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1. 发明专利

JP2015051895A 炭化珪素エピタキシャル基板、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法、炭化珪素成長装置および炭化珪素成長装置用部材审中-公开
标题翻译：硅碳化物外延基板，制造碳化硅外延基板的方法，制造碳化硅半导体器件的方法，碳化硅生长装置和用于硅碳生长装置的部件
公开(公告)号：JP2015051895A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013185384
申请日：2013-09-06
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： GENBAN JUN , NISHIGUCHI TARO , DOI HIDEYUKI , MATSUSHIMA AKIRA
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/16 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/12 , C30B25/08 , C30B25/20 , C30B29/36 , Y10T428/21 , Y10T428/24355
摘要：【課題】表面性状が良好であり、かつバックグラウンド濃度が十分に低減されている炭化珪素エピタキシャル基板、炭化珪素エピタキシャル成長方法、および炭化珪素半導体装置の製造方法、ならびに表面性状が良好であり、かつバックグラウンド濃度が十分に低減されている炭化珪素エピタキシャル基板を製造可能な炭化珪素成長装置および炭化珪素成長装置用部材を提供する。【解決手段】主表面(第2の主面2A)を有する炭化珪素エピタキシャル基板10であって、ベース基板1と、ベース基板1上に形成されて、主表面(第2の主面2A)を含む炭化珪素エピタキシャル層2とを備え、第2の主面2Aの表面粗さは0.6nm以下であり、炭化珪素エピタキシャル層2中の窒素濃度の、主表面(第2の主面2A)を含む表面層における炭化珪素エピタキシャル基板10面内での平均値に対する、炭化珪素エピタキシャル層2中の窒素濃度の、上記表面層における炭化珪素エピタキシャル基板10面内での標準偏差の比率が、15%以下である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有优异的表面质量和充分降低背景浓度的碳化硅外延基板，可以制造碳化硅外延生长方法，制造碳化硅半导体器件的方法，可以制造硅的碳化硅生长装置具有优异的表面质量和充分降低背景浓度的碳化物外延基板和用于碳化硅生长装置的部件。提供了一种具有主表面（第二主平面2A）的碳化硅外延基板10，并且包括基底 1和形成在基底基板1上并且包括主表面（第二主平面2A））的碳化硅外延层2。第二主面2A的表面粗糙度为0.6nm以下，在碳化硅外延层2的包含主表面的表面层中的碳化硅外延基板10的面内的氮浓度的标准偏差（第二主面2A）与表面层中的碳化硅外延基板10的平面中的碳化硅外延层2的氮浓度的平均值为15％以下。

2. 发明专利

JP2012104510A Vacuum vapor deposition device and semiconductor device manufacturing method 审中-公开
标题翻译：真空蒸发沉积装置和半导体装置制造方法
公开(公告)号：JP2012104510A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：JP2010248803
申请日：2010-11-05
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： MIHASHI FUMINORI , DOI HIDEYUKI
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/24 , H01L21/205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum vapor deposition device for stably controlling a temperature of a substrate on which a film is formed.SOLUTION: A vacuum vapor deposition device 100 for forming a film on a substrate 20 comprises a substrate holder 103, a holder heating part 105, a raw material holding part for housing a raw material of the film formed on the substrate 20 inside, a first blocking part 111, and a second blocking part 112. An outer periphery of the first blocking part 111 can be positioned on an outer side than the substrate holder 103 when seen from the raw material holding part side. An outer periphery of the second blocking part 112 can be positioned on an outer side than the substrate holder 103 when seen from the raw material holding part side, the second blocking part 112 can be used selectively with the first blocking part 111 and has an opening 112a. A radius of an inscription circle of the opening 112a of the second blocking part 112 is 1.5 times or less of a radius of a circumscription circle of the substrate 20.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于稳定地控制其上形成有膜的基板的温度的真空气相沉积装置。解决方案：用于在基板20上形成膜的真空蒸镀装置100包括基板保持件103，保持器加热部105，用于将形成在基板20上的膜的原料容纳在内部的原料保持部第一阻挡部111和第二阻挡部112.当从原料保持部侧观察时，第一阻挡部111的外周可以位于比基板保持件103的外侧。当从原料保持部侧观察时，第二阻挡部112的外周可以位于比基板保持件103的外侧，第二阻挡部112可以与第一阻挡部111选择性地使用，并且具有开口 112A。第二阻挡部112的开口部112a的刻圆的半径为基板20的外围圆的半径的1.5倍以下。（C）2012，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2008010641A Surface-emission semiconductor element 有权
标题翻译：表面发射半导体元件
公开(公告)号：JP2008010641A
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：JP2006179793
申请日：2006-06-29
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： ONISHI YUTAKA , DOI HIDEYUKI
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18308 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3095 , H01S2304/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface-emission semiconductor element having a small differentiation resistance and a high optical output.
SOLUTION: A surface emission laser 10 comprises a p-type III-V group compound semiconductor layer 18 on an active layer 16, an n-type III-V group compound semiconductor layer 20 located above the specified region 16s of the surface 16a of the active layer 16 on the p-type III-V group compound semiconductor layer 18, and a III-V group compound semiconductor-made burying layer 22 burying the n-type III-V group compound semiconductor layer 20. A tunnel junction TJ is formed with the p-type III-V group compound semiconductor layer 18 and the n-type III-V group compound semiconductor 20. The n-type III-V group compound semiconductor layer 20 contains tellurium as an n-type dopant.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供具有小分化电阻和高光输出的表面发射半导体元件。解决方案：表面发射激光器10包括有源层16上的p型III-V族化合物半导体层18，位于表面的规定区域16s上方的n型III-V族化合物半导体层20 p型III-V族化合物半导体层18上的有源层16的16a，以及埋入n型III-V族化合物半导体层20的III-V族化合物半导体掩埋层22。 T型由p型III-V族化合物半导体层18和n型III-V族化合物半导体20形成.n型III-V族化合物半导体层20含有碲作为n型掺杂剂。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2007214209A Method for forming group iii-v compound semiconductor, and method for manufacturing group iii-v compound semiconductor device 审中-公开
标题翻译：用于形成III-V族化合物半导体的方法和制备III-V族化合物半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2007214209A
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：JP2006030142
申请日：2006-02-07
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： SAGA NORIHIRO , DOI HIDEYUKI
IPC分类号： H01S5/125
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a group III-V compound semiconductor device where a photoluminescence characteristics can be improved.
SOLUTION: A GaInNAs well layer 45, formed of a first group III-V compound semiconductor comprising nitrogen and arsenic as a group V, is formed on a GaAs buffer semiconductor layer 43 by molecular beam epitaxy. A GaAs cap layer 47, which is formed of a second group III-V compound semiconductor comprising arsenic, is grown by molecular beam epitaxy, after the well layer 45 has been formed. Heat treatment is performed on an epitaxial wafer 49b in an atmosphere containing active hydrogen and arsenic at a heat treatment temperature of 650°C or higher, without depositing by using an organometallic vapor growth furnace 53.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以提高光致发光特性的III-V族化合物半导体器件的制造方法。解决方案：通过分子束外延在GaAs缓冲半导体层43上形成由包含氮和砷作为V族的第一III-V族化合物半导体形成的GaInNA阱阱45。在形成阱层45之后，通过分子束外延生长由包含砷的第二III-V族化合物半导体形成的GaAs覆盖层47。在650℃以上的热处理温度下，在含有活性氢和砷的气氛中的外延晶片49b上进行热处理，而不通过使用有机金属气相生长炉53沉积进行热处理。（C） JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2007014909A Exhaust gas treatment apparatus 有权
标题翻译：排气处理设备
公开(公告)号：JP2007014909A
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：JP2005200678
申请日：2005-07-08
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： ISHIZUKA TAKASHI , DOI HIDEYUKI
IPC分类号： B01D53/34 , B01D53/14 , B01D53/81
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exhaust gas treating apparatus reducing generation of a chemical reaction caused by untreated gaseous components in a chemicals cylinder. SOLUTION: This exhaust gas treating apparatus is provided with: an input 17 receiving exhaust gas; a first pipe B17 having an end part C1a connected to the input 17; an opening/closing valve V1 having an opening V1a connected to an end part C1b of the first pipe B17 and opening/closing a passage of gas flowing from the first pipe B17 through the opening V1a; a second pipe B19 having an end part C3a connected to an opening V1b of the valve V1; the chemicals cylinder 21 having a flow-in port 21d connected to an end part C3b of the second pipe B19 and a flow-out port 21e and treating exhaust gas; an output 19 connected to the flow-out port 21e through a third pipe B20 and discharging gas treated in the chemicals cylinder 21; and a detecting device 23 connected to the second pipe B19 via a first branch line L7 branched from the second pipe B19 and detecting at least any one of oxygen concentration and moisture content. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种排气处理装置，减少由化学气瓶中的未处理气体成分引起的化学反应的产生。解决方案：该废气处理装置设有：接收废气的输入17; 具有连接到输入17的端部C1a的第一管B17; 具有与第一管B17的端部C1b连接的开口V1a的开闭阀V1，其开闭从第一管B17流过开口V1a的气体通路; 具有连接到阀V1的开口V1b的端部C3a的第二管B19; 化学气瓶21具有连接到第二管B19的端部C3b的流入口21d和流出口21e并处理废气; 通过第三管B20连接到流出口21e并排出在药液瓶21中处理的气体的输出19; 以及检测装置23，其经由从第二配管B19分支的第一分支线路L7连接到第二配管B19，并检测氧浓度和含水量中的至少一种。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2010027697A Surface light emitting semiconductor laser 有权
标题翻译：表面发光半导体激光
公开(公告)号：JP2010027697A
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：JP2008184254
申请日：2008-07-15
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： ONISHI YUTAKA , DOI HIDEYUKI
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18394 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0208 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/2275 , H01S5/34313 , H01S5/34353 , H01S2301/176
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface light emitting semiconductor laser that suppresses a decrease in optical output due to variation in refractive index of a distributed Bragg reflector.
SOLUTION: The surface light emitting semiconductor laser 11 includes; a first DBR 15 having a first part 17 and a second part 19 on the first part 17; a semiconductor mesa 20 disposed on the first DBR 15 and having an active layer 23; and a second DBR 33. The first part 17 is composed of an undoped semiconductor material. The second part 19 has third group III-V compound semiconductor layers 19a composed of a material containing In and Ga as the group III element and phosphorus as the group V element and fourth group III-V compound semiconductor layers 19b composed of a material containing gallium as the group III element and As as the group V element.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种表面发光半导体激光器，其抑制由于分布式布拉格反射器的折射率的变化引起的光输出的降低。表面发光半导体激光器11包括：在第一部分17上具有第一部分17和第二部分19的第一DBR 15; 设置在第一DBR 15上并具有有源层23的半导体台面20; 和第二DBR 33.第一部分17由未掺杂的半导体材料构成。第二部分19具有由含有In和Ga作为III族元素的磷和作为V族元素的磷构成的第三III-V族化合物半导体层19a和由含有镓的材料构成的第四III-V族化合物半导体层19b 作为III族元素，As作为V族元素。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2009038253A Method of forming iii-v compound semiconductor layer 审中-公开
标题翻译：形成III-V化合物半导体层的方法
公开(公告)号：JP2009038253A
公开(公告)日：2009-02-19
申请号：JP2007202151
申请日：2007-08-02
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： SAGA NORIHIRO , DOI HIDEYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , H01S5/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a III-V compound semiconductor layer capable of reducing a hydrogen concentration in a III-V compound semiconductor crystal containing Ga (group III) and arsenic and nitrogen (group V) and reducing pile-up on a regrowth interface as well.
SOLUTION: After elevating the temperature of a substrate 31 to a first temperature T1 in an atmosphere containing AsH
3 , the substrate 31 is thermally cleaned at the first temperature T1 while making the AsH
3 sufficiently smaller than a supply amount 5 to 15 sccm when growing a crystal using the AsH
3 flow. After the thermal treatment, the supply of the AsH
3 is stopped and metal arsenic is supplied. In an MBE apparatus 13, first to third III-V compound semiconductor layers 33, 35 and 37 are grown on the substrate 31 using metal As. The first III-V compound semiconductor layer 33 is GaAs, the second III-V compound semiconductor layer 35 is GaInNAs, and the third III-V compound semiconductor layer 37 is GaAs.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种形成能够降低含有Ga（III族）和砷和氮（V族）的III-V族化合物半导体晶体中的氢浓度的III-V族化合物半导体层的方法和减少堆积在再生界面上。解决方案：在含有AsH <3S 的气氛中将基板31的温度升高到第一温度T1之后，在第一温度T1下对基板31进行热清洗，同时使AsH < 3 在使用AsH SB 3流动生长晶体时足够小于5至15sccm的供应量。在热处理之后，停止供应AsH 3 并提供金属砷。在MBE装置13中，使用金属As在衬底31上生长第一至第三III-V化合物半导体层33,35和37。第一III-V族化合物半导体层33是GaAs，第二III-V族化合物半导体层35是GaInNA，第三III-V族化合物半导体层37是GaAs。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2008283078A Method of manufacturing group iii-v compound semiconductor optical device, and method of forming group iii-v compound semiconductor 审中-公开
标题翻译：制备III-V族化合物半导体光学器件的方法和形成III-V族化合物半导体的方法
公开(公告)号：JP2008283078A
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：JP2007127231
申请日：2007-05-11
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： SAGA NORIHIRO , DOI HIDEYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/32
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a group III-V compound semiconductor optical device, and a method of forming a group III-V compound semiconductor capable of improving photoluminescence characteristics. SOLUTION: In this method, after manufacturing a quantum well structure 25, annealing 27 and the growth of a second conductivity group III-V compound semiconductor region 29 are executed using an organometallic vapor growth furnace 11. Since the annealing of the quantum well structure 25 and thermal cleaning prior to the growth of the second conductivity group III-V compound semiconductor region 29 are executed in the organometallic vapor growth furnace 11, a process is simplified. Also, after executing the annealing 27, a temperature of the organometallic vapor growth furnace 11 is lowered from an annealing temperature T TH to a growth temperature T GR of the second conductivity group III-V compound semiconductor region 29 in an H 2 atmosphere. Thus, the diffusion of hydrogen to the quantum well structure 25 is suppressed, and the photoluminescence characteristics are improved. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供III-V族化合物半导体光学器件的制造方法以及能够提高光致发光特性的III-V族化合物半导体的形成方法。解决方案：在该方法中，在制造量子阱结构25之后，使用有机金属气相生长炉11进行退火27和第二导电性III-V族化合物半导体区域29的生长。由于量子退火在第二导电组III-V化合物半导体区域29的生长之前，在有机金属气相生长炉11中执行阱结构25和热清洗，简化了工艺。此外，在进行退火处理27之后，将有机金属蒸气生长炉11的温度从退火温度T SB SB降低到第二导电率组的生长温度T SB III-V族化合物半导体区域29在H 2 气氛中。因此，氢扩散到量子阱结构25被抑制，并且光致发光特性得到改善。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2008198795A Epitaxial substrate for mbe, and method for forming iii-v compound semiconductor film using mbe method 审中-公开
标题翻译：用于MBE的外延衬底以及使用MBE方法形成III-V族化合物半导体膜的方法
公开(公告)号：JP2008198795A
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：JP2007032473
申请日：2007-02-13
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： KUMAGAI AKIKO , SAITO ITARU , TAKAHASHI MITSUO , DOI HIDEYUKI , SAGA NORIHIRO
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/02 , C23C16/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epitaxial substrate for an MBE method for depositing a III-V compound semiconductor film with the use of the MBE method.
SOLUTION: The epitaxial substrate 11 for the MBE includes: a III-V compound semiconductor single crystal wafer 13 such as GaAs, InP; and a homoepitaxial film 15 having the surface 15a for depositing the III-V compound semiconductor film with the use of the MBE method. A carbon density, an oxygen density, and a silicon density in an interface 17 between the semiconductor single crystal wafer 13 and the homoepitaxial film 15 are respectively less than 4×10
18 /cm
3 , less than 1×10
18 /cm
3 , and less than 4×10
18 /cm
3 . Before the deposition of the III-V compound semiconductor film 17 with the MBE method, forming the homoepitaxial film 15 on a polished surface 13a of the semiconductor single crystal wafer 13 reduces a dependency of an optical characteristic of the III-V compound semiconductor film 17 on the presence of a chemical etching process on the main surface of the wafer.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于使用MBE方法沉积III-V化合物半导体膜的MBE方法的外延衬底。解决方案：用于MBE的外延基板11包括：III-V化合物半导体单晶晶片13，例如GaAs，InP; 以及具有用于使用MBE方法沉积III-V化合物半导体膜的表面15a的同质外延膜15。半导体单晶晶片13和同轴外延膜15之间的界面17中的碳密度，氧密度和硅密度分别小于4×10 / SP>小于1×10 18 / cm 3 ，小于4×10 18 / cm 3 SP>。在使用MBE方法沉积III-V化合物半导体膜17之前，在半导体单晶晶片13的抛光表面13a上形成均质外延膜15降低了III-V族化合物半导体膜17的光学特性的依赖性在晶片的主表面上存在化学蚀刻工艺。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2007250881A Method for growing group iii-v compound semiconductor 审中-公开
标题翻译：用于生长III-V族化合物半导体的方法
公开(公告)号：JP2007250881A
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：JP2006072998
申请日：2006-03-16
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： ISHIZUKA TAKASHI , DOI HIDEYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , H01S5/343
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a crystal growth method that enables to expand a process window for growing a group III-V compound semiconductor including nitrogen as a group V.
SOLUTION: In the method for growing a group III-V compound semiconductor layer including nitrogen and other elements as a group V is composed, an organic nitrogen material G4 is at least partially decomposed by heating the organic nitrogen material G4 for growing the group III-V compound semiconductor layer by using a heater 59. The group III-V compound semiconductor layer is grown on a substrate W by supplying the decomposed material to a reaction chamber 57 of an organometallic vapor-phase growth furnace 51, after at least partially decomposing the organic nitrogen material G4. The organic nitrogen material includes at least any one of dimethylhydrazine, monomethylhydrazine, and tertiarybutylhydrazine.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种晶体生长方法，其能够扩展用于生长包括氮作为基团V的III-V族化合物半导体的工艺窗口。解决方案：在用于生长III族的方法 -V组成的氮化合物半导体层和作为V族的其他元素组成，有机氮材料G4通过加热用于通过使用加热器59生长III-V族化合物半导体层的有机氮材料G4而至少部分分解。在有机氮化物材料G4至少部分分解之后，通过将分解材料供给到有机金属气相生长炉51的反应室57，在基板W上生长III-V族化合物半导体层。有机氮材料包括二甲基肼，一甲基肼和叔丁基肼中的至少一种。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

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