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1. 发明专利

DE112018007026T5 Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112018007026T5
公开(公告)日：2020-11-12
申请号：DE112018007026
申请日：2018-12-27
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
发明人： UCHIDA KOSUKE , HIYOSHI TORU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/302 , H01L21/336 , H01L29/12
摘要： Eine erste Hauptfläche eines Siliziumkarbid-Substrats ist mit einem ersten Graben und einem zweiten Graben versehen. Der erste Graben wird durch eine erste Seitenfläche und eine erste Bodenfläche definiert. Der zweite Graben wird durch eine zweite Seitenfläche und eine zweite Bodenfläche definiert. Das Siliziumkarbid-Substrat umfasst ein erstes Verunreinigungsgebiet, ein zweites Verunreinigungsgebiet, ein drittes Verunreinigungsgebiet und ein viertes Verunreinigungsgebiet. Ein erster Isolierfilm ist jeweils mit der ersten Seitenfläche und der ersten Bodenfläche in Kontakt. Eine Gate-Elektrode ist auf dem ersten Isolierfilm vorgesehen. Ein zweiter Isolierfilm ist sowohl mit der zweiten Seitenfläche als auch mit der zweiten Bodenfläche in Kontakt. Das zweite Verunreinigungsgebiet hat ein Verbindungsgebiet, das elektrisch mit dem vierten Verunreinigungsgebiet verbunden ist und sich entlang der zweiten Seitenfläche zum vierten Verunreinigungsgebiet hin erstreckt.

2. 发明专利

DE102015213837A1 Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102015213837A1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：DE102015213837
申请日：2015-07-22
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
发明人： UCHIDA KOSUKE , HIYOSHI TORU
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78
摘要： Es wird eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung mit einer verbesserten Schalteigenschaft bereitgestellt. Ein MOSFET (1) umfasst eine Siliziumkarbid-Schicht (10), einen Gate-Isolierfilm (15), eine Gate-Elektrode (27) und eine Source-Elektrode (16). Die Siliziumkarbid-Schicht (10) umfasst einen Driftbereich (12), ein Körpergebiet (13) und ein Kontaktgebiet (18). Die Source-Elektrode (16) ist mit dem Kontaktgebiet (18) in einer Hauptfläche (10a) in Kontakt. Der MOSFET (1) ist so ausgebildet, dass der Kontaktwiderstand der Source-Elektrode (16) bezogen auf das Kontaktgebiet (18) nicht weniger als 1 × 10–4 &OHgr;cm2 und nicht mehr als 1 × 10–1 &OHgr;cm2 beträgt. Darüberhinaus beträgt, in einer Draufsicht auf die Hauptfläche (10a), eine Fläche des Kontaktgebiets (18) nicht weniger als 10% einer Fläche des Körpergebiets (13).

3. 发明专利

DE112018006921T5 Siliziumkarbid-Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE112018006921T5
公开(公告)日：2020-10-01
申请号：DE112018006921
申请日：2018-10-02
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
发明人： UCHIDA KOSUKE , HIYOSHI TORU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/205 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/12
摘要： Ein Siliziumkarbid-Halbleiterbauelement umfasst ein Siliziumkarbid-Substrat, eine Gate-Kontaktfläche und eine Drain-Elektrode. Das Siliziumkarbidsubstrat hat eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche, die der ersten Hauptfläche gegenüberliegt. Die Gate-Kontaktfläche ist der ersten Hauptfläche zugewandt. Die Drain-Elektrode steht in Kontakt mit der zweiten Hauptfläche. Das Siliziumkarbid-Substrat enthält ein erstes Verunreinigungsgebiet, das die zweite Hauptfläche bildet und einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, ein zweites Verunreinigungsgebiet, das auf dem ersten Verunreinigungsgebiet vorgesehen ist und einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, der sich vom ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet, ein drittes Verunreinigungsgebiet, das auf dem zweiten Verunreinigungsgebiet vorgesehen ist und den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, und ein viertes Verunreinigungsgebiet, das auf dem dritten Verunreinigungsgebiet vorgesehen ist, die erste Hauptfläche bildet und den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist. Das erste Verunreinigungsgebiet, das zweite Verunreinigungsgebiet, das dritte Verunreinigungsgebiet und das vierte Verunreinigungsgebiet befinden sich jeweils zwischen der Gate-Kontaktfläche und der Drain-Elektrode.

4. 发明专利

DE112017005693T5 Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112017005693T5
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：DE112017005693
申请日：2017-10-03
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
发明人： UCHIDA KOSUKE , HIYOSHI TORU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/12
摘要： Ein aktives Gebiet weist mindestens einen Gate-Graben auf, der durch eine Seitenfläche und eine Bodenfläche definiert ist. Ein Abschlussgebiet umfasst ein zweites Verunreinigungsgebiet, das das aktive Gebiet umgibt. Die Seitenfläche weist eine erste äußere Stirnfläche auf, die einer inneren Stirnfläche des zweiten Verunreinigungsgebiets zugewandt ist. Die Bodenfläche weist einen ersten Bodenabschnitt, der durchgehend zur ersten äußeren Stirnfläche verläuft, und einen zweiten Bodenabschnitt, der durchgehend zum ersten Bodenabschnitt verläuft und auf einer Seite gegenüber der inneren Stirnfläche in Bezug auf den ersten Bodenabschnitt angeordnet ist, auf. Ein Siliziumkarbidsubstrat weist ein erstes Gebiet und ein zweites Gebiet auf, die sich zwischen dem mindestens einen Gate-Graben und einer zweiten Hauptfläche befinden und voneinander beabstandet sind, indem zwischen ihnen ein Driftbereich angeordnet ist. In einer Richtung parallel zur ersten äußeren Stirnfläche ist ein Abstand zwischen dem ersten Gebiet und dem zweiten Gebiet, die sich zwischen dem ersten Bodenabschnitt und der zweiten Hauptfläche befinden, kleiner als ein Abstand zwischen dem ersten Gebiet und dem zweiten Gebiet, die sich zwischen dem zweiten Bodenabschnitt und der zweiten Hauptfläche befinden.

5. 发明专利

DE112016000831T5 Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112016000831T5
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：DE112016000831
申请日：2016-02-10
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
发明人： UCHIDA KOSUKE , HIYOSHI TORU , WADA KEIJI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739
摘要： Eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung (1) umfasst ein Siliziumkarbid-Substrat (10) und einen Gate-Isolierfilm (15). Das Siliziumkarbid-Substrat (10) weist eine erste Hauptfläche (10a) und eine zweite Hauptfläche (10b) gegenüber der ersten Hauptfläche (10a) auf. Der Gate-Isolierfilm (15) ist auf der ersten Hauptfläche (10a) vorgesehen. Das Siliziumkarbid-Substrat (10) umfasst ein erstes Körpergebiet (13a) mit einem p-Leitfähigkeitstyp, ein zweites Körpergebiet (13b) mit dem p-Leitfähigkeitstyp und ein zwischen dem ersten Körpergebiet (13a) und dem zweiten Körpergebiet (13b) vorgesehenes JFET-Gebiet (2). Das JFET-Gebiet (2) hat sowohl eine erste Verunreinigung, die den p-Typ bilden kann, als auch eine zweite Verunreinigung, die, den n-Typ bilden kann. Eine Konzentration der zweiten Verunreinigung ist höher als eine Konzentration der ersten Verunreinigung. Es wird die Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung (1) bereitgestellt, die in der Lage ist, den dielektrischen Durchschlag des Gate-Isolierfilms (15) zu unterdrücken.

6. 发明专利

DE112015003959T5 Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben 未知
公开(公告)号：DE112015003959T5
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：DE112015003959
申请日：2015-07-22
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
发明人： WADA KEIJI , HORII TAKU , NISHIGUCHI TARO , HIYOSHI TORU , UCHIDA KOSUKE
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： Eine Siliziumkarbid-Epitaxieschicht (120) umfasst: ein erstes Verunreinigungsgebiet (61) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp; ein zweites Verunreinigungsgebiet (62), das in Kontakt mit dem ersten Verunreinigungsgebiet (61) ist und einen von dem ersten Leitfähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist; und ein drittes Verunreinigungsgebiet (63), das von dem ersten Verunreinigungsgebiet (61) durch das zweite Verunreinigungsgebiet (62) getrennt ist und den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist. Ein Gate-Isolierfilm (57) steht in Kontakt mit dem ersten Verunreinigungsgebiet (61), dem zweiten Verunreinigungsgebiet (62) und dem dritten Verunreinigungsgebiet (63). Ein Nutabschnitt (20) ist in einer Oberfläche (161) des ersten Verunreinigungsgebiets (61) ausgebildet, wobei die Oberfläche (161) mit dem Gate-Isolierfilm (57) in Kontakt ist, wobei sich der Nutabschnitt (20) in einer Richtung entlang der Oberfläche (161) erstreckt, wobei eine Breite des Nutabschnitts (20) in der einen Richtung zweimal so groß oder größer als eine Breite des Nutabschnitts (20) in einer Richtung senkrecht zu der einen Richtung ist, wobei eine Höchsttiefe des Nutabschnitts (20) von der Oberfläche (161) nicht mehr als 10 nm beträgt.

7. 发明专利

DE102015213837A8 Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102015213837A8
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：DE102015213837
申请日：2015-07-22
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
发明人： UCHIDA KOSUKE , HIYOSHI TORU
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78

8. 发明专利

DE112017004339T5 SILIZIUMKARBID-HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN 未知
公开(公告)号：DE112017004339T5
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：DE112017004339
申请日：2017-06-20
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
发明人： UCHIDA KOSUKE , HIYOSHI TORU , SAKAI MITSUHIKO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/417
摘要： Eine erste Hauptfläche ist ausgebildet mit: einem Gate-Graben, der durch eine erste Seitenfläche und eine erste Bodenfläche definiert ist; und einem Source-Graben, der durch eine zweite Seitenfläche und eine zweite Bodenfläche definiert ist. Ein Siliziumkarbidsubstrat umfasst einen Driftbereich, ein Körpergebiet, ein Source-Gebiet, ein erstes Gebiet und ein zweites Gebiet. Das erste Gebiet steht in Kontakt mit dem zweiten Gebiet, Ein Gate-Isolierfilm ist an der ersten Seitenfläche in Kontakt mit dem Driftbereich, dem Körpergebiet und dem Source-Gebiet und an der ersten Bodenfläche in Kontakt mit dem Driftbereich. Eine Source-Elektrode steht an der zweiten Seitenfläche und der zweiten Bodenfläche mit dem zweiten Gebiet in Kontakt.

9. 发明专利

DE102015213842A1 Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102015213842A1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：DE102015213842
申请日：2015-07-22
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
发明人： UCHIDA KOSUKE , HIYOSHI TORU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739
摘要： Es wird eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung bereitgestellt, die ein Brechen eines Elements bei Last-Kurzschluss verhindert. Ein MOSFET (1) umfasst eine Siliziumkarbidschicht (10), einen Gate-Isolierfilm (15), eine Gate-Elektrode (27), eine Source-Elektrode (16) und eine Drain-Elektrode (20). Die Siliziumkarbidschicht (10) umfasst einen Driftbereich (12), ein Körpergebiet (13) und ein Source-Gebiet (14). Der MOSFET (1) ist so konfiguriert, dass sich ein Vergleichsausdruck n

10. 发明专利

DE102015207214A1 Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102015207214A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：DE102015207214
申请日：2015-04-21
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
发明人： WADA KEIJI , HIYOSHI TORU , FURUMAI MASAKI , SAKAI MITSUHIKO , UCHIDA KOSUKE
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78
摘要： Ein Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung (1) umfasst eine Siliziumkarbid-Schicht (10), ein Elementgebiet (IR), das einen in der Siliziumkarbid-Schicht (10) gebildeten Halbleiterelementabschnitt (7) aufweist, ein JTE-Gebiet (2) (ein erstes Entspannungsgebiet für ein elektrisches Feld), einen Isolierfilm (15b, 70), der auf einer ersten Hauptfläche (10a) angeordnet ist und das JTE-Gebiet (2) bedeckt, und eine Anschlusselektrode (65), die mit dem JTE-Gebiet (2) elektrisch verbunden ist. Die Anschlusselektrode (65) umfasst einen Erweiterungsabschnitt (65a), der sich von einem Ende (5) des JTE-Gebiets (2) in der Nähe des Elementgebiets (IR) in einer Umfangsrichtung (X) von dem Elementgebiet (IR) in Richtung des JTE-Gebiets (2) erstreckt, wobei der Erweiterungsabschnitt auf dem Isolierfilm (70) angeordnet ist. Der Erweiterungsabschnitt (65a) überlagert wenigstens einen Abschnitt des JTE-Gebiets (2).

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