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1. 发明申请

WO2016046368A2 METHOD FOR PRODUCING A RESONANT STRUCTURE OF A DISTRIBUTED-FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
标题翻译：分布式反射半导体激光器的谐振结构的制造方法
公开(公告)号：WO2016046368A2
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：PCT/EP2015072099
申请日：2015-09-25
申请人： THALES SA
发明人： CARRAS MATHIEU , MAISONS GRÉGORY , SIMOZRAG BOUZID
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/1231 , G02B5/1866 , G02B6/122 , H01S5/0425 , H01S5/2086 , H01S5/2202 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2275 , H01S5/2277 , H01S5/3013 , H01S5/3402 , H01S2301/176
摘要： The invention concerns a method for reproducibly producing a resonant structure of a distributed-feedback semiconductor laser having a narrow waveguide of the order of tens of micrometers, the production of the diffraction grating being carried out after the step of producing the ribbon. In a final step, a diffraction grating is inscribed depending on a desired specific wavelength.
摘要翻译：本发明涉及一种用于可重复地制造具有几十微米数量级的窄波导的分布式反馈半导体激光器的谐振结构的方法，在制造色带的步骤之后执行衍射光栅的制造。在最后的步骤中，根据期望的特定波长刻划衍射光栅。

2. 发明申请

WO2013174945A3 OPTIMIZED SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
标题翻译：优化的半导体激光器
公开(公告)号：WO2013174945A3
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：PCT/EP2013060667
申请日：2013-05-23
申请人： THALES SA
发明人： DE NAUROIS GUY-MAEL , CARRAS MATHIEU
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/4068 , H01S5/1014 , H01S5/1035 , H01S5/3402 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： The invention relates to a device (1) comprising a plurality of spatially arrayed coherent quantum cascade semiconductor lasers, comprising a plurality of active structures placed in a plane (Oxy). The device comprises a plurality of stripes (10) forming optical guides and defined by at least one active structure, the stripes lying parallel to one another in an alignment direction (y) contained in the plane (Oxy). Each stripe (10) comprises at least one pointed first end (16). The pointed ends (16) of the stripes (10) of a first set (101) are oriented in the opposite direction to that of the pointed ends (16) of the stripes (10) of a second set (102) and penetrate between the pointed ends (16) of the stripes of the second set (102) over a penetration distance (d) defining a first coupling zone (30) via which a fundamental mode of the optical wave is transmitted via coupling of the first set of stripes (101) to the second set of stripes (102).
摘要翻译：本发明涉及一种包括多个空间阵列的相干量子级联半导体激光器的装置（1），包括放置在平面（Oxy）中的多个有源结构。该装置包括形成光导并由至少一个有源结构限定的多个条纹（10），条带在包含在平面（Oxy）中的排列方向（y）上彼此平行。每个条带（10）包括至少一个尖端的第一端（16）。第一组（101）的条纹（10）的尖端（16）沿与第二组（102）的条纹（10）的尖端（16）相反的方向定向，并且在所述第二组（102）的条带的尖端（16）穿过穿透距离（d），所述穿透距离（d）限定第一耦合区域（30），通过所述第一耦合区域（30），所述光波的基本模式经由所述第一组条纹（101）到第二组条纹（102）。

3. 发明专利

FR2933542B1 DISPOSITIF A CASCADES QUANTIQUES A INJECTEUR HAUT 未知
公开(公告)号：FR2933542B1
公开(公告)日：2016-03-04
申请号：FR0803812
申请日：2008-07-04
申请人： THALES SA
发明人： CARRAS MATHIEU
IPC分类号： H01S5/34

4. 发明专利

FR2949024A1 DISPOSITIF D'EMISSION PAR LA SURFACE D'UN FAISCEAU LASER TM. A DIVERGENCE REDUITE 未知
公开(公告)号：FR2949024A1
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：FR0903850
申请日：2009-08-04
申请人： THALES SA
发明人： CARRAS MATHIEU , MAISONS GREGORY
IPC分类号： H01S3/10
摘要： L'invention a pour objet un dispositif d'émission (1) d'au moins un faisceau laser de longueur d'onde λ, à cavité optique semi-conductrice (100) qui comprend une zone active (30) selon un plan Oxy, une couche guidante supérieure (10) et inférieure (20), à mode TM. La cavité (100) comprend : - une première section (100a) dite cavité principale qui est la zone d'amplification de l'onde lumineuse destinée à laser et qui a la forme d'un ruban de largeur I1 et de longueur L1 avec I1 inférieure à 10.L1, avec une couche (50a) de métal disposée sur la couche guidante supérieure (10), - une deuxième section (100b) dite zone d'extraction qui est la zone d'émission du faisceau laser (2) à travers la couche guidante inférieure, qui a une largeur I2 et une longueur L2 avec I2 et L2 supérieure à 10 x λ/n , n étant l'indice de réfraction effectif de cette deuxième section pour cette longueur d'onde, et avec sur la couche guidante supérieure (10b), un réseau (50b) continument composé d'un métal, ce réseau comportant une composante de Fourier de période spatiale p =λ/neff, selon la direction de propagation de l'onde optique dans la zone active de cette deuxième section, - une troisième section (100c) joignant la première et la deuxième section, dite zone d'adaptation optique entre la première et la deuxième section, ayant une largeur I1 à la jonction avec la première section et une largeur I2 à la jonction avec la deuxième section.

5. 发明专利

FR2863774A1 Quantum well infrared photodetector for photosensitive array, has structure combining properties of coupling network and Bragg grating to obtain plasmonic wave that is localized in active zone having smaller dimension than structure 未知
公开(公告)号：FR2863774A1
公开(公告)日：2005-06-17
申请号：FR0314717
申请日：2003-12-16
申请人： THALES SA
发明人： DE ROSSI ALFREDO , CARRAS MATHIEU , BOIS PHILIPPE
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L27/146
摘要： The photodetector has a metallic structure (4) placed on an active zone (31) of a layer (3), for coupling optical radiations detected by the zone. The structure combines the properties of a coupling network and a Bragg grating with defect, to obtain a plasmonic wave from an incident wave. The plasmonic wave is coupled and localized in the active zone. The zone is of smaller dimension with respect to the structure. An independent claim is also included for a photosensitive array comprising a set of photodetectors.

6. 发明专利

FR2991112A1 LASER SEMICONDUCTEUR OPTIMISE 未知
公开(公告)号：FR2991112A1
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：FR1201499
申请日：2012-05-25
申请人： THALES SA
发明人： DE NAUROIS GUY MAEL , CARRAS MATHIEU
IPC分类号： H01S5/40
摘要： L'invention concerne un dispositif (1) comprenant une pluralité de lasers semi-conducteurs en réseau spatialement cohérents, comprenant au moins une structure active disposée selon un plan (Oxy) et comprenant au moins une couche à gain apte à générer une onde optique présentant au moins une longueur d'onde d'émission (lambda) et destinée à émettre lorsque des porteurs de charges sont injectés dans ladite structure active. Le dispositif comprend une pluralité de rubans (10) formant guides optiques et définis par au moins une structure, les rubans étant parallèles entre eux selon une direction d'alignement (y) comprise dans le plan (Oxy). Chaque ruban (10) comprend au moins une première extrémité (16) en forme de pointe. Les extrémités en pointe (16) des rubans (10) d'un premier ensemble (101) sont orientées dans le sens opposé à celui des extrémités en pointe (16) des rubans (10) d'un deuxième ensemble (102) et pénètrent entre les extrémités en pointes (16) des rubans du deuxième ensemble (102) sur une distance de pénétration (d) définissant une première zone de couplage (30) par laquelle un mode fondamental de l'onde optique est transmis par couplage du premier ensemble de rubans (101) au deuxième ensemble de rubans (102).

7. 发明专利

FR2951545A1 DETECTEUR DE GAZ PHOTOACOUSTIQUE 未知
公开(公告)号：FR2951545A1
公开(公告)日：2011-04-22
申请号：FR0957377
申请日：2009-10-21
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , THALES SA
发明人： NICOLETTI SERGIO , ANDREUCCI PHILIPPE , BRUN MICKAEL , GIDON SERGE , MARCADET XAVIER , CARRAS MATHIEU
IPC分类号： G01N29/24 , G01N21/17
摘要： L'invention concerne un dispositif de détection photoacoustique comprenant un circuit nanophotonique incluant une pluralité de lasers (7) à semiconducteur susceptibles d'émettre à des fréquences distinctes ; des coupleurs d'entrée (9) reliés à des guides d'onde optiques ; un multiplexeur (13) ; un guide d'onde optique de sortie (15) dont l'extrémité et munie de moyens de focalisation (16), débouchant dans un évidemment ; un diapason (18) dont les bras libres sont disposés au niveau de la sortie des moyens de focalisation du guide d'onde optique de sortie ; des moyens de détection de la vibration du diapason, tous ces éléments étant assemblés en un composant monolithique.

8. 发明专利

FR2934712B1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OPTIQUE D'ANALYSE COMPORTANT UN LASER A CASCADES QUANTIQUES ET UN DETECTEUR QUANTIQUE. 未知
公开(公告)号：FR2934712B1
公开(公告)日：2010-08-27
申请号：FR0804413
申请日：2008-08-01
申请人： THALES SA
发明人： BERGER VINCENT , CARRAS MATHIEU
IPC分类号： H01L27/144 , G01J3/12 , G01N21/17 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01S5/34

9. 发明专利

FR2916093A1 LASERS SEMI-CONDUCTEURS A CONTRE-REACTION REPARTIE MONOMODES 未知
公开(公告)号：FR2916093A1
公开(公告)日：2008-11-14
申请号：FR0703390
申请日：2007-05-11
申请人： THALES SA
发明人： CARRAS MATHIEU , DE ROSSI ALFREDO
IPC分类号： H01S5/12
摘要： La présente invention concerne le domaine des lasers semiconducteurs à contre-réaction répartie. Plus précisément, l'invention permet de mettre au point des lasers à contre-réaction répartie monomodes avec un taux d'obtention proche de 100% selon une technologie simple et robuste.A cet effet, l'invention consiste à introduire des pertes radiatives sur un seul des deux modes prépondérants d'un laser DFB obtenu par modulation d'indice en définissant un profil d'indice effectif de la zone active particulier.

10. 发明专利

ES2853227T3 Red de láseres en cascada cuántica con anti-guía enterrada en un material de tipo IV y de emisión monolobular 未知
公开(公告)号：ES2853227T3
公开(公告)日：2021-09-15
申请号：ES17726595
申请日：2017-05-23
申请人： THALES SA
发明人： FERRE SIMON , CARRAS MATHIEU
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/34 , H01S5/40
摘要： Láser (100) que comprende una red de microcintas de láseres en cascada cuántica con una longitud de onda (λ) de emisión predeterminada, formando las microcintas de anchos (L1,...LK) predeterminados zonas activas (1) de índice de refracción nza y espaciados entre sí por un material (2) entre cintas de índice de refracción ne, con nza

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