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1. 发明专利

DE102010004104A1 Diffusionsmittelzusammensetzung, Verfahren zum Bilden einer Verunreinigungsdiffusionsschicht, und Solarbatterie 未知
公开(公告)号：DE102010004104A1
公开(公告)日：2010-09-09
申请号：DE102010004104
申请日：2010-01-07
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： HIRAI TAKAAKI , TANITSU KATSUYA
IPC分类号： H01L21/228 , H01L31/18
摘要： Eine Diffusionsmittelzusammensetzung wird zum Tintenstrahldrucken verwendet und enthält eine Verunreinigungsdiffusionskomponente vom P-Typ (A), eine wasserlösliche Polymerverbindung (B) mit einer alkoholischen Hydroxyl-Gruppe und ein Lösungsmittel (C), welches ein organisches Lösungsmittel mit einer Oberflächenspannung von höchstens etwa 30 mN/m enthält.

2. 发明专利

DE102007008163A1 Composition for forming an adhesive layer, especially for relief printing plates, contains a carboxyl group-containing polymer and an oxazoline group-containing polymer 未知
公开(公告)号：DE102007008163A1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：DE102007008163
申请日：2007-02-19
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： KATAYOSE YOSHIAKI , HIRAI TAKAAKI , NAKAZATO SYUNJI
IPC分类号： C09J139/04
摘要： A composition for forming an adhesive layer includes (A) a carboxyl group-containing polymer; and (B) an oxazoline group-containing polymer. Independent claims are also included for (i) a relief printing plate which has the above adhesive layer between a substrate and a photosensitive resin layer; and (ii) production of the printing plate by applying the adhesive layer to a substrate, heat hardening the layer and forming a photosensitive resin layer on the adhesive layer.

3. 发明专利

DE102010050552A1 Maskenmaterial-Zusammensetzung, Verfahren zur Bildung einer Verunreinigungsdiffusionsschicht und Solarbatterie 未知
公开(公告)号：DE102010050552A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：DE102010050552
申请日：2010-11-05
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： TAKAHASHI MOTOKI , MORITA TOSHIRO , HIRAI TAKAAKI
IPC分类号： C08G77/04 , C09D183/04 , H01L21/22 , H01L31/068 , H01L31/18

4. 发明专利

DE102007008163B4 Reliefdruckplatte sowie Verfahren zu ihrer Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102007008163B4
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：DE102007008163
申请日：2007-02-19
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： KATAYOSE YOSHIAKI , HIRAI TAKAAKI , NAKAZATO SYUNJI
IPC分类号： G03F7/11 , C09J139/04 , G03F7/085
摘要： Eine Reliefdruckplatte, umfassend ein Substrat und eine photosensitive Harzschicht, die über eine Klebschicht aufgebracht ist, wobei die Klebschicht eine Zusammensetzung enthält, umfassend (a) ein Carboxylgruppen enthaltendes Polymer (b) ein Oxazolingruppen enthaltendes Polymer und (c) ein durch Licht polymerisierbares Monomer, das eine Carboxylgruppe aufweist.

5. 发明公开

EP2573800A4 DIFFUSION AGENT COMPOSITION, METHOD OF FORMING AN IMPURITY DIFFUSION LAYER, AND SOLAR CELL 有权
标题翻译： DIFFUSIONSMITTELZUSAMMENSETZUNG，VERFAHREN ZUR FORMUNG EINER UNREINHEITENDIFFUSIONSSCHICHT UND SOLARZELLE
公开(公告)号：EP2573800A4
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：EP11783206
申请日：2011-04-12
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： MUROTA ATSUSHI , HIRAI TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/225 , H01L21/228 , H01L31/04
CPC分类号： H01L21/2225 , H01L21/18 , H01L21/182 , H01L21/228 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The disclosed diffusion agent composition is used in the formation of an impurity diffusion agent layer on a semiconductor substrate, and contains (A) an impurity diffusion component, (B) a silicon compound, and (C) a solvent containing (C1) a solvent with a boiling point of 100C or less, (C2) a solvent with a boiling point of 120-180C, and a (C3) solvent with a boiling point of 240-300C.
摘要翻译：所公开的扩散剂组合物用于在半导体衬底上形成杂质扩散剂层，并且包含（A）杂质扩散组分，（B）硅化合物，和（C）含有（C1）溶剂的溶剂沸点为100℃以下，（C2）沸点为120-180℃的溶剂和沸点为240-300℃的（C3）溶剂。

6. 发明公开

EP2472569A4 DIFFUSION AGENT COMPOSITION, METHOD OF FORMING IMPURITY DIFFUSION LAYER, AND SOLAR CELL 有权
标题翻译：漫射剂组成，形成一种意识UNREIN扩散层和太阳能电池方法
公开(公告)号：EP2472569A4
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：EP10811467
申请日：2010-08-18
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： HIRAI TAKAAKI , MUROTA ATSUSHI , TANITSU KATSUYA
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/04
CPC分类号： H01L21/228 , H01L21/2225 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Disclosed is a diffusion agent composition that includes: an impurity diffusion component (A); a binder resin (B), which thermally decomposes and disappears at a temperature lower than the temperature at which the impurity diffusion component (A) begins to thermally diffuse; SiO 2 micro-particles (C); and an organic solvent (D), which contains an organic solvent (D1) having a boiling point of 100°C or greater. Also disclosed is a method for forming an impurity diffusion layer. The method includes a pattern formation step whereby a pattern is formed by printing the aforementioned diffusion agent composition onto a semi-conductor substrate, and a diffusion step whereby the impurity diffusion component (A) in the diffusion agent composition is diffused onto the semi-conductor substrate. Further disclosed is a solar cell, provided with a semi-conductor substrate whereon an impurity diffusion layer has been formed by means of the above mentioned impurity diffusion layer formation method.

7. 发明专利

JP2009253145A Preprocessing method in forming diffusion layer 有权
标题翻译：形成扩散层的预处理方法
公开(公告)号：JP2009253145A
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：JP2008101383
申请日：2008-04-09
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： MORITA TOSHIRO , TANITSU KATSUYA , HIRAI TAKAAKI , MUROTA ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a preprocessing method for selectively forming a diffusion layer on the surface of a substrate while preventing a smear or a spread on a pattern after application using an inkjet system. SOLUTION: This preprocessing method includes a step of forming a liquid-repellent layer on a substrate before forming a diffusion layer by selectively applying a diffuser for forming silicon-containing coating using the inkjet system. Such the liquid-repellent layer is preferably formed using a liquid-containing organic silazane compound or a metal compound capable of generating a hydroxyl group by hydrolysis. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于在基板表面上选择性地形成扩散层的预处理方法，同时防止在使用喷墨系统的涂布之后的图案上的涂抹或扩散。解决方案：该预处理方法包括通过使用喷墨系统选择性地施加用于形成含硅涂层的扩散器，在形成扩散层之前在衬底上形成拒水层的步骤。防液层优选使用含液体的有机硅氮烷化合物或能够通过水解产生羟基的金属化合物形成。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2009238824A Manufacturing method of electrode for semiconductor, and solar cell using the same 审中-公开
标题翻译：用于半导体的电极的制造方法和使用其的太阳能电池
公开(公告)号：JP2009238824A
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：JP2008080033
申请日：2008-03-26
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： HIRAI TAKAAKI , TANITSU KATSUYA
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of surely and selectively forming an impurity diffusion region without needing a complicated process, and manufacturing an electrode including such an impurity diffusing agent layer. SOLUTION: This electrode manufacturing method includes processes of: forming an impurity diffusing agent layer on a semiconductor substrate; selectively heating the impurity diffusing agent layer by using a laser to diffuse an impurity diffusing agent in the heated part into the semiconductor substrate; and removing the impurity diffusing agent layer. The impurity diffusing agent contains a compound of a group III element or a compound of a group V element. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种确定地且有选择地形成杂质扩散区而不需要复杂工艺的方法，以及制造包括这种杂质扩散剂层的电极。解决方案：该电极制造方法包括以下工序：在半导体衬底上形成杂质扩散剂层; 通过使用激光来选择性地加热杂质扩散剂层，以将加热部分中的杂质扩散剂扩散到半导体衬底中; 并去除杂质扩散剂层。杂质扩散剂含有III族元素的化合物或V族元素的化合物。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2013218269A Method for forming resist pattern, method for forming pattern, solar cell and positive resist composition 有权
标题翻译：形成电阻图案的方法，形成图案，太阳能电池和积极电阻组合物的方法
公开(公告)号：JP2013218269A
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：JP2012249630
申请日：2012-11-13
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： TOMITA HIROAKI , YOSHII YASUHIRO , HIRAI TAKAAKI
IPC分类号： G03F7/022 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve removability of a resist film in a recessed part of a support body.SOLUTION: A method for forming a resist pattern includes steps of: applying the following positive resist composition on a support body including a solar cell substrate to form a resist film; selectively irradiating the resist film with light to expose; and developing the exposed resist film with an alkali solution to remove the exposed part. The positive resist composition comprises a novolac resin (A) and a photosensitive agent (B) including an ester compound of phenols (B1) having a tris(hydroxyphenyl)methane skeleton with a quinone diazide group-containing sulfonyl compound (B2), and shows 10% or more transmittance for light at a wavelength of 365 nm in a resist film of the composition having 3 μm film thickness.
摘要翻译：要解决的问题：提高支撑体的凹部中的抗蚀剂膜的可除去性。解决方案：形成抗蚀剂图案的方法包括以下步骤：将以下正性抗蚀剂组合物施加到包括太阳能电池基板的支撑体上，形成抗蚀膜; 用光选择性地照射抗蚀剂膜以曝光; 并用碱溶液显影曝光的抗蚀剂膜以除去暴露的部分。正型抗蚀剂组合物包含酚醛清漆树脂（A）和包含具有三（羟基苯基）甲烷骨架的苯酚（B1）与含醌二叠氮基基团的磺酰基化合物（B2）的酯化合物的感光剂（B），并且显示在具有3μm膜厚的组合物的抗蚀剂膜中，波长365nm的光的透射率为10％以上。

10. 发明专利

JP2011171600A Diffusion method of impurity diffusing component, and method of manufacturing solar cell 审中-公开
标题翻译：绝缘扩散部件的扩散方法和制造太阳能电池的方法
公开(公告)号：JP2011171600A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：JP2010035277
申请日：2010-02-19
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： MUROTA ATSUSHI , KAMIZONO TAKASHI , HIRAI TAKAAKI , TANITSU KATSUYA
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the generation of abnormal diffusion while preventing the reduction of the number of semiconductor substrates placeable in a diffusion furnace at once and an increase of the number of manufacturing processes. SOLUTION: A diffusion method of an impurity diffusing component includes steps of: forming an N-type diffusion layer 2 containing an N-type impurity diffusing component on one surface of a semiconductor substrate 1; forming a P-type diffusion layer 4 containing a P-type impurity diffusion component on the other surface of the semiconductor substrate 1; arranging a plurality of the semiconductor substrates 1 so that the diffusion layers containing the same conductive impurity diffusion components are opposed to each other in a diffusion furnace; diffusing the N-type impurity diffusion component on the one surface of the semiconductor substrate 1; and also diffusing the P-type impurity diffusing component on the other surface of the semiconductor substrate 1 by heating the semiconductor substrates 1 in the diffusion furnace. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：为了抑制异常扩散的产生，同时防止一次放置在扩散炉中的半导体衬底的数量的减少以及制造工艺数量的增加。解决方案：杂质扩散组分的扩散方法包括以下步骤：在半导体衬底1的一个表面上形成含有N型杂质扩散组分的N型扩散层2; 在半导体衬底1的另一个表面上形成包含P型杂质扩散组分的P型扩散层4; 布置多个半导体衬底1，使得包含相同导电杂质扩散组分的扩散层在扩散炉中彼此相对; 在半导体衬底1的一个表面上扩散N型杂质扩散组分; 并且还通过加热扩散炉中的半导体衬底1将P型杂质扩散组分扩散到半导体衬底1的另一个表面上。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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