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1. 发明授权

US06404615B1 Thin film capacitors 失效
标题翻译：薄膜电容器
公开(公告)号：US06404615B1
公开(公告)日：2002-06-11
申请号：US09505491
申请日：2000-02-16
申请人： Sunil D. Wijeyesekera , Jing Jing , Donald C. Benson , Teruo Sasagawa
发明人： Sunil D. Wijeyesekera , Jing Jing , Donald C. Benson , Teruo Sasagawa
IPC分类号： H01G4228
CPC分类号： H01L28/40 , H01L27/0805
摘要： A thin film capacitor and methods for forming the same are described. The capacitor has dielectric layer with a first face, a second face, and at least one edge. The first terminal of the capacitor covers at least a portion of the first face of the dielectric layer, covers at least a portion of one edge of the dielectric layer, and covers a portion of the second face of the dielectric layer. The second terminal of the capacitor covers a portion of the second face of the dielectric layer and does not contact the first terminal. A method for forming the thin film capacitor includes hard baking photoresist at an elevated temperature and anodizing an exposed metal area using the photoresist as a mask.
摘要翻译：对薄膜电容器及其形成方法进行说明。电容器具有具有第一面，第二面和至少一个边缘的电介质层。电容器的第一端子覆盖电介质层的第一面的至少一部分，覆盖电介质层的一个边缘的至少一部分，并且覆盖电介质层的第二面的一部分。电容器的第二端子覆盖电介质层的第二面的一部分并且不接触第一端子。用于形成薄膜电容器的方法包括在高温下的硬烘烤光致抗蚀剂，并且使用光致抗蚀剂作为掩模阳极氧化暴露的金属区域。

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