专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201312921A 能量擷取／輪胎壓力、溫度及輪胎資料傳送器审中-公开
简体标题：能量截取／轮胎压力、温度及轮胎数据发送器
公开(公告)号：TW201312921A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101122601
申请日：2012-06-25
申请人： VTI科技公司 , VTI TECHNOLOGIES OY , 豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA MOTOR CORPORATION
发明人：庫斯馬海奇 , KUISMA, HEIKKI , 成田勝俊 , NARITA, KATSUTOSHI
IPC分类号： H02N11/00 , H02N2/18
CPC分类号： H02N2/18 , B60C23/041 , B60C23/0411 , H01L41/1136
摘要：本發明實施一種將能量從機械域轉換至電氣域的擷取器(12)。該擷取器包含至少一慣性體(6)、至少一樑桿(7、9)、對於該至少一樑桿(7、9)之一支撐體(8)以及傳感器裝置(10、16)，其中該至少一樑桿(7、9)將該慣性體(6)組構入一鐘擺結構之中，該鐘擺結構懸吊於該支撐體(8)，使得該樑桿(7、9)能夠依據該慣性體(6)之運動狀態的變化而彎曲，且被組構成與至少一傳感器裝置(10)交互運作，該等傳感器裝置被組構成因應該等樑桿(7、9)之運動狀態在該等傳感器裝置(10、16)的電氣狀態上產生改變。本發明同時亦顯示包含至少一實施擷取器之擷取器模組、矩陣以及擷取器系統。本發明同時亦顯示包含至少一實施擷取器之輪胎以及鞋類製品。
简体摘要：本发明实施一种将能量从机械域转换至电气域的截取器(12)。该截取器包含至少一惯性体(6)、至少一梁杆(7、9)、对于该至少一梁杆(7、9)之一支撑体(8)以及传感器设备(10、16)，其中该至少一梁杆(7、9)将该惯性体(6)组构入一钟摆结构之中，该钟摆结构悬吊于该支撑体(8)，使得该梁杆(7、9)能够依据该惯性体(6)之运动状态的变化而弯曲，且被组构成与至少一传感器设备(10)交互运作，该等传感器设备被组构成因应该等梁杆(7、9)之运动状态在该等传感器设备(10、16)的电气状态上产生改变。本发明同时亦显示包含至少一实施截取器之截取器模块、矩阵以及截取器系统。本发明同时亦显示包含至少一实施截取器之轮胎以及鞋类制品。

2. 发明专利

TWI560991B 擷取器、擷取器矩陣、擷取器矩陣系統、擷取器模組以及包含其之鞋類製品有权
简体标题：截取器、截取器矩阵、截取器矩阵系统、截取器模块以及包含其之鞋类制品
公开(公告)号：TWI560991B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW101122601
申请日：2012-06-25
申请人：村田電子公司 , MURATA ELECTRONICS OY , 豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA MOTOR CORPORATION
发明人：庫斯馬海奇 , KUISMA, HEIKKI , 成田勝俊 , NARITA, KATSUTOSHI
IPC分类号： H02N11/00 , H02N2/18
CPC分类号： H02N2/18 , B60C23/041 , B60C23/0411 , H01L41/1136

3. 发明专利

TW201735139A 半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201735139A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105137098
申请日：2016-11-14
申请人：豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人：成田勝俊 , NARITA, KATSUTOSHI
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L29/417 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446 , H01L2223/5448
摘要：一種半導體裝置的製造方法，包含：在半導體晶圓的表面上，形成標記，該標記的至少一部份係被配置在計劃周邊區，該計劃周邊區係定位在予以形成半導體元件的個別計劃元件區四周；使用該標記，在計劃元件區中，形成該半導體元件；在形成該半導體元件後，形成延伸跨越包含該表面中之計劃元件區或計劃周邊區的範圍的膜，藉以用該膜覆蓋該標記的至少一部份；及在形成該膜後，沿著切片區切割該半導體晶圓，該切片區係位在該計劃周邊區四周。
简体摘要：一种半导体设备的制造方法，包含：在半导体晶圆的表面上，形成标记，该标记的至少一部份系被配置在计划周边区，该计划周边区系定位在予以形成半导体组件的个别计划组件区四周；使用该标记，在计划组件区中，形成该半导体组件；在形成该半导体组件后，形成延伸跨越包含该表面中之计划组件区或计划周边区的范围的膜，借以用该膜覆盖该标记的至少一部份；及在形成该膜后，沿着切片区切割该半导体晶圆，该切片区系位在该计划周边区四周。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式