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1. 发明申请

WO2010012759A1 PROCEDE DE VARIATION DE L'INDICE OPTIQUE D'UN GUIDE A SEMI-CONDUCTEURS, GUIDE A INDICE OPTIQUE CONTROLABLE ET COMMUTATEUR OPTIQUE ULTRA-RAPIDE 审中-公开
标题翻译：改变半导体波导的光学指标的方法，可控的光学指示波长和超光学光学开关
公开(公告)号：WO2010012759A1
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：PCT/EP2009/059789
申请日：2009-07-29
申请人： THALES , UNIVERSITE DES SCIENCES ET TECHNOLOGIES DE LILLE SAIC , DECOSTER, Didier , SAADSAOUD, Naïma , ZEGAOUI, Malek , CHAZELAS, Jean
发明人： DECOSTER, Didier , SAADSAOUD, Naïma , ZEGAOUI, Malek , CHAZELAS, Jean
IPC分类号： G02F1/025 , G02F1/313
CPC分类号： G02F1/025 , G02F1/3138 , G02F1/315 , G02F2001/0151 , G02F2202/102
摘要： Le guide optique étant composé de couches de semi-conducteurs formant au moins une double hétéro-structure (21, 22, 23, 24), la variation d'indice se fait par injection d'électrons. Cette injection est provoquée par une tension électrique appliquée sur un contact de type Schottky (26, 27) déposé sur la double hétéro-structure. Un commutateur selon l'invention utilise la variation d'indice optique qui induit un effet miroir, la commutation étant effectuée par réflexion de l'onde optique sur une zone d'indice optique réduit. L'invention s'applique notamment pour des commutations d'ondes optiques ultra-rapides à faible pertes d'insertion.
摘要翻译：由于光波导由形成至少一个双异质结构（21,22,23,24）的半导体层构成，因此可以通过注入电子来实现折射率变化。通过向沉积在双异质结构上的肖特基接触（26,27）施加电压而产生这种注入。根据本发明的开关使用光学折射率的变化，其产生镜面效应，用于通过光波在较低光学折射率的区域上的反射而发生切换。本发明特别适用于具有低插入损耗的超快速光波切换。

2. 发明申请

WO2014096431A1 DISPOSITIF DE COMMUTATION DE SIGNAUX HYPERFREQUENCES NOTAMMENT DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES, ET COMPOSANT ELECTRONIQUE INCORPORANT UN TEL DISPOSITIF 审中-公开
标题翻译：微波信号开关装置，特别是纳米尺寸的电子元件，以及这样的器件的电子元件
公开(公告)号：WO2014096431A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/EP2013/077859
申请日：2013-12-20
申请人： THALES , UNIVERSITE DES SCIENCES ET TECHNOLOGIES DE LILLE SAIC , UNIVERSITE PARIS 6 PIERRE ET MARIE CURIE
发明人： TRIPON-CANSELIET, Charlotte , CHAZELAS, Jean , DECOSTER, Didier
IPC分类号： H03K17/94 , H01P1/15
CPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0224
摘要： La présente invention concerne un dispositif de commutation de signaux hyperfréquence, notamment de dimensions nanométriques. L'invention concerne également un composant électronique incorporant un tel dispositif. Elle s'applique notamment dans le domaine de la conversion analogique/numérique pour des applications touchant le domaine des télécommunications. Ainsi, elle s'applique par exemple pour des récepteurs hyperfréquences fonctionnant à des fréquences correspondant aux ondes millimétriques ou à des récepteurs de bande instantanée de plusieurs gigahertz. L'invention a pour objet un dispositif de commutation d'un signal électrique commandé par une onde optique (35) ayant un état passant et un état ouvert, apte à être inséré dans une ligne de transmission hyperfréquence, ledit dispositif comportant un substrat semi-conducteur (20, 21) sur lequel sont réalisées deux pistes conductrices (32, 33) séparée par un gap (34) assurant une isolation électrique entre les deux pistes reliées chacune à un port d'entrée et de sortie (36, 37), à l'état passant le contact électrique entre les deux pistes étant établi en illuminant le substrat dans la zone (100) du gap au moyen de l'onde optique, l'impédance d'entrée et l'impédance de sortie dudit dispositif de commutation étant désadaptées à l'impédance de la ligne de transmission à l'état ouvert et sont adaptées à l'impédance de la ligne de transmission à l'état passant.
摘要翻译：本发明涉及一种特别是纳米尺寸的微波信号切换装置。本发明还涉及包含这种装置的电子部件。本发明特别适用于与电信领域相关的用途的模拟/数字转换领域。例如，本发明适用于以对应于毫米波的频率工作的微波接收机或具有千兆赫兹的瞬时带宽的接收机。本发明涉及一种用于切换由具有导通状态和截止状态的光波（35）控制的电信号的装置，其可插入到微波传输线中。该装置包括半导体衬底（20,21），其上设有两个导电路径（32,33），所述路径被间隙（34）隔开，确保两个路径之间的电绝缘，每个路径连接到输入和输出港（36,37）。在导通状态下，通过利用光波照射间隙区域（100）中的衬底来建立两条路径之间的电接触。开关器件的输入阻抗和输出阻抗与“断开”状态下的传输线的阻抗不匹配，并且在导通状态下匹配传输线的阻抗。

3. 发明申请

WO2003043148A3 COMPOSANT MONOLITHIQUE ELECTRO-OPTIQUE MULTISECTIONS 审中-公开
公开(公告)号：WO2003043148A3
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/FR2002/003927
申请日：2002-11-15
申请人： ALCATEL , MALLECOT, Franck , CHAUMONT, Christine , JACQUET, Joël , LEROY, Arnaud , PLAIS, Antonina , HARARI, Joe , DECOSTER, Didier
发明人： MALLECOT, Franck , CHAUMONT, Christine , JACQUET, Joël , LEROY, Arnaud , PLAIS, Antonina , HARARI, Joe , DECOSTER, Didier
IPC分类号： H01S5/026
摘要： L'invention à pour objet un composant monolithique électro-optique en semi-conducteur comprenant successivement une première section (30) apte à émettre de la lumière à une première longueur d'onde et comportant une première couche active (31), une deuxième section (40) apte à absorber de la lumière à ladite première longueur d'onde et comportant une deuxième couche active (41), et une troisième section (20) apte à détecter de la lumière à une deuxième longueur d'onde et comportant une troisième couche active (21). Il est caractérisé en ce que la deuxième couche active (41) est conçue pour assurer dans ladite deuxième section (40) une absorption supérieure à celle que permettrait une couche active identique à ladite première couche (31).

4. 发明申请

WO2003043148A2 COMPOSANT MONOLITHIQUE ELECTRO-OPTIQUE MULTISECTIONS 审中-公开
标题翻译：多重电光学单片组件
公开(公告)号：WO2003043148A2
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/FR2002/003927
申请日：2002-11-15
申请人： ALCATEL , MALLECOT, Franck , CHAUMONT, Christine , JACQUET, Joël , LEROY, Arnaud , PLAIS, Antonina , HARARI, Joe , DECOSTER, Didier
发明人： MALLECOT, Franck , CHAUMONT, Christine , JACQUET, Joël , LEROY, Arnaud , PLAIS, Antonina , HARARI, Joe , DECOSTER, Didier
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/0262
摘要： L'invention à pour objet un composant monolithique électro-optique en semi-conducteur comprenant successivement une première section (30) apte à émettre de la lumière à une première longueur d'onde et comportant une première couche active (31), une deuxième section (40) apte à absorber de la lumière à ladite première longueur d'onde et comportant une deuxième couche active (41), et une troisième section (20) apte à détecter de la lumière à une deuxième longueur d'onde et comportant une troisième couche active (21). Il est caractérisé en ce que la deuxième couche active (41) est conçue pour assurer dans ladite deuxième section (40) une absorption supérieure à celle que permettrait une couche active identique à ladite première couche (31).
摘要翻译：
本发明是用于半导体单片电光元件的物体，所述半导体单片电光元件依次包括适合的第一部分（30）＆met de mettre mettre mettre mettre mettretre met metres mettre met metres mettre mettre mettre 第一波长并且具有适合的第一有源层（31），第二部分（40）吸收光线。所述第一波长并具有第二有源层（41）和适于在其中使用的第三部分（20）;其中，检测光线。第二波长并且具有第三有源层（21）。它是特点＆oacute; 其中第二有源层（41）适于在所述第二部分（40）中提供优异的吸收; 那将允许一个相同的活跃层＆agrave; 所述第一层（31）。

5. 发明公开

EP2936682A1 DISPOSITIF DE COMMUTATION DE SIGNAUX HYPERFREQUENCES NOTAMMENT DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES, ET COMPOSANT ELECTRONIQUE INCORPORANT UN TEL DISPOSITIF 有权转让
标题翻译：微波信号切换装置，尤其是在纳米尺寸，和电子元件的利用这样的装置
公开(公告)号：EP2936682A1
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：EP13827008.7
申请日：2013-12-20
申请人： Thales , Universite Des Sciences Et Technologies De Lille , Université Paris 6 Pierre et Marie Curie UPMC
发明人： TRIPON-CANSELIET, Charlotte , CHAZELAS, Jean , DECOSTER, Didier
IPC分类号： H03K17/94 , H01P1/15
CPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0224
摘要： The present invention relates to a microwave signal switching device, particularly of nanometric size. The invention also relates to an electronic component incorporating such a device. The invention is particularly suitable for use in the field of analog/digital conversion for uses related to the telecommunications field. For example, the invention is suitable for microwave receivers operating at frequencies corresponding to millimeter waves or to receivers having an instantaneous bandwidth of multiple gigahertz. The invention relates to a device for switching an electrical signal, controlled by an optical wave (35) having an on-state and an off state, which can be inserted into a microwave transmission line. The device comprises a semiconductor substrate (20, 21) on which two conductive paths (32, 33) are provided, said paths being separated by a gap (34) ensuring electrical insulation between the two paths which are each connected to an input and output port (36, 37). In the on-state, the electrical contact between the two paths is established by illuminating the substrate in the area (100) of the gap by means of the optical wave. The input impedance and the output impedance of the switching device do not match the impedance of the transmission line in the "off" state and do match the impedance of the transmission line in the on-state.

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