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1. 发明申请

WO2012071192A2 SIDEWALL IMAGE TRANSFER PITCH DOUBLING AND INLINE CRITICAL DIMENSION SLIMMING 审中-公开
标题翻译：边框图像转移点击重置和在线关键尺寸滑移
公开(公告)号：WO2012071192A2
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/US2011/060381
申请日：2011-11-11
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. , DUNN, Shannon, W. , HETZER, Dave
发明人： DUNN, Shannon, W. , HETZER, Dave
IPC分类号： H01L21/033
CPC分类号： H01L21/0337 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0274 , Y10S438/947 , Y10S438/948 , Y10T428/24479 , Y10T428/24612
摘要： A method for patterning a substrate (110, 310) is described. The patterning method may include performing a lithographic process to produce a pattern (122, 142, 321) and a critical dimension (CD) slimming process to reduce a CD (124, 144, 325) in the pattern (122, 142, 321) to a reduced CD (126, 146, 335). Thereafter, the pattern is doubled to produce a double pattern using a sidewall image transfer technique.
摘要翻译：描述了用于图案化衬底（110,310）的方法。图案化方法可以包括执行光刻处理以产生图案（122,142,321）和临时尺寸（CD）减肥过程以减少图案（122,142,321）中的CD（124,144,325）到减少的CD（126,146,335）。此后，使用侧壁图像转印技术将图案加倍以产生双重图案。

2. 发明申请

WO2012071193A2 DOUBLE PATTERNING WITH INLINE CRITICAL DIMENSION SLIMMING 审中-公开
标题翻译：使用在线关键尺寸缩小的双重图案
公开(公告)号：WO2012071193A2
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/US2011/060386
申请日：2011-11-11
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. , DUNN, Shannon, W. , HETZER, Dave
发明人： DUNN, Shannon, W. , HETZER, Dave
IPC分类号： H01L21/033
CPC分类号： H01L21/0337 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0274 , Y10S438/947 , Y10S438/948 , Y10T428/24479 , Y10T428/24612
摘要： A method for double patterning a substrate (110, 310) is described. The double patterning method may include a litho/freeze/litho/etch (LFLE) technique that includes a first (critical dimension) CD slimming process to reduce the first CD (124, 325) to a first reduced CD (126, 326) and a second CD slimming process to reduce the second CD (144, 326) to a second reduced CD (146, 335).
摘要翻译：描述了用于双重图案化衬底（110,310）的方法。双重图案化方法可以包括光刻/冷冻/光刻/蚀刻（LFLE）技术，其包括将第一CD（124,325）还原成第一还原CD（126,326）的第一（临界尺寸）CD纤细过程和进行第二次CD减肥处理以将第二CD（144,326）减少为第二减少的CD（146,335）。

3. 发明申请

WO2008036496A1 METHOD FOR DOUBLE PATTERNING A DEVELOPABLE ANTI-REFLECTIVE COATING 审中-公开
标题翻译：用于双重图案的可开发的抗反射涂层的方法
公开(公告)号：WO2008036496A1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：PCT/US2007/077166
申请日：2007-08-30
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. , DUNN, Shannon, W.
发明人： DUNN, Shannon, W.
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/09 , G03F7/095
CPC分类号： H01L21/0276 , G03F7/091 , H01L21/0338
摘要： A method for double patterning a thin film (220) on a substrate (210) is described. The method includes forming the thin film (220) to be patterned on the substrate (210), forming a developable anti-reflective coating (ARC) layer (240) on the thin film (220), and forming a layer of photo-resist (250) on the arc layer (240). Thereafter, the layer of photo-resist (250) and the arc layer (240) are imaged with a first image pattern region (252), and developed, thus forming the first image pattern (242) in the arc layer (240). The photo-resist (250) is removed and another layer of photo-resist (260) is formed on the arc layer (240). Thereafter, the other layer of photo-resist (260) and the arc layer (240) are imaged with a second image pattern region (254), and developed, thus forming the second image pattern (244) in the arc layer (240). The other photo-resist layer (260) is removed and a double patterned arc layer (240) remains for etching the underlying thin film (220).
摘要翻译：描述了在衬底（210）上双重图案化薄膜（220）的方法。该方法包括在衬底（210）上形成待图案化的薄膜（220），在薄膜（220）上形成可显影的抗反射涂层（ARC）层（240），并形成一层光致抗蚀剂（250）在弧形层（240）上。此后，用第一图案图案区域（252）对光致抗蚀剂层（250）和电弧层（240）进行成像，并显影，从而在电弧层（240）中形成第一图像图案（242）。去除光致抗蚀剂（250），在电弧层（240）上形成另一层光致抗蚀剂（260）。此后，另一层光致抗蚀剂（260）和电弧层（240）用第二图像图案区域（254）成像，并显影，从而在电弧层（240）中形成第二图像图案（244）。去除另一光致抗蚀剂层（260），并且留下双层图案化的电弧层（240）以蚀刻下面的薄膜（220）。

4. 发明申请

WO2011037809A1 HIGH NORMALITY SOLUTION FOR REMOVING FREEZE MATERIAL IN LITHOGRAPHIC APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：用于在地平线应用中去除冷冻材料的高正常解决方案
公开(公告)号：WO2011037809A1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/US2010/049056
申请日：2010-09-16
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , DUNN, Shannon, W. , KAWAKAMI, Shinichiro , HETZER, Dave
发明人： DUNN, Shannon, W. , KAWAKAMI, Shinichiro , HETZER, Dave
IPC分类号： H01L21/31 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0035 , H01L21/0273
摘要： A method for patterning a substrate is described. The method comprises forming a layer of radiation-sensitive material on the substrate, preparing a pattern in the layer of radiation-sensitive material, and applying a chemical freeze layer over the layer of radiation-sensitive material to form a frozen layer of radiation-sensitive material. Thereafter, the method comprises stripping the chemical freeze layer using a high normality strip solution to preserve the pattern in the frozen layer of radiation-sensitive material, wherein the high normality strip solution contains an active solute having a normality (N) greater than 0.26.
摘要翻译：描述了用于图案化衬底的方法。该方法包括在衬底上形成辐射敏感材料层，在辐射敏感材料层中制备图案，并在辐射敏感材料层上施加化学冻结层以形成辐射敏感材料的冷冻层材料。此后，该方法包括使用高正常条带溶液剥离化学冻结层以保留辐射敏感材料的冷冻层中的图案，其中高正常条带溶液含有正态（N）大于0.26的活性溶质。

5. 发明申请

WO2013103482A1 VAPOR TREATMENT PROCESS FOR PATTERN SMOOTHING AND INLINE CRITICAL DIMENSION SLIMMING 审中-公开
标题翻译：蒸汽处理方法，用于模式平滑和线性关键尺寸滑移
公开(公告)号：WO2013103482A1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：PCT/US2012/069082
申请日：2012-12-12
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.
发明人： DUNN, Shannon, W. , HETZER, Dave
IPC分类号： B23B3/30
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0035
摘要： A method for patterning a substrate is described. The method includes forming a layer of radiation-sensitive material on a substrate, and preparing a pattern in the layer of radiation-sensitive material using a lithographic process, wherein the pattern is characterized by a critical dimension (CD) and a roughness. Following the preparation of the pattern in the layer of radiation- sensitive material, the method further includes performing a CD slimming process to reduce the CD to a reduced CD, and performing a vapor smoothing process to reduce the roughness to a reduced roughness.
摘要翻译：描述了用于图案化衬底的方法。该方法包括在衬底上形成辐射敏感材料层，以及使用光刻工艺在辐射敏感材料层中制备图案，其中图案的特征在于临界尺寸（CD）和粗糙度。在辐射敏感材料层中制备图案之后，该方法还包括进行CD减肥过程以将CD减少到减少的CD，并进行蒸汽平滑处理以将粗糙度减小到降低的粗糙度。

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