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    • 3. 发明授权
    • Passivation scheme for oxide vertical cavity surface-emitting laser
    • 氧化物垂直腔表面发射激光器的钝化方案
    • US06862309B2
    • 2005-03-01
    • US10361092
    • 2003-02-06
    • Gregory N. DeBrabanderAn-Nien ChengSuning XieWilson Hasan Widjaja
    • Gregory N. DeBrabanderAn-Nien ChengSuning XieWilson Hasan Widjaja
    • H01S3/08H01S3/16H01S3/20H01S5/00H01S5/028H01S5/183
    • H01S5/18313H01S2301/176
    • A method for forming an oxide VCSEL (vertical cavity surface-emitting laser) includes forming a VCSEL structure, forming an oxidation cavity partially through the VCSEL structure, oxidizing a layer in the VCSEL structure, forming a first passivation layer over a surface of the oxidation cavity, and forming a second passivation layer over the first passivation layer. An oxide VCSEL structure includes a bottom mirror region, an active region atop the bottom mirror region, a top mirror region atop the active region, an oxidation cavity partially through the top mirror region, a first passivation layer covering a surface of the oxidation cavity, and a second passivation layer covering the first passivation layer. In both the method and the structure, the first passivation layer can be made of silicon nitride (SiN) while the second passivation layer can be made of silicon oxynitride (SiON).
    • 用于形成氧化物VCSEL(垂直腔表面发射激光器)的方法包括形成VCSEL结构,通过VCSEL结构部分地形成氧化腔,氧化VCSEL结构中的层,在氧化物的表面上形成第一钝化层 并且在所述第一钝化层上形成第二钝化层。 氧化物VCSEL结构包括底部反射镜区域,底部反射镜区域顶部的有源区域,有源区域顶部的顶部反射镜区域,部分穿过顶部镜像区域的氧化腔室,覆盖氧化腔体表面的第一钝化层, 以及覆盖所述第一钝化层的第二钝化层。 在方法和结构中,第一钝化层可以由氮化硅(SiN)制成,而第二钝化层可以由氮氧化硅(SiON)制成。