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1. 发明授权

US07095768B2 Index guided VCSEL and method of fabrication 有权
标题翻译：索引引导VCSEL和制造方法
公开(公告)号：US07095768B2
公开(公告)日：2006-08-22
申请号：US10779894
申请日：2004-02-17
申请人： Wenbin Jiang , Michael Y. Cheng
发明人： Wenbin Jiang , Michael Y. Cheng
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/18308 , H01S5/06226 , H01S5/2063 , H01S5/2086 , H01S2301/176
摘要： A reliable high frequency VCSEL includes a lower distributed Bragg reflector (DBR), an active region, and an upper DBR. A cylindrical volume is etched from the upper DBR to define a mesa with a lower surface of the cylindrical volume forming an angle greater than ninety degrees with the side wall of the mesa. An isolation trench is etched in the lower surface of the cylindrical volume concentric with the mesa and extending through the active region. A portion of the side wall of the mesa and the lower surface of the cylindrical volume are proton implanted. The upper DBR is planarized using low-k dielectric materials and n and p electrical contacts are coupled to opposite sides of the active region for supplying operating current thereto.
摘要翻译：可靠的高频VCSEL包括较低分布式布拉格反射器（DBR），有源区和上DBR。从上DBR蚀刻圆柱体，以限定具有圆柱体的下表面的台面，其与台面的侧壁形成大于九十度的角度。在与台面同心并延伸穿过活动区域的圆筒体的下表面中蚀刻隔离沟槽。台面的侧壁的一部分和圆柱体的下表面被质子注入。上DBR使用低k电介质材料平面化，并且n和p电触点耦合到有源区的相对侧，以向其提供工作电流。

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