专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

DE112005001299T5 未知
公开(公告)号：DE112005001299T5
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：DE112005001299
申请日：2005-06-07
申请人： ULVAC INC
发明人： OTA ATSUSHI , TAGUCHI SHINICHIRO , SUGIURA ISAO , TANI NORIAKI , ARAI MAKOTO , KIYOTA JUNYA
IPC分类号： C23C14/35 , H01J37/34
摘要： The present invention provides a magnetron sputtering method and a magnetron sputtering apparatus that can significantly reduce a non-erosion region causing an abnormal electrical discharge on a surface of a target and deposition of target materials. A plurality of targets 8 A, 8 B, 8 C and 8 D are disposed in a vacuum atmosphere while being electrically independent to each other; and sputtering is performed by generating magnetron discharge in the vicinity of the targets 8 A, 8 B, 8 C and 8 D. During the sputtering, voltages having a phase difference of 180 degrees are alternately applied to the adjacent targets 8 A, 8 B, 8 C and 8 D at a predetermined timing.

2. 发明专利

DE112005001299B4 Magnetron-Sputterverfahren und Magnetron-Sputtervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112005001299B4
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：DE112005001299
申请日：2005-06-07
申请人： ULVAC INC
发明人： OTA ATSUSHI , TAGUCHI SHINICHIRO , SUGIURA ISAO , TANI NORIAKI , ARAI MAKOTO , KIYOTA JUNYA
IPC分类号： C23C14/35 , H01J37/34
摘要： Magnetron-Sputterverfahren, umfassend: Durchführen des Sputterns durch Erzeugen einer Magnetron-Entladung in der Nähe mehrerer in rechtwinkliger Form ausgebildeter und auf derselben Höhe angeordneter Targets (8A, 8B, 8C, 8D), wobei die Targets (8A, 8B, 8C, 8D) nahe aneinander und nebeneinander angeordnet sind, so dass sich Seitenflächenabschnitte benachbarter Targets (8A, 8B, 8C, 8D) unmittelbar gegenüberliegen, wobei jedes Target (8) in einer Vakuumatmosphäre elektrisch unabhängig ist, Einstellen des Raumes zwischen den benachbarten Targets (8A, 8B, 8C, 8D) auf einen Abstand zwischen 1 und 3 Millimeter, so dass eine anomale elektrische Entladung zwischen benachbarten Targets (8A, 8B, 8C, 8D) nicht auftritt und auch ein Plasma zwischen den benachbarten Targets (8A, 8B, 8C, 8D) nicht erzeugt wird. und Anlegen von Spannungen mit einer Phasendifferenz von 180 Grad periodisch und alternierend an die benachbarten Targets (8A, 8B, 8C, 8D) in einer vorgegebenen zeitlichen Abstimmung während des Sputterns, wobei die Spannungen, die an die benachbarten Targets (8A, 8B, 8C, 8D) angelegt werden, gepulste Gleichstromspannungen sind.

3. 发明专利

DE60135956D1 未知
公开(公告)号：DE60135956D1
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：DE60135956
申请日：2001-07-25
申请人： ULVAC INC
发明人： TANI NORIAKI , SAITO KAZUHIKO , SUU KOUKOU
IPC分类号： C23C14/34 , H01J37/34 , C23C14/08 , H01L21/203 , H01L21/31
摘要： In order to provide technology where film deposition speed and Sr/Ti composition ratio is constant even when forming dielectric films consecutively on a plurality of substrates using sputtering techniques, a sputtering apparatus of the present invention is provided with an opposing electrode located about the periphery of a mounting table at an inner bottom surface of a vacuum chamber. Further, a multiplicity of holes are formed at the surface of the opposing electrode so that the surface area of the opposing electrode is large. Sputtered dielectric material becomes affixed to the surface of the opposing electrode so that a dielectric film is formed at this surface. The charge density of charge distributed at the surface of the opposing electrode is therefore small compared with the related art even when positive charge is distributed. The potential of the opposing electrode surface can therefore be kept substantially at earth potential. Discharges within the vacuum chamber are therefore stable because the potential of the surface of the opposing electrode is kept substantially at earth potential. It is therefore difficult for the fluctuations in film thickness distribution and film deposition speed and instabilities in the discharges that occur in the related art to occur.

4. 发明专利

DE102005019456A1 Target used in sputtering processes comprises a slanted surface formed around the body of the target in a region in which a sputtering surface and a peripheral surface of the body of the target cross each other 未知
公开(公告)号：DE102005019456A1
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：DE102005019456
申请日：2005-04-25
申请人： ULVAC INC
发明人： ARAI MAKOTO , ISHIBASHI SATORU , KOMATSU TAKASHI , TANI NORIAKI , KIYOTO JUNYA , OTA ATSUSHI , SUGIURA ISAO , NAKAMURA KYUZO
IPC分类号： C23C14/34
摘要： Target (T) comprises a slanted surface formed around the body of the target in a region in which a sputtering surface and a peripheral surface of the body of the target cross each other. An independent claim is also included for a sputtering process using the above target.

5. 发明专利

RU2401520C2 УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ И СОСТАВНОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ 未知
公开(公告)号：RU2401520C2
公开(公告)日：2010-10-10
申请号：RU2008146742
申请日：2007-04-18
申请人： ULVAC INC
发明人： KOMATSU TAKASI , NAKAMURA KJUZO , KATAGIRI KHIROAKI , TANI NORIAKI , SAJTO KAZUJA
IPC分类号： H05B33/14
摘要： Изобретениеотноситсяк техническойобластиплоскогоустройстваотображения, аименнок устройствуотображения, использующемунеорганическийлюминесцентныйслой. Техническимрезультатомявляетсяуправление TFT (тонкопленочнымитранзисторами) сиспользованиемнеорганическогоЭЛэлемента, которыйиспускаетсветпринизкомнапряжении. Устройствоотображениясодержитподложку; пиксельныйэлектрод, размещенныйнаподложке; изоляционнуюразделительнуюстенку, котораяразмещенамеждупиксельнымиэлектродамии образуетразделенныеобластинапиксельныхэлектродах; неорганическийлюминесцентныйслой, имеющийсвоюнижнююповерхностьв контактес пиксельнымэлектродоми размещенныйв области, отдельнойразделительнойстенкой; противоположныйэлектрод, размещенныйнанеорганическомлюминесцентномслое; итонкопленочныйтранзистор, которыйв своемпроводящемсостоянииприкладываетнапряжениемеждупиксельнымэлектродоми противоположнымэлектродоми побуждаетнеорганическийлюминесцентныйслойиспускатьсвет. Составноеустройствоотображенияреализованоповышеуказанномуустройству. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 6 ил.

6. 发明专利

RU2378415C2 СПОСОБ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ И АППАРАТ ДЛЯ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ 未知
公开(公告)号：RU2378415C2
公开(公告)日：2010-01-10
申请号：RU2006143209
申请日：2005-06-07
申请人： ULVAC INC
发明人： OTA ATSUSI , TAGUTI SINITIRO , SUGIURA ISAO , TANI NORIAKI , ARAI MAKOTO , KIJOTA DZUNIA
IPC分类号： C23C14/35 , H01J37/34
摘要： Изобретениеотноситсяк способуи аппаратумагнетронногораспыленияи позволяетзначительноуменьшитьаномальныйразряднаповерхностимишении неразмытыеобласти, вызывающиеотложениематериаламишени. Несколькомишеней (8А, 8В, 8С, 8D) располагаютсяв вакууметак, чтобыбытьэлектрическинезависимымидруготдруга, ираспылениепроводитсяпутемсозданиямагнетронногоразрядавблизимишеней (8А, 8В, 8С, 8D). Вовремяраспыленияк соседниммишеням (8А, 8В, 8С 8D) поочередноприкладываютсянапряжения, имеющиеразностьфаз 180 градусов, сопределеннымвременнымпрофилем. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 6 ил.

7. 发明公开

EP1939322A4 SPUTTERING APPARATUS 审中-公开
公开(公告)号：EP1939322A4
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：EP06811301
申请日：2006-10-05
申请人： ULVAC INC
发明人： TAKASAWA SATORU , UKISHIMA SADAYUKI , TANI NORIAKI , ISHIBASHI SATORU
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/34 , H01J37/34 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01J37/347 , H01J37/3482 , H01L51/5203 , H01L51/56

8. 发明公开

EP1978127A4 SPATTERING DEVICE AND FILM FORMING METHOD 审中-公开
标题翻译：注射装置和成膜方法
公开(公告)号：EP1978127A4
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：EP07706806
申请日：2007-01-16
申请人： ULVAC INC
发明人： TAKASAWA SATORU , UKISHIMA SADAYUKI , TANI NORIAKI , ISHIBASHI SATORU
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/10 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01L21/31
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/10 , H01J37/3405 , H01J37/3423

9. 发明公开

EP1939321A4 SPUTTERING APPARATUS AND FILM FORMING METHOD 失效
标题翻译：溅射和拍摄过程
公开(公告)号：EP1939321A4
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：EP06811300
申请日：2006-10-05
申请人： ULVAC INC
发明人： TAKASAWA SATORU , UKISHIMA SADAYUKI , TANI NORIAKI , ISHIBASHI SATORU
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01J37/34 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/086 , C23C14/568 , H01J37/3266 , H01J37/32752 , H01J37/34 , H01J37/3408 , H01J37/347

10. 发明公开

EP2101346A4 METHOD FOR FORMING WIRING FILM, TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：法形成布线膜，晶体管和电子元件
公开(公告)号：EP2101346A4
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：EP07860159
申请日：2007-12-26
申请人： ULVAC INC
发明人： TAKASAWA SATORU , TAKEI MASAKI , TAKAHASHI HIROHISA , KATAGIRI HIROAKI , UKISHIMA SADAYUKI , TANI NORIAKI , ISHIBASHI SATORU , MASUDA TADASHI
IPC分类号： H01L21/3205 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/16 , H05K3/388 , H01L2924/00

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式