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热词
    • 1. 发明授权
    • Multi-gas sensor and method of fabricating the sensor
    • 多气体传感器和制造传感器的方法
    • US08330169B2
    • 2012-12-11
    • US13177551
    • 2011-07-06
    • Wen-Chau LiuHuey-Ing ChenTsung-Han TsaiTai-You ChenChung-Fu ChangChi-Hsiang Hsu
    • Wen-Chau LiuHuey-Ing ChenTsung-Han TsaiTai-You ChenChung-Fu ChangChi-Hsiang Hsu
    • H01L29/66
    • G01N27/125
    • The present invention is a multi-gas sensor and a method for fabricating the multi-gas sensor.The multi-gas sensor comprises a substrate, an epitaxial layer, a metal oxide layer, a first metal layer, a second metal layer and multiple third metal layers.The method for fabricating the multi-gas sensor comprises steps of forming an epitaxial layer on a substrate; etching the epitaxial layer to form a first epitaxial structure and a second epitaxial structure a fixed distance from the first epitaxial structure; forming a metal oxide layer on the first epitaxial structure; forming a first metal layer that has at least two metal layers on the second epitaxial structure; forming a second metal layer a fixed distance from the first metal layer on the second epitaxial structure; forming third metal layers respectively on the metal oxide layer, the first metal layer and the second metal layer.
    • 本发明是一种多气体传感器和多气体传感器的制造方法。 多气体传感器包括衬底,外延层,金属氧化物层,第一金属层,第二金属层和多个第三金属层。 制造多气体传感器的方法包括在基板上形成外延层的步骤; 蚀刻所述外延层以形成与所述第一外延结构固定距离的第一外延结构和第二外延结构; 在所述第一外延结构上形成金属氧化物层; 在所述第二外延结构上形成具有至少两个金属层的第一金属层; 在所述第二外延结构上形成与所述第一金属层固定距离的第二金属层; 在金属氧化物层,第一金属层和第二金属层上分别形成第三金属层。
    • 2. 发明申请
    • MULTI-GAS SENSOR AND METHOD OF FABRICATING THE SENSOR
    • 多气体传感器和传感器的制作方法
    • US20120007099A1
    • 2012-01-12
    • US13177551
    • 2011-07-06
    • Wen-Chau LiuHuey-Ing ChenTsung-Han TsaiTai-You ChenChung-Fu ChangChi-Hsiang Hsu
    • Wen-Chau LiuHuey-Ing ChenTsung-Han TsaiTai-You ChenChung-Fu ChangChi-Hsiang Hsu
    • H01L29/66H01L21/20
    • G01N27/125
    • The present invention is a multi-gas sensor and a method for fabricating the multi-gas sensor.The multi-gas sensor comprises a substrate, an epitaxial layer, a metal oxide layer, a first metal layer, a second metal layer and multiple third metal layers.The method for fabricating the multi-gas sensor comprises steps of forming an epitaxial layer on a substrate; etching the epitaxial layer to form a first epitaxial structure and a second epitaxial structure a fixed distance from the first epitaxial structure; forming a metal oxide layer on the first epitaxial structure; forming a first metal layer that has at least two metal layers on the second epitaxial structure; forming a second metal layer a fixed distance from the first metal layer on the second epitaxial structure; forming third metal layers respectively on the metal oxide layer, the first metal layer and the second metal layer.
    • 本发明是一种多气体传感器和多气体传感器的制造方法。 多气体传感器包括衬底,外延层,金属氧化物层,第一金属层,第二金属层和多个第三金属层。 制造多气体传感器的方法包括在基板上形成外延层的步骤; 蚀刻所述外延层以形成与所述第一外延结构固定距离的第一外延结构和第二外延结构; 在所述第一外延结构上形成金属氧化物层; 在所述第二外延结构上形成具有至少两个金属层的第一金属层; 在所述第二外延结构上形成与所述第一金属层固定距离的第二金属层; 在金属氧化物层,第一金属层和第二金属层上分别形成第三金属层。