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    • 1. 发明申请
    • COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES A GUIDAGE DE L'ONDE OPTIQUE PAR RUBAN METALLIQUE
    • OPTO-ELECTRONIC COMPONENTS WITH METAL STRIP OPTICAL GUIDANCE
    • WO2004032297A2
    • 2004-04-15
    • PCT/FR2003/002867
    • 2003-09-30
    • THALESBENGLOAN, Jean-YvesDE ROSSI, AlfredoSIRTORI, Carlo
    • BENGLOAN, Jean-YvesDE ROSSI, AlfredoSIRTORI, Carlo
    • H01S5/34
    • B82Y20/00H01S5/0425H01S5/1046H01S5/1228H01S5/20H01S5/3401H01S5/34306H01S2301/145
    • Le domaine de l'invention est celui des composants optoélectroniques à hétérostructures multicouches, et notamment celui des diodes laser émettant en polarisation transverse magnétique. Un des problèmes techniques majeurs de ce type de composant est d'assurer le confinement correct des modes optiques d'émission dans le plan des couches par la modulation de l'indice effectif, de façon à obtenir une bonne qualité optique du mode d'émission. L'invention propose de réaliser la modulation de l'indice effectif du mode de guide planaire en le couplant avec un plasmon de surface obtenu par dépôt d'une couche métallique sur l'hétérostructure du composant. On conserve ainsi la structure planaire du composant tout en obtenant la modulation voulue de l'indice effectif. Cette disposition s'applique à différents types de structures laser, comme, par exemple, les lasers à cascade quantique de type « Fabry-Pérot », mais également les lasers de type DFB (Distributed FeedBack) ou α-DFB (α-Distributed FeedBack), de type ARROW (AntiResonant Reflecting Optical Waveguide) ou encore les cristaux photoniques. La forme du dépôt métallique est simplement adaptée à chaque type de structures.
    • 本发明涉及具有多层异质结构的光电子部件,特别是发射磁横向极化的激光二极管。 这种组件的技术问题之一是通过调节有效指数来确保层的平面中的发射光学模式的适当限制,以获得良好的发射模式的光学质量。 本发明提出通过将其与通过在部件异质结构上沉积金属层而获得的表面等离子体耦合来进行平面引导模式的有效折射率的调制。因此,维持该部件的平面结构,同时期望的有效折射率调制为 获得。 这种布置可应用于不同类型的激光结构,例如Fabry-Pérot型量子级联激光器,还可应用于DFB或A-DFB,ARROW型激光器或静止光子晶体。 金属沉积物的形状简单地适应于每种类型的结构。
    • 4. 发明申请
    • DISPOSITIF A CRISTAL PHOTONIQUE PLANAIRE A DISPERSION CONTROLEE
    • 具有控制分散的平面光电晶体装置
    • WO2012028672A1
    • 2012-03-08
    • PCT/EP2011/065069
    • 2011-09-01
    • THALESCOLMAN, PierreDE ROSSI, AlfredoCOMBRIE, Sylvain
    • COLMAN, PierreDE ROSSI, AlfredoCOMBRIE, Sylvain
    • G02B6/122G02B1/00
    • G02B1/005B82Y20/00G02B6/1225
    • Le domaine général de l'invention est celui des dispositifs optiques comportant au moins un cristal photonique planaire comportant un réseau sensiblement périodique et hexagonal de structures nanométriques, chaque structure élémentaire étant référencée dans un repère (x, y), le réseau comportant une ligne dite « ligne de défauts centrale » ne comportant pas de structures nanométriques, cette ligne étant disposée selon l'axe x, chaque structure S IJ étant centrée en un point C IJ de coordonnées (x CIJ , y CIJ ), à chaque structure nanométrique appartenant au demi-plan tel que y soit positif correspondant une structure nanométrique appartenant au demi-plan tel que y soit négatif. Le réseau du dispositif de la présente invention comporte au moins une structure nanométrique dont le centre C IJ a comme coordonnées (x CIJ , y CIJ ) correspondant à une structure nanométrique dont le centre a comme coordonnées (x' CIJ , y' CIJ ) tels que x' CIJ soit différent de x CIJ ou que y' CIJ soit différent de -y CIJ , la symétrie du réseau par rapport à l'axe x étant ainsi brisée.
    • 本发明涉及包括至少一个平面光子晶体的光学器件的一般领域,该平面光子晶体包括基本上规则的和六边形的纳米结构网络,每个基本结构在参考系(x,y)中被引用。 该网络包括称为“中心断层线”的线,其不包括纳米结构,所述线沿着轴线x设置。 每个结构SIJ以具有坐标(xCIJ,yCIJ)的点CIJ为中心。 对于属于半平面的每个纳米结构,使得y为正,存在属于半平面的相应的纳米结构,使得y为负。 该设备的网络包括至少一个纳米结构,其具有对应于具有坐标(x'CIJ,y'CIJ)的中心的纳米结构的坐标(xCIJ,yCIJ)的中心CIJ,使得x'CIJ不同于xCIJ 或者使得y'CIJ不同于-yCIJ,从而破坏网络相对于轴线x的对称性。
    • 9. 发明申请
    • PHOTO-DETECTEUR A CONCENTRATION DE CHAMP PROCHE
    • 具有近场浓度的光电转换器
    • WO2005069385A1
    • 2005-07-28
    • PCT/EP2004/053324
    • 2004-12-07
    • THALESDE ROSSI, AlfredoCARRAS, MathieuBOIS, Philippe
    • DE ROSSI, AlfredoCARRAS, MathieuBOIS, Philippe
    • H01L31/0236
    • H01L31/0352H01L31/0236Y02E10/50
    • Le domaine de l'invention est celui des photodétecteurs (10) et plus précisément des photodétecteurs dits à puits quantiques, connus sous l'acronyme anglo-saxon QWIP signifiant Quantum Well Infrared Phodetector fonctionnant dans le moyen infra-rouge. L'objet de l'invention est d'augmenter la détectivité des détecteurs en diminuant de façon importante la surface de la zone de détection tout en conservant le flux incident. Ce résultat est obtenu en disposant sur la zone active (31) du photo-détecteur (10) une structure (4) ou un réseau assurant le couplage de l'onde incidente et son confinement sur la zone active (31). Cette structure (4) ou ce réseau ont comme caractéristiques majeures de comporter des motifs ou des sillons ayant une première et une seconde fréquence spatiale et de comporter également un défaut central.
    • 本发明涉及在红外范围内操作的称为QWIP(Quantum Well Infrared Phodetector)的光电探测器(10),特别是量子阱光电探测器。 本发明的目的是增加检测器的检测能力,同时显着地减少检测区域的表面并保持入射通量。 该结果通过将结构(4)放置在光电检测器(10)的有源区(31)上或确保入射波及其约束与有源区(31)的耦合的网络来获得。 该结构(4)或网络的特征在于,其包括具有第一和第二空间频率并且包括故障中心的图案或凹槽。