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    • 4. 发明申请
    • FORNO E MÉTODO PARA PROCESSAMENTO DE LÂMINAS DE SILÍCIO
    • 用于处理硅波的炉和方法
    • WO2014082153A1
    • 2014-06-05
    • PCT/BR2013/000524
    • 2013-11-28
    • UNIÃO BRASILEIRA DE EDUCAÇÃO E ASSISTÊNCIA, MANTENEDORA DA PUCRS
    • ZANESCO, IzeteMOEHLECKE, Adriano
    • H01L21/02
    • H01L21/67109H01L21/6719H01L21/67313
    • A presente invenção faz referência a um forno e um método para difusão de dopantes ou para oxidação em lâminas de silício ou outro material semicondutor. O referido forno é um equipamento com câmara de processamento de quartzo ou SiC não tubular, no qual a seção reta da câmara pode ser quadrada ou retangular, conforme as dimensões e quantidade das lâminas de silício. O volume da câmara reduzido em relação ao de fornos tubulares, proporciona a diminuição no consumo de gases de alta pureza e de energia elétrica. O sistema de entrada e saída das lâminas na câmara de processamento, do controle de gases de alta pureza e do controle da temperatura é automatizado. Adicionalmente, a presente invenção descreve método de difusão de dopantes e/ou oxidação em lâminas de silício ou de outro semicondutor utilizando o forno.
    • 本发明涉及一种用于将掺杂物扩散到由硅或另一种半导体材料制成的晶片或氧化晶片的炉子和方法。 所述炉是具有正方形或矩形横截面的非管状石英或SiC处理室的装置,这取决于硅晶片的尺寸和数量。 室的体积小于管式炉的体积,可以降低高纯度气体和电力的消耗。 自动化用于将晶片装入处理室并从处理室中移出晶片并用于控制高纯度气体和温度的系统。 此外,本发明描述了使用该炉将掺杂剂扩散到由硅或另一半导体制成的晶片和/或氧化晶片的方法。
    • 5. 发明申请
    • PROCESSO DE DIFUSÃO DE DOPANTES EM LÂMINAS DE SILÍCIO PARA A FABRICAÇÃO DE CÉLULAS SOLARES
    • 将硅酸盐分散成硅陶瓷制造太阳能电池的方法
    • WO2014082152A1
    • 2014-06-05
    • PCT/BR2013/000523
    • 2013-11-28
    • UNIÃO BRASILEIRA DE EDUCAÇÃO E ASSISTÊNCIA, MANTENEDORA DA PUCRS
    • ZANESCO, IzeteMOEHLECKE, Adriano
    • H01L31/18H01L21/02
    • H01L31/1804H01L21/2225H01L21/2255H01L31/02363Y02E10/547Y02P70/521
    • A presente invenção descreve novo processo para a produção de células solares, a partir de lâminas de silício, por meio da difusão de boro (ou outro dopante tipo p) e fósforo (ou outro dopante tipo n) nestas lâminas, usando uma camada de silicato para proteger a face com boro (ou outro dopante tipo p) da difusão de fósforo (ou outro dopante tipo n). Evita-se o uso de passo térmico de crescimento de camada de óxido de silício e o uso de resina para proteção de uma das faces durante o ataque de óxidos com ácido fluorídrico. Desta forma, apresenta vantagens, dentre estas a não utilização de resina fotossensível, ácido fluorídrico tampão e acetona, permitindo a redução do número de etapas, no mínimo quatro, em processos de fabricação de células solares. Consequentemente há uma diminuição em horas de recursos humanos e de consumo de energia elétrica, de gases de alta pureza e de produtos químicos, reduzindo-se o custo de produção em comparação com os métodos convencionais.
    • 本发明描述了一种通过将硼(或另一种p型掺杂剂)和磷(或另一种n型掺杂剂)扩散到这些晶片中从硅晶片制造太阳能电池的新方法,硅酸盐层用于保护含有 来自磷(或另一种n型掺杂剂)的扩散的硼(或另一种p型掺杂剂)。 省略了用于生长氧化硅层的热步骤以及在用氢氟酸蚀刻氧化物的同时使用用于保护面之一的树脂。 因此,本发明的优点在于省略了使用光敏树脂,缓冲氢氟酸和丙酮,以及至少四个步骤的太阳能电池制造方法。 因此,与传统方法相比,可以减少人力/时间和电力,高纯度气体和化学品的消耗,从而降低生产成本。