCT/EP2010061148
申请日：2010-07-30
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH , HETZLER JOCHEN , MUELLER RALF , SINGER WOLFGANG
发明人： HETZLER JOCHEN , MUELLER RALF , SINGER WOLFGANG
IPC分类号： G02B13/14 , G02B17/06 , G03F7/20
CPC分类号： G02B17/0647 , G02B13/143 , G03F7/70233 , G03F7/70958
摘要： The invention relates to a mirror (M) of a projection exposure apparatus for rnicrolithography for the structured exposure of a light-sensitive material and to a method for producing a mirror (M), The mirror (M) according to the Invention has a substrate body (B), a first mirror surface (S) and a second mirror surface (S5). The first mirror surface (S) is formed on a first side (VS) of the substrate body (3). The second mirror surface (S') is formed on a second side (RS) of the substrate body (B), said second side being different from the first side of the substrate body (B). The mirror (M) according to the invention can be embodied, in particular, such that the substrate body (B) is produced from a glass ceramic material.
摘要翻译：本发明涉及用于光敏材料的结构化曝光的用于微光刻的投射曝光装置的反射镜（M）以及用于制造反射镜（M）的方法。根据本发明的反射镜（M）具有基板（B），第一镜面（S）和第二镜面（S5）。第一镜面（S）形成在基板主体（3）的第一侧（VS）上。第二镜面（S'）形成在基板主体（B）的第二侧（RS）上，所述第二侧不同于基板主体（B）的第一侧。根据本发明的反射镜（M）尤其可以实施为使得基板主体（B）由玻璃陶瓷材料制成。

2. 发明专利

DE102006017336B4 Beleuchtungssystem mit Zoomobjektiv 未知
公开(公告)号：DE102006017336B4
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：DE102006017336
申请日：2006-04-11
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH
发明人： SINGER WOLFGANG , OSSMANN JENS
IPC分类号： G03F7/20 , F21Y101/00
摘要： Katoptrisches Beleuchtungssystem mit einer Lichtquelle (1), die eine Strahlung emittiert, wobei die Strahlung ein Feld in einer Feldebene (114) ausleuchtet und gleichzeitig eine Ausleuchtung in einer Pupillenebene zur Verfügung stellt, wobei die Ausleuchtung in der Pupillenebene eine Größe aufweist, die kontinuierlich variiert werden kann und das Beleuchtungssystem eine Vielzahl von optischen Elementen umfasst, die derart angeordnet sind, dass die Strahlung von der Lichtquelle (1) zur Feldebene (114) und zur Pupillenebene geleitet wird, wobei der Abstand zwischen wenigstens zwei optischen Elementen der Vielzahl von optischen Elementen veränderbar ist und die zwei optischen Elemente wenigstens ein facettiertes optisches Element umfassen.

3. 发明专利

AT502323T 未知
公开(公告)号：AT502323T
公开(公告)日：2011-04-15
申请号：AT04726980
申请日：2004-04-13
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH
发明人： SINGER WOLFGANG , WIETZORREK JOACHIM , HAINZ JOACHIM , WEIRAUCH GABRIELE , MAUL MANFRED
IPC分类号： G03F7/20 , G02B17/06 , G21K1/06

4. 发明专利

DE102010038748A1 Verfahren zur Herstellung eines Spiegels mit wenigstens zwei Spiegelflächen, Spiegel einer Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie und Projektionsbelichtungsanlage 未知
公开(公告)号：DE102010038748A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：DE102010038748
申请日：2010-07-30
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH
发明人： HETZLER JOCHEN , MUELLER RALF , SINGER WOLFGANG
IPC分类号： G02B5/09 , G02B5/10 , G03F7/20

5. 发明专利

DE102012210174A1 Optisches Bauelement 未知
公开(公告)号：DE102012210174A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：DE102012210174
申请日：2012-06-18
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH
发明人： PATRA MICHAEL , BIELING STIG , DEGUENTHER MARKUS , ENDRES MARTIN , WANGLER JOHANNES , DINGER UDO , SINGER WOLFGANG
IPC分类号： G02B5/09 , G02B26/08 , G03F7/20
摘要： Bei einem als Vielspiegelsystem ausgebildeten optischen Bauelement weist zumindest ein Teil der Einzelspiegel (26) auf ihrer Vorderseite einen strahlungsabsorbierenden Teilbereich auf.

6. 发明专利

DE102011084637A1 Mikrolithographisches Belichtungsverfahren, sowie Beleuchtungseinrichtung 未知
公开(公告)号：DE102011084637A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：DE102011084637
申请日：2011-10-17
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH
发明人： SAENGER INGO , SINGER WOLFGANG , GOEHNERMEIER AKSEL , SCHLESENER FRANK
IPC分类号： G03F7/20
摘要： Die Erfindung betrifft ein mikrolithographisches Belichtungsverfahren sowie eine Beleuchtungseinrichtung. Bei einem mikrolithographischen Belichtungsverfahren beleuchtet eine Beleuchtungseinrichtung eine Objektebene eines Projektionsobjektivs, wobei die Objektebene mittels des Projektionsobjektivs (20) in eine Bildebene des Projektionsobjektivs (20) abgebildet wird, wobei die Beleuchtungseinrichtung (10) wenigstens ein Retardierungselement aufweist, mittels dem für auf das Retardierungselement auftreffendes Licht eine vom Ort des Auftreffens abhängige und zeitlich variierende Verzögerung erzeugbar ist, und wobei wenigstens zwei Lichtstrahlen durch unterschiedliche Bereiche des Retardierungselementes gelenkt werden, welche sich hinsichtlich der jeweils durch das Retardierungselement erzeugten Verzögerung voneinander unterscheiden.

7. 发明专利

DE102010028655A1 EUV-Kollektor 未知
公开(公告)号：DE102010028655A1
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：DE102010028655
申请日：2010-05-06
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH
发明人： MANN HANS-JUERGEN , SINGER WOLFGANG
IPC分类号： G02B17/06 , G02B5/08 , G02B5/10 , G02B27/09 , G03F7/20
摘要： Ein Kollektor (15) dient zur Überführung einer Emission einer EUV-Strahlungsquelle (3) in einen Haupt-Brennfleck (23). Der Kollektor (15) hat zumindest eine Kollektor-Untereinheit (24) mit mindestens einem Spiegel (251 bis 254) für streifenden Einfall. Dieser überführt EUV-Strahlung (14) von der Strahlungsquelle (3) hin zu einem Brennfleck (23). Mindestens ein Ellipsoid-Spiegel (28) mit ellipsoidaler Spiegelfläche (29) des Kollektors (15) wird mit einem Einfallswinkel oberhalb eines Grenzwinkels für streifenden Einfall beaufschlagt. Im Strahlengang eines von der EUV-Strahlungsquelle (3) zwischen einer Position der EUV-Strahlungsquelle (3) und dem Brennfleck (23) ist höchstens eine einzige Kollektor-Untereinheit (24) angeordnet. Bei einer weiteren Ausgestaltung des EUV-Kollektors hat eine der Kollektor-Untereinheiten mindestens eine Spiegelschale für streifenden Einfall, deren Außenwand zur Reflexion der EUV-Strahlung genutzt wird. Eine weitere der Kollektor-Untereinheiten hat mindestens eine Spiegelschale für streifenden Einfall, deren Innenwand zur Reflexion der EUV-Strahlung genutzt wird. Es resultiert ein EUV-Kollektor, bei dem bei gegebenem konstruktivem Aufwand der erfassbare Raumwinkel der EUV-Strahlungsquelle optimal gestaltet ist.

8. 发明专利

DE102011084266A1 Kollektor 未知
公开(公告)号：DE102011084266A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：DE102011084266
申请日：2011-10-11
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH
发明人： SAENGER INGO , ZIMMERMANN JOERG , KRAEHMER DANIEL , RUOFF JOHANNES , MEIER MARTIN , SCHLESENER FRANK , HENNERKES CHRISTOPH , SINGER WOLFGANG
IPC分类号： G02B5/10 , G03F7/20
摘要： Ein Kollektor (15) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Mikrolithographie umfasst mehrere reflektierende Abschnitte (24), welche derart ausgebildet und angeordnet sind, dass sie bei der Bündelung von Strahlung (14) aus einem ersten Fokus (26) in einen zweiten Fokus (27) mit Auftreffwinkeln (f) in einem vorgegebenen Winkelspektrum beaufschlagbar sind.

9. 发明专利

AT529781T 未知
公开(公告)号：AT529781T
公开(公告)日：2011-11-15
申请号：AT07006340
申请日：2007-03-28
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH
发明人： SINGER WOLFGANG , OSSMANN JENS
IPC分类号： G03F7/20 , F21Y101/00 , H01L21/00
摘要： The system has a facetted optical element (104) e.g. mirror with a large number of catoptric raster elements, placed beside another facetted optical element (102) e.g. mirror with a multitude of catoptric raster elements. The distance (A) between the two facetted optical elements is varied. The distance is determined by the length of a light path from the facetted optical element (102) to the facetted optical element (104) along a principal ray (CR) that belongs to a central field point in a field plane (114). An independent claim is also included for a method for manufacture of microelectronic components, using a projection exposure apparatus.

10. 发明专利

DE502006009171D1 KOLLEKTOR FÜR BELEUCHTUNGSSYSTEME MIT EINER WELLENLÄNGE 未知
公开(公告)号：DE502006009171D1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：DE502006009171
申请日：2006-10-17
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH
发明人： HAINZ JOACHIM , ENDRES MARTIN , SINGER WOLFGANG , KLEEMANN BERND , BADER DIETER
IPC分类号： G03F7/20

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