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1. 发明专利

DE112010001526T9 Herstellungssystem für ein photoelektrisches Umwandlungsgerät und Herstellungsverfahrenfür ein photoelektrisches Umwandlungsgerät 未知
公开(公告)号：DE112010001526T9
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：DE112010001526
申请日：2010-04-06
申请人： ULVAC INC
发明人： NOGUCHI TAKAFUMI , OGATA HIDEYUKI , MORI KATSUHIKO , SHIMIZU YASUO , UCHIDA HIROTO , ASARI SHIN
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/076
摘要： Herstellungssystem für ein photoelektrisches Umwandlungsgerät, in dem ein photoelektrisches Umwandlungsgerät herstellbar ist, wobei das photoelektrische Umwandlungsgerät eine p-Typ-Halbleiterschicht, eine i-Typ-Halbleiterschicht, und eine n-Typ-Halbleiterschicht beinhaltet, die aufeinanderfolgend auf einem transparenten, elektrisch leitfähigen Film, der auf einem Substrat in dem photoelektrischen Umwandlungsgerät gebildet ist, geschichtet sind. Das System beinhaltet: eine Reaktionskammer zur Bildung einer i-Schicht, die zumindest einen ersten Filmbildungsabschnitt, einen zweiten Filmbildungsabschnitt, und einen dritten Filmbildungsabschnitt umfasst, wobei die Reaktionskammer zur Bildung einer i-Schicht die i-Typ-Halbleiterschicht bildet, wobei der erste Filmbildungsabschnitt, der zweite Filmbildungsabschnitt, und der dritte Filmbildungsabschnitt aufeinanderfolgend entlang einer Transferrichtung, in der das Substrat transferiert wird, angeordnet sind; und eine Mehrzahl von Türventilen, die den ersten Filmbildungsabschnitt, den zweiten Filmbildungsabschnitt, und den dritten Filmbildungsabschnitt so trennen, dass die Länge des zweiten Filmbildungsabschnitts größer ist als die Längen des ersten Filmbildungsabschnitts und des dritten Filmbildungsabschnitts in der Transferrichtung.

2. 发明专利

DE112008003488T5 Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors und Dünnschichttransistor 未知
公开(公告)号：DE112008003488T5
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：DE112008003488
申请日：2008-12-12
申请人： ULVAC INC
发明人： MORIMURA TARO , KIKUCHI TORU , HASHIMOTO MASANORI , ASARI SHIN , SAITO KAZUYA , NAKAMURA KYUZO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786

3. 发明专利

DE112010000717T8 Plasmaverarbeitungsvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112010000717T8
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：DE112010000717
申请日：2010-01-06
申请人： ULVAC INC
发明人： WAKAMATSU SADATSUGU , KAMESAKI KOJI , KIKUCHI MASASHI , JIMBO YOSUKE , ETO KENJI , ASARI SHIN , UCHIDA HIROTO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04

4. 发明专利

DE112010000717T5 Plasmaverarbeitungsvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112010000717T5
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：DE112010000717
申请日：2010-01-06
申请人： ULVAC INC
发明人： WAKAMATSU SADATSUGU , KAMESAKI KOJI , KIKUCHI MASASHI , JIMBO YOSUKE , ETO KENJI , ASARI SHIN , UCHIDA HIROTO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
摘要： Eine Plasmaverarbeitungsvorrichtung beinhaltet: ein Basiselement (3), das eine erste Basisseite (33), eine zweite Basisseite (33a), und einen Basis-Stufe-Differenz-Abschnitt (34) beinhaltet; eine Isolierungsplatte (35), die auf der zweiten Basisseite (33a) angeordnet ist und die aus einem Isolierungsmaterial gebildet ist, wobei die Isolierungsplatte (35) eine Höhe aufweist, die kleiner oder gleich dem Abstand von der zweiten Basisseite (33a) zu einer oberen Seite (10a) eines Substrats (10), das auf der ersten Basisseite (33) befestigt ist, ist; eine Brauseplatte (5), die eine erste Brauseseite (5a), eine zweite Brauseseite (5b), und einen Brause-Stufe-Differenz-Abschnitt (42) beinhaltet; und eine Elektrodenmaske (43), die auf der zweiten Brauseseite (5b) so angeordnet ist, dass sie der Isolierungsplatte (35) gegenüberliegt, und die aus einem Isolierungsmaterial gebildet ist, wobei die Elektrodenmaske (43) eine Höhe aufweist, die kleiner oder gleich dem Abstand von der zweiten Brauseseite (5b) zu der ersten Brauseseite (5a) ist.

5. 发明专利

DE112010000717B4 Plasmaverarbeitungsvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112010000717B4
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：DE112010000717
申请日：2010-01-06
申请人： ULVAC INC
发明人： WAKAMATSU SADATSUGU , KAMESAKI KOJI , KIKUCHI MASASHI , JIMBO YOSUKE , ETO KENJI , ASARI SHIN , UCHIDA HIROTO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/32 , H01L31/04
摘要： Plasmaverarbeitungsvorrichtung, umfassend: eine Kammer (2), in die ein Prozessgas eingeführt wird, und in der Plasma, das das Prozessgas beinhaltet, erzeugt wird; ein Basiselement (3), das eine erste Basisseite (33), auf der ein Substrat (10) zu befestigen ist, eine zweite Basisseite (33a), die an einem peripheren Randabschnitt der ersten Basisseite (33) bereitgestellt ist, und einen Basis-Stufe-Differenz-Abschnitt (34), der zwischen der ersten Basisseite (33) und der zweiten Basisseite (33a) bereitgestellt ist, beinhaltet, wobei das Basiselement (3) in der Kammer (2) angeordnet ist; eine Isolierungsplatte (35), die auf der zweiten Basisseite (33a) angeordnet ist und die aus einem Isolierungsmaterial (35) gebildet ist, wobei die Isolierungsplatte eine Höhe aufweist, die kleiner oder gleich dem Abstand von der zweiten Basisseite (33a) zu einer oberen Seite (10a) des Substrats (10), das auf der ersten Basisseite (33) befestigt ist, ist; eine Brauseplatte (5), die eine erste Brauseseite (5a), auf der ein Ejektionsloch (6) gebildet ist, eine zweite Brauseseite (5b), die an einem peripheren Randabschnitt der ersten Brauseseite (5a) bereitgestellt ist, und einen Brause-Stufe-Differenz-Abschnitt (42), der zwischen der ersten Brauseseite (5a) und der zweiten Brauseseite (5b) bereitgestellt ist, beinhaltet, wobei die Brauseplatte (5) das Prozessgas in Richtung des Substrats (10) bereitstellt und die Brauseplatte (5) in der Kammer (2) angeordnet ist; und eine Elektrodenmaske (43), die auf der zweiten Brauseseite (5b) so angeordnet ist, dass sie der Isolierungsplatte (35) gegenüberliegt, und die aus einem Isolierungsmaterial gebildet ist, wobei die Elektrodenmaske (43) eine Höhe auf weist, die kleiner oder gleich dem Abstand von der zweiten Brauseseite (5b) zu der ersten Brauseseite (5a) ist.

6. 发明专利

DE112010000869B4 Plasmaverarbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Bilden monokristallinen Siliziums 未知
公开(公告)号：DE112010000869B4
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：DE112010000869
申请日：2010-01-08
申请人： ULVAC INC
发明人： WAKAMATSU SADATSUGU , JIMBO YOSUKE , KAMESAKI KOJI , KIKUCHI MASASHI , UCHIDA HIROTO , ETO KENJI , ASARI SHIN
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/18
摘要： Plasmaverarbeitungsvorrichtung umfassend: eine Verarbeitungskammer, die zusammengesetzt ist aus einer Kammer (2), einem Elektrodenflansch (4) mit einer Vielzahl von Gaseinführungsschnittstellen (34), und einem zwischen der Kammer (2) und dem Elektrodenflansch (4) angeordneten Isolierungsflansch (81), wobei die Verarbeitungskammer eine Reaktionskammer (α) umfasst; eine Unterstützungseinrichtung (15), die in der Reaktionskammer (α) beinhaltet ist und auf der ein Substrat (10) anzuordnen ist, wobei die Unterstützungseinrichtung (15) eine Temperatur des Substrats (10) steuert; eine Brauseplatte (5), die in der Reaktionskammer (α) beinhaltet ist und die gegenüber dem Substrat (10) angeordnet ist, wobei die Brauseplatte (5) ein Verarbeitungsgas in Richtung des Substrats (10) bereitstellt; eine Vielzahl von Gasversorgungseinrichtungen (8), die in einem Raum (31) zwischen dem Elektrodenflansch (4) und der Brauseplatte (5) bereitgestellt sind, die mit jeder der Gaseinführungsschnittstellen (34) in Verbindung stehen und die ringförmig in einer konzentrischen Form angeordnet sind, wobei die Gasversorgungseinrichtungen (8) separat voneinander verschiedene Zusammensetzungen des Verarbeitungsgases in Richtung der Brauseplatte (5) bereitstellen; und ...

7. 发明专利

DE112010000724T8 Plasmaverarbeitungsvorrichtung und Plasma-CVD-Filmbildungsverfahren 未知
公开(公告)号：DE112010000724T8
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：DE112010000724
申请日：2010-01-05
申请人： ULVAC INC
发明人： KAMESAKI KOJI , KIKUCHI MASASHI , WAKAMATSU SADATSUGU , JIMBO YOSUKE , ETO KENJI , ASARI SHIN , UCHIDA HIROTO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04

8. 发明专利

DE112010000818T8 Plasmaverarbeitungsvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112010000818T8
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：DE112010000818
申请日：2010-01-05
申请人： ULVAC INC
发明人： WAKAMATSU SADATSUGU , KAMESAKI KOJI , KIKUCHI MASASHI , JIMBO YOSUKE , ETO KENJI , ASARI SHIN , UCHIDA HIROTO
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/04

9. 发明专利

DE112010000724T5 Plasmaverarbeitungsvorrichtung und Plasma-CVD-Filmbildungsverfahren 未知
公开(公告)号：DE112010000724T5
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：DE112010000724
申请日：2010-01-05
申请人： ULVAC INC
发明人： KAMESAKI KOJI , KIKUCHI MASASHI , WAKAMATSU SADATSUGU , JIMBO YOSUKE , ETO KANJI , ASARI SHIN , UCHIDA HIROTO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
摘要： Eine Plasmaverarbeitungsvorrichtung beinhaltet: eine Prozesskammer (101), die eine Reaktionskammer (2a) beinhaltet; einen Stützabschnitt (15), der in der Reaktionskammer (2a) enthalten ist, auf dem ein Substrat (10), das eine Reaktionskammer (10a) aufweist, befestigt ist, und der eine Temperatur des Substrats (10) steuert; eine Brauseplatte (5), die in der Reaktionskammer (2a) enthalten ist, und die so angeordnet ist, dass sie der Reaktionskammer (10a) gegenüberliegt, und die ein Prozessgas in Richtung des Substrats (10) bereitstellt; eine Drucksteuerplatte (51), die einen Raum (24), der zwischen einem Elektrodenflansch (4) und der Brauseplatte (5) bereitgestellt ist, in einen ersten Raum (24a), der an einer Seite eines Gaseinführanschlusses (42) gebildet ist, und einen zweiten Raum (24b), der an einer Seite der Brauseplatte (5) gebildet ist, trennt, wobei ein Abstand zwischen dem Substrat (10) und der Brauseplatte (5) 3 mm bis 10 mm beträgt.

10. 发明专利

DE112010001526T5 Herstellungssystem für ein photoelektrisches Umnwandlungsgerät und Herstellungsverfahrenfür ein photoelektrisches Umwandlungsgerät 未知
公开(公告)号：DE112010001526T5
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：DE112010001526
申请日：2010-04-06
申请人： ULVAC INC
发明人： NOGUCHI TAKAFUMI , OGATA HIDEYUKI , MORI KATSUHIKO , SHIMIZU YASUO , UCHIDA HIROTO , ASARI SHIN
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/076
摘要： Herstellungssystem für ein photoelektrisches Umwandlungsgerät, in dem ein photoelektrisches Umwandlungsgerät herstellbar ist, wobei das photoelektrische Umwandlungsgerät eine p-Typ-Halbleiterschicht, eine i-Typ-Halbleiterschicht, und eine n-Typ-Halbleiterschicht beinhaltet, die aufeinanderfolgend auf einem transparenten, elektrisch leitfähigen Film, der auf einem Substrat in dem photoelektrischen Umwandlungsgerät gebildet ist, geschichtet sind. Das System beinhaltet: eine Reaktionskammer zur Bildung einer i-Schicht, die zumindest einen ersten Filmbildungsabschnitt, einen zweiten Filmbildungsabschnitt, und einen dritten Filmbildungsabschnitt umfasst, wobei die Reaktionskammer zur Bildung einer i-Schicht die i-Typ-Halbleiterschicht bildet, wobei der erste Filmbildungsabschnitt, der zweite Filmbildungsabschnitt, und der dritte Filmbildungsabschnitt aufeinanderfolgend entlang einer Transferrichtung, in der das Substrat transferiert wird, angeordnet sind; und eine Mehrzahl von Türventilen, die den ersten Filmbildungsabschnitt, den zweiten Filmbildungsabschnitt, und den dritten Filmbildungsabschnitt so trennen, dass die Länge des zweiten Filmbildungsabschnitts größer ist als die Längen des ersten Filmbildungsabschnitts und des dritten Filmbildungsabschnitts in der Transferrichtung.

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