会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 7. 发明授权
    • Polyorganosiloxazanes and process for the preparation thereof
    • 聚有机硅氧烷及其制备方法
    • US6011167A
    • 2000-01-04
    • US125874
    • 1998-08-26
    • Yuuji TashiroOsamu Funayama
    • Yuuji TashiroOsamu Funayama
    • C04B35/589C08G77/54C08G77/62C07F7/02C07F7/10C07F7/18
    • C08G77/62C04B35/589C08G77/54
    • Polyorganosiloxazane is provided which is capable of being converted into a ceramic material having low dielectric constant. The polymer according to the present invention is characterized by comprising the main repeating units of --(RSiN.sub.3)--, --(RSiN.sub.2 O)--, --(RSiNO.sub.2)-- and --(RSiO.sub.3)--, wherein, R represents an alkyl, alkenyl, cycloalkyl, aryl, alkylamino or alkylsilyl group, and by having a number-average molecular weight ranging from 300 to 100,000. The polyorganosiloxazane of the present invention has superior thermal resistance, and a ceramic material obtainable by firing the same at a predetermined temperature shows very low specific dielectric constant of 2.7 or less, making it useful particularly as a material in electronics.
    • PCT No.PCT / JP97 / 04900 Sec。 371日期:1998年8月26日 102(e)1998年8月26日PCT 1997年12月26日PCT公布。 第WO98 / 29475号公报 日期1998年7月9日提供能够转化为具有低介电常数的陶瓷材料的聚有机硅氧烷。 根据本发明的聚合物的特征在于包含 - (RSiN 3) - , - (RSiN 2 O) - , - (RSiNO 2) - 和 - (RSiO 3) - 的主要重复单元,其中R表示烷基,烯基,环烷基 ,芳基,烷基氨基或烷基甲硅烷基,数均分子量为300〜100000。 本发明的聚有机硅氮烷具有优异的耐热性,并且通过在预定温度下烧制可获得的陶瓷材料显示出非常低的比介电常数为2.7或更小,使其特别用作电子学中的材料。