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1. 发明公开

EP1413927A1 METHOD FOR FORMING FINE PATTERN 审中-公开
标题翻译： VERFAHREN ZUR BILDUNG EINER FEINEN STRUKTUR
公开(公告)号：EP1413927A1
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：EP02746013.8
申请日：2002-07-12
申请人： Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. , Daikin Industries, Ltd.
发明人： TORIUMI, Minoru, c/o Yodogawa Seisakusho , YAMAZAKI, Tamio , WATANABE, Hiroyuki , ITANI, Toshiro , ARAKI, Takayuki c/o Yodogawa-seisakusho , ISHIKAWA, Takuji c/o Yodogawa-seisakusho
IPC分类号： G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0275 , G03F7/0046 , G03F7/0233 , G03F7/0395 , H01L21/0277 , H01L21/0278 , H01L21/0279
摘要： There is provided a method of forming a fine resist pattern in which a highly practicable photosensitive composition obtained from a material having a high transparency against an exposure light having a short wavelength such as F 2 excimer laser beam is used as a resist. The method of forming a fine resist pattern comprises, in order, a step for forming a photosensitive layer on a substrate or on a given layer on the substrate using a photosensitive composition comprising at least a compound generating an acid by irradiation of light and a fluorine-containing polymer comprising a norbornene derivative unit having OH group or a functional group which can be converted to OH group by an acid, a step for exposing by selectively irradiating the given area of said photosensitive layer with energy ray, a step for heat-treating the exposed photosensitive layer, and a step for forming a fine pattern by developing the heat-treated photosensitive layer to selectively remove an exposed portion or an un-exposed portion of the photosensitive layer.
摘要翻译：精细抗蚀剂图案形成包括：（i）使用在照射光下形成酸的含氟聚合物的组合物在基底或基底固定层上形成感光层; （ii）选择性地将光束照射到感光层的区域; （iii）热处理层; 和（iv）通过显影层形成精细图案并选择性地去除层的暴露/未曝光部分。精细抗蚀剂图案形成包括：（i）使用含有在照射光下形成酸的含氟聚合物的光敏组合物在基底或基底固定层上形成感光层; （ii）通过选择性地将照射能量束暴露于感光层的固定区域; （iii）热处理感光层; 和（iv）通过使感光层显影并选择性地去除感光层的曝光或未曝光部分，形成精细图案。含氟聚合物为式（I），数均分子量为500-1000000，含（摩尔％）：M1（1-99）; M2（99-1）; 和A1（0-98）。 - （M1） - （M2） - （A1）（I）[图像] M1：衍生自具有≥1个氟原子的2-3C烯属单体的结构单元; M2：衍生自> = 1的结构单元，选自具有式（II）的含氟醇结构的降冰片烯衍生物; A1：衍生自可与M1和M2共聚的单体的结构单元; Rf1>和Rf2> 1-10C氟代烷基或含醚键的氟代烷基; Y：OH基或使用酸改变为OH基的基团; X，F，Cl，1-10C烷基或含醚键的氟代烷基，≥1为氟或任选含有醚键的烷基; R：H或1-10C烷基; n：0-5。

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