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1. 发明专利

JP2653632B2 失效
公开(公告)号：JP2653632B2
公开(公告)日：1997-09-17
申请号：JP32753193
申请日：1993-12-24
申请人： TOSHIBA KK , TOSHIBA MAIKUROEREKUTORONIKUSU KK
发明人： ATSUMI SHIGERU , SAITO SHINJI , TANAKA SUMIO , OOTSUKA NOBUAKI , YOSHIKAWA KUNYOSHI , KAMEI TAKASHI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

2. 发明公开

EP2325899A4 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：EP2325899A4
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：EP09810080
申请日：2009-08-31
申请人： TOSHIBA KK
发明人： NAGO HAJIME , TACHIBANA KOICHI , SAITO SHINJI , HARADA YOSHIYUKI , NUNOUE SHINYA
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06

3. 发明公开

EP0549795A4 SEMICONDUCTOR STORING DEVICE 失效
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：EP0549795A4
公开(公告)日：1996-10-02
申请号：EP91915980
申请日：1991-09-17
申请人： TOSHIBA KK
发明人： KATO HIDEO , ASANO MASAMICHI , SAITO SHINJI , MATSUDA SHIGERU
IPC分类号： G11C5/00 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/30 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/30 , G11C5/00 , G11C16/10 , G11C16/12

4. 发明专利

DE102020207904A1 Quantenkaskadenlaser und Herstellungsverfahren dafür 未知
公开(公告)号：DE102020207904A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：DE102020207904
申请日：2020-06-25
申请人： TOSHIBA KK
发明人： SAITO SHINJI , KANEKO KEI , HASHIMOTO REI , KAKUNO TSUTOMU
IPC分类号： H01S5/343
摘要： Ein Quantenkaskadenlaser weist lichtemittierende Quantentopfschichten, die zum Emittieren von Infrarot-Laserlicht durch einen Intersubband-Übergang konfiguriert sind; und Injektions-Quantentopfschichten, die zur Trägerenergierelaxation konfiguriert sind, auf. Die lichtemittierenden Quantentopfschichten und die Injektions-Quantentopfschichten sind abwechselnd gestapelt. Die Injektions-Quantentopfschichten relaxieren die Energie von Trägern, die von den jeweiligen lichtemittierenden Quantentopfschichten her injiziert werden. Die lichtemittierenden Quantentopfschichten und die Injektions-Quantentopfschichten weisen Barriereschichten auf. Wenigstens eine Barriereschicht weist eine erste und eine zweite Region aus einem ersten ternären Verbindungshalbleiter und eine dünne Schicht aus einem binären Verbindungshalbleiter auf. Die dünne Schicht aus dem binären Verbindungshalbleiter ist zwischen der ersten und der zweiten Region bereitgestellt. Der erste ternäre Verbindungshalbleiter weist Atome der dritten Hauptgruppe und ein Atom der fünften Hauptgruppe auf. Die dünne Schicht aus dem binären Verbindungshalbleiter weist ein Atom der dritten Hauptgruppe des ersten ternären Verbindungshalbleiters und das Atom der fünften Hauptgruppe auf.

5. 发明专利

JPH0318277B2 失效
公开(公告)号：JPH0318277B2
公开(公告)日：1991-03-12
申请号：JP24481784
申请日：1984-11-20
申请人： TOSHIBA KK , TOSHIBA MAIKURO EREKUTORONIKUSU KK
发明人： KAMEI TAKASHI , ATSUMI SHIGERU , TANAKA SUMIO , SAITO SHINJI
IPC分类号： G11C17/00 , G11C16/06 , H03K19/094 , H03K19/0948 , H03K19/0952

6. 发明专利

JPH0324070B2 失效
公开(公告)号：JPH0324070B2
公开(公告)日：1991-04-02
申请号：JP4375186
申请日：1986-02-28
申请人： TOSHIBA KK , TOSHIBA MAIKURO EREKUTORONIKUSU KK
发明人： ATSUMI SHIGERU , SAITO SHINJI , TANAKA SUMIO , OOTSUKA NOBUAKI , YOSHIKAWA KUNYOSHI , KAMEI TAKASHI
IPC分类号： H01L21/8234 , G11C11/419 , H01L21/8238 , H01L21/8247 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792

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