专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

EP0004219B1 Circuit intégré comportant un système d'interconnexion à deux nappes de conducteurs; procédé de fabrication d'un tel circuit 有权
标题翻译：具有两级互联结构的集成电路; 制造这种电路的方法
公开(公告)号：EP0004219B1
公开(公告)日：1981-11-25
申请号：EP79400111.5
申请日：1979-02-23
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Nuzillat, Gérard , Arnodo, Christian
IPC分类号： H01L29/20 , H01L21/90
CPC分类号： H01L29/20 , H01L21/768 , H01L21/76834 , H01L27/0605

2. 发明公开

EP0081422A2 Procédé collectif de fabrication de circuits logiques comportant au moins un transistor à effet de champ du type à faible tension de seuil, et une résistance saturable, et circuit logique réalisé par un tel procédé 失效
标题翻译：对于逻辑电路，其包括至少一个具有低阈值电压和由该方法生产的饱和电阻和逻辑电路的场效应晶体管的集成制造工艺。
公开(公告)号：EP0081422A2
公开(公告)日：1983-06-15
申请号：EP82402181.0
申请日：1982-11-30
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Arnodo, Christian , Nuzillat, Gérard
IPC分类号： H01L21/82 , H01L27/26 , H03K19/04
CPC分类号： H03K19/0952 , H01L21/8252 , H01L27/26
摘要： L'invention a pour but de réaliser, sur une même plaquette semi-conductrice, des circuits logiques comportant deux types de transistors à effet de champ : le premier type à très faible épaisseur de canal (quasi-normalement bloqué) et le deuxième à plus grande épaisseur de canal (normalement conducteur) destiné à constituer des résistances saturables (51 et 52). A cet effet, sur une plaquette à substrat semi-isolant (1) comportant une couche superficielle active (2) où doivent s'inscrire les canaux des deux types, on règle l'épaisseur de la couche active à l'épaisseur du canal du transistor du deuxième type, et après dépôt des contacts ohmiques des transistors (53 et 54) des deux types, on creuse par érosion ionique les régions de grille des transistors du premier type pour y déposer des contacts Schottky.
摘要翻译： a）半导体晶片，其包括向活性绝缘基板（1）中的一个的制造：1.对于逻辑电路各自包含低阈值电压的至少一个场效应晶体管和一个电阻器饱和，其包括以下步骤的集体的制造方法厚度至少等于一预定值的层（2）; b）在电化学或离子蚀刻法的有源层（2）通过的侵蚀到所述层向上的厚度减小到A1通过电子手段确定的值; c）该晶片区分别意在通过台面蚀刻或通过绝缘壁（41，42和43）的离子注入以接收所述逻辑电路的组件的隔离; d）中晶体管（53和54的欧姆接触51沉积）和可饱和电阻（和52）; E）饱和电阻的欧姆触点之间和金属沉积（61,63，64和65），覆盖所述欧姆接触的沉积同时形成肖特基接触（62）; F）金属化的沉积（84）连接每个可饱和电阻在步骤（e）形成的肖特基接触的欧姆接触中的一个; 克）的生产通过离子侵蚀后的厚度依赖计算的深度A0低阈值电压的每个场效应晶体管的所述槽（81）的A1测量在步骤（b）; 1H）在步骤（g）形成的槽的底部的肖特基接触（82）的沉积; ⅰ）生产属于每个逻辑电路的互连和连接（83和85）的。

3. 发明授权

EP0081422B1 Procédé collectif de fabrication de circuits logiques comportant au moins un transistor à effet de champ du type à faible tension de seuil, et une résistance saturable, et circuit logique réalisé par un tel procédé 失效
标题翻译：用于制造包含具有低阈值电压和饱和电阻的至少一个场效应晶体管的逻辑电路的集成过程以及由该过程产生的逻辑电路
公开(公告)号：EP0081422B1
公开(公告)日：1985-07-03
申请号：EP82402181.0
申请日：1982-11-30
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Arnodo, Christian , Nuzillat, Gérard
IPC分类号： H01L21/82 , H01L27/26 , H03K19/04
CPC分类号： H03K19/0952 , H01L21/8252 , H01L27/26

4. 发明公开

EP0081422A3 Integrated process for manufacturing logical circuits comprising at least one field effect transistor having a low threshold voltage and a saturation resistor, and logical circuit made by that process 失效
标题翻译：用于制造包含具有低阈值电压和饱和电阻的至少一个场效应晶体管的逻辑电路的集成过程以及由该过程产生的逻辑电路
公开(公告)号：EP0081422A3
公开(公告)日：1983-07-20
申请号：EP82402181
申请日：1982-11-30
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Arnodo, Christian , Nuzillat, Gérard
IPC分类号： H01L21/82 , H01L27/26 , H03K19/04
CPC分类号： H03K19/0952 , H01L21/8252 , H01L27/26

5. 发明公开

EP0004219A1 Circuit intégré comportant un système d'interconnexion à deux nappes de conducteurs; procédé de fabrication d'un tel circuit 有权
标题翻译：集成电路位于两个水平线条图案; 一种用于这样的电路的制备方法。
公开(公告)号：EP0004219A1
公开(公告)日：1979-09-19
申请号：EP79400111.5
申请日：1979-02-23
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Nuzillat, Gérard , Arnodo, Christian
IPC分类号： H01L29/20 , H01L21/90
CPC分类号： H01L29/20 , H01L21/768 , H01L21/76834 , H01L27/0605
摘要： L'invention a pour objet un circuit intégré et son procédé de fabrication. Ce circuit est composé d'éléments actifs déposés sur des portions de couche (2) de type n isolées les unes des autres par un substrat en arséniure de gallium semi-isolant. Ils sont interconnectés par deux nappes de conducteurs; la nappe inférieure (5-9) prend contact sur les contacts ohmiques et Schottky appartenant aux portions de couche, et est séparée du substrat par une couche de silice (24) d'épaisseur inférieure 1000 Angstrôms. La nappe supérieure (14) est séparée de la précédente par une couche de silice (13) beaucoup plus épaisse qui assure l'isolation électrique et la protection de contacts Schottky (5). L'invention s'applique à la fabrication des circuits intégrés.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式