专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2013241330A Polycrystalline silicon 有权
标题翻译：多晶硅
公开(公告)号：JP2013241330A
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：JP2013106344
申请日：2013-05-20
申请人： Wacker Chemie Ag , ワッカーケミーアクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG
发明人： MATTHIAS VIETZ , REINER PECH
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： B02C23/08 , B65B1/32 , B65B55/24 , B65D31/00 , C01B33/02 , Y10T428/12674
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide automatically-wrapped polycrystalline silicon capable of suppressing a formed fine powder fraction in a remarkably low level, and to provide a production method.SOLUTION: Polycrystalline silicon includes lumps having the size of 20-200 mm, having a mass of at least 5 kg, and having a form of a lump wrapped in a plastic bag, wherein a fine powder fraction in the plastic bag is
摘要翻译：要解决的问题：提供能够以显着低的水平抑制形成的细粉末部分的自动包裹的多晶硅，并提供制造方法。解决方案：多晶硅包括尺寸为20-200mm的块状物，具有质量为至少5kg，并且具有包裹在塑料袋中的块状，其中塑料袋中的细粉末部分<900ppmw，优选<300ppmw，更优选<10ppmw。制造方法包括：将通过CVD沉积的多晶硅棒破碎成块状的步骤; 将多晶硅块分选并分级成尺寸为20至≤200mm，45至≤200mm，90至≤200mm，10-40mm，4-15mm和1-5mm的步骤; 通过测量单元测量多晶硅块的步骤; 以及通过包装单元将被测量为具有至少5kg的质量的多晶硅块填充到至少一个塑料袋中的步骤。

2. 发明专利

JP2013151413A Low dopant polycrystalline silicon lump 有权
标题翻译：低掺杂多晶硅硅油
公开(公告)号：JP2013151413A
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：JP2013008500
申请日：2013-01-21
申请人： Wacker Chemie Ag , ワッカーケミーアクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG
发明人： WOCHNER HANNS , KILLINGER ANDREAS , REINER PECH
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： C01B33/02 , C01B33/021 , C01B33/035 , C01B33/037
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low dopant polycrystalline silicon lump.SOLUTION: In a polycrystalline silicon lump, contamination on the surface is 1-50 ppta boron and 1-50 ppta phosphorus. Further, in a polycrystalline silicon lump, following requirements are further added with respect to the silicon lump: the arsenic concentration on the surface is 0.01-10 ppta, the aluminum concentration on the surface is 0.01-10 ppta, the metal concentration on the surface is 10-200 pptw, and on the surface, the Fe concentration is 1-40 pptw, the Cr concentration is 0.1-5 pptw, the Cu concentration is 0.1-5 pptw, the Na concentration is 1-30 pptw, the Ni concentration is o.1-5 pptw, the Ca concentration is 0.1-10 pptw, the Ti concentration is 0.1-10 pptw, the W concentration is 0.1-10 pptw and the Zn concentration is 0.1-10 pptw.
摘要翻译：要解决的问题：提供低掺杂剂多晶硅块。解决方案：在多晶硅块中，表面上的污染物为1-50 ppta硼和1-50 ppta磷。此外，在多晶硅块中，相对于硅块进一步添加以下要求：表面上的砷浓度为0.01-10ppta，表面上的铝浓度为0.01-10ppta，表面上的金属浓度为10-200 pptw，表面Fe浓度为1-40 pptw，Cr浓度为0.1-5 pptw，Cu浓度为0.1-5 pptw，Na浓度为1-30 pptw，Ni浓度为0.1〜pptw，Ca浓度为0.1-10 pptw，Ti浓度为0.1-10 pptw，W浓度为0.1-10 pptw，Zn浓度为0.1-10 pptw。

3. 发明专利

JP2014122153A Packaging of polycrystalline silicon 有权
标题翻译：多晶硅包装
公开(公告)号：JP2014122153A
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：JP2013225121
申请日：2013-10-30
申请人： Wacker Chemie Ag , ワッカーケミーアクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG
发明人： VIETZ MATTHIAS , LICHTENEGGER BRUNO , REINER PECH
IPC分类号： C01B33/02 , B65D77/04
CPC分类号： B65D29/00 , B65B1/28 , B65B5/067 , B65B25/00 , B65B29/00 , B65B31/04 , B65B51/146
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a packaging method unaccompanied, in a case where a polysilicon lump having sharp edges is packaged by a plastic bag, by the punch-through of the plastic bag and concomitant contamination.SOLUTION: A polysilicon lump is introduced into a first plastic bag, and the first plastic bag is introduced, following the introduction therein of the lump, into a second plastic bag or the first plastic bag is preliminarily inserted, prior to the introduction of the lump into the first plastic bag, into the second plastic bag so as to ensure the existence of the lump within the two-tier bag hermetically sealing the former, whereas air existing within the two plastic bags within the two-tier bag is removed, prior to the hermetic sealing of the two-tier bag, in such a way that the ratio of the total volume of the two-tier bag with respect to the volume of the lump will be 2.4-3.0.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种无人陪伴的包装方法，在通过塑料袋包装具有尖锐边缘的多晶硅块的情况下，通过塑料袋的穿透以及伴随的污染。解决方案：将多晶硅块引入第一塑料袋，并且在将块体引入其中之后，将第一塑料袋引入到第二塑料袋中，或者在将块体引入第一塑料袋之前，将第一塑料袋预先插入到第一塑料袋中第二个塑料袋，以确保两层袋子内部的块体存在密封，而两层袋子内的两个塑料袋中存在的空气被去除，在两层袋子的气密密封之前袋子，使得两层袋子的总体积相对于块体积的比例将为2.4-3.0。

4. 发明专利

JP2013234114A Polycrystalline silicon rod and method for producing the same 有权
标题翻译：多晶硅棒及其制造方法
公开(公告)号：JP2013234114A
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：JP2013089133
申请日：2013-04-22
申请人： Wacker Chemie Ag , ワッカーケミーアクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG
发明人： WEBER MARTIN , DORNBERGER ERICH , KERSCHER MICHAEL , KRAUS HEINZ , REINER PECH
IPC分类号： C01B33/035 , C01B33/02
CPC分类号： C01B33/029 , B02C19/0056 , C01B33/02 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C30B28/14 , C30B29/06 , Y10T428/12479
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide polycrystalline silicon which is less expensive to produce than compact silicon rod but nevertheless exhibits good performance in a CZ crystal pulling method.SOLUTION: A polycrystalline silicon rod has a total diameter of at least 150 mm, and includes a core (A) having porosity of 0 to less than 0.01 around a thin rod, and at least two subsequent regions B and C which differ in porosity by a factor of 1.7 to 23, the outer region C being less porous than the region B.
摘要翻译：要解决的问题：提供比紧凑型硅棒生产成本低的多晶硅，但是在CZ晶体拉制方法中表现出良好的性能。解决方案：多晶硅棒的总直径至少为150mm，并且包括在细棒周围具有0至小于0.01的孔隙度的芯（A），以及孔隙率不同于1.7至23的至少两个随后的区域B和C，外部区域C比区域B多孔。

5. 发明专利

SA515361269B1 جهازوطريقة لإزالة قضبان السيليكون متعدد البللورات من مفاعل 未知
公开(公告)号：SA515361269B1
公开(公告)日：2016-11-27
申请号：SA515361269
申请日：2015-10-06
申请人： WACKER CHEMIE AG
发明人： UDO ALMASY , TOBIAS WEISS , REINER PECH , STEFAN FÄRBER
摘要： يتعلقالإختراعبطريقةلإزالةقضبانسيليكونمتعددالتبلور polycrystalline silicon rods منمفاعل reactor،حيثيشتملالمفاعلعلىأزواجقضيبعلىشكلحرف U-،حيثفيهواحدمنأزواجالقضيبعلىشكلحرف U-،يحاطبالكاملبجسمبهجدارخارجي outer wall وجدارداخلي inner wall،ويزالالجسمسوياًمعزوجالقضيب rod pair المرفقبهمنالمفاعلبواسطةونش crane،رافعةكبلية cable hoist أوقابض gripper.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式