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1. 外观设计

USD719113S1 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：USD719113S1
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：US29450491
申请日：2013-03-18
申请人： Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd.
设计人： Young Ho Sohn , Si Joong Yang , Young Ki Lee , Jin Su Kim , Dong Hwan Kim , Jong Man Kim , Kee Ju Um , Hyo Jin Lee , Young Hoon Kwak

2. 外观设计

USD719926S1 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：USD719926S1
公开(公告)日：2014-12-23
申请号：US29450511
申请日：2013-03-18
申请人： Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd.
设计人： Young Ho Sohn , Si Joong Yang , Young Ki Lee , Jin Su Kim , Dong Hwan Kim , Jong Man Kim , Kee Ju Um , Hyo Jin Lee , Young Hoon Kwak

3. 发明授权

US09130452B2 Gate driving device including plurality of gate drivers supplied with equally divided voltage and inverter having the same 有权
标题翻译：栅极驱动装置包括具有等分电压的多个栅极驱动器和具有相同电压的逆变器
公开(公告)号：US09130452B2
公开(公告)日：2015-09-08
申请号：US13909896
申请日：2013-06-04
申请人： SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人： Won Jin Cho , Dong Hwan Kim , Min Hyuk Jung , Bum Seok Suh , Ji Yeon Oh
IPC分类号： H03K17/06 , H02M1/08 , H02M7/5387
CPC分类号： H02M1/08 , H02M7/53871 , H03K2217/0081
摘要： There is provided a gate driving device, including: an inverter arm including a high-side switch and a low-side switch; a gate driving unit receiving an instruction signal to provide switching control to the inverter arm, outputting a control signal to control switching of the inverter arm, and including a plurality of gate drivers; and a balancing unit causing voltage applied to the plurality of gate drivers to be divided to be supplied to respective gate drivers among the plurality of gate drivers, according to the switching of the inverter arm based on the control signal.
摘要翻译：提供一种门驱动装置，包括：包括高侧开关和低侧开关的逆变臂; 门驱动单元，接收向逆变臂提供切换控制的指令信号，输出控制信号以控制逆变器臂的切换，并且包括多个栅极驱动器; 以及根据逆变器臂基于控制信号的切换，使施加到多个栅极驱动器的电压被分割为提供给多个栅极驱动器中的各个栅极驱动器的平衡单元。

4. 发明授权

US09024653B2 Input buffer circuit 有权
标题翻译：输入缓冲电路
公开(公告)号：US09024653B2
公开(公告)日：2015-05-05
申请号：US13840510
申请日：2013-03-15
申请人： Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd.
发明人： Dong Hwan Kim , Sung Man Pang
IPC分类号： H03K17/16 , H03K19/0948
CPC分类号： H03K19/0948
摘要： There is provided an input buffer circuit having hysteresis characteristics. The input buffer circuit includes: a first operating unit performing a NOR operation on an input signal and a first signal; a second operating unit performing a NAND operation on the input signal and a second signal; and an inverting unit inverting outputs of the first and second operating units to generate a second signal and a first signal, respectively, wherein reference levels of the first and second operating units determining a high or low level of the input signal are set to be different.
摘要翻译：提供了具有滞后特性的输入缓冲电路。输入缓冲电路包括：对输入信号和第一信号执行NOR运算的第一操作单元; 第二操作单元，对所述输入信号执行NAND运算和第二信号; 以及反相单元，反转第一和第二操作单元的输出以分别产生第二信号和第一信号，其中确定输入信号的高电平或低电平的第一和第二操作单元的参考电平被设置为不同。

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