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1. 发明公开

KR20200132964A 성막 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200132964A
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：KR20207029821
申请日：2019-01-29
申请人： ULVAC INC
发明人： MIZUNO TAIHEI , ISOBE TATSUNORI
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/08 , C23C14/34
摘要： 기판표면에산화인듐계산화물막을성막할 때에기판의 X축방향에서의막질이불균일해지는것을억제할수 있도록한 성막방법을제공한다. 본발명의성막방법은기판(Sw) 면내에서서로직교하는방향을 X축방향및 Y축방향으로하고, 진공처리실(11) 내에기판과이 기판보다 X축방향길이가긴 타겟(Tg1 ~ Tg8)을서로동심으로대향배치하며, 진공분위기의진공처리실내에희가스와산소가스를각각도입하고, 각타겟에전력투입하여플라스마분위기의희가스이온으로표적을스퍼터링함으로써기판표면에산화인듐계산화물막을성막한다. 타겟측에서기판으로향하는방향을위로하여, X축방향에서기판단영역 (Sa) 직하의제 1 위치및 X축방향에서기판단(Se)으로부터타겟단을향해신장되는연장영역(Ea) 직하의제 2 위치중 적어도한쪽으로부터기판을향해산소가스를도입한다.

2. 发明专利

DE112013007385T5 Gerät zum reaktiven Sputtern 未知
公开(公告)号：DE112013007385T5
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：DE112013007385
申请日：2013-10-03
申请人： ULVAC INC
发明人： OHNO TETSUHIRO , TAKEI MASAKI , ISOBE TATSUNORI , KIYOTA JUNYA , SATO SHIGEMITSU
IPC分类号： C23C14/34
摘要： Dieses Gerät zum reaktiven Sputtern umfasst eine Kathodenvorrichtung(18), die Sputterpartikel zu einem Bildungsbereich für Verbundfilm (R1) emittiert. Die Kathodenvorrichtung (18) umfasst: Eine Scaneinheit(27), die einen Erosionsbereich in einem gegenüberliegenden Bereich (R2) scannt; und ein Target (23), in dem der Erosionsbereich gebildet wird, und sie hat eine Länge in der Scanrichtung, die kürzer ist als die des gegenüberliegenden Bereichs (R2). Die Scaneinheit (27) scannt den Erosionsbereich in Richtung des gegenüberliegenden Bereichs (R2) von einer Startposition (St) aus, wobei der Abstand (D1) zwischen einem ersten Ende (Re1) der zwei Enden des Bildungsbereichs (R1) in der Scanrichtung, an dem die Sputterpartikel zuerst ankommen, und einem ersten Ende (23e1) des Targets (23), das näher an dem ersten Ende (Re1) des Bildungsbereichs in der Scanrichtung liegt, 150 mm oder mehr in der Scanrichtung beträgt.

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