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    • 5. 发明专利
    • 單晶矽之製造方法及製造系統
    • 单晶硅之制造方法及制造系统
    • TW201732095A
    • 2017-09-16
    • TW106117655
    • 2015-09-22
    • SUMCO股份有限公司SUMCO CORPORATION
    • 佐藤忠廣SATO, TADAHIRO北原江梨子KITAHARA, ERIKO須藤俊明SUDO, TOSHIAKI北原賢KITAHARA, KEN
    • C30B15/02C30B15/20C30B15/28G01B5/004B25J9/10
    • C30B15/10C30B15/00C30B15/20C30B29/06C30B35/007
    • 正確地掌握各氧化矽玻璃坩堝之容積來事先預測氧化矽玻璃坩堝內之矽熔液之初期液位,據此可靠地進行晶種之著液工藝。於氧化矽玻璃坩堝內填充原料之前測量氧化矽玻璃坩堝之內表面上之複數點之空間座標,根據將各測量點作為頂點座標之多角形組合來特定氧化矽玻璃坩堝之內表面之三維形狀(S11),預先設定氧化矽玻璃坩堝內之矽熔液之初期液位之預測值(S12),基於氧化矽玻璃坩堝之內表面之三維形狀來求取滿足初期液位之預測值矽熔液之體積(S13),求取具有所述體積之矽熔液之重量(S14),於氧化矽玻璃坩堝中填充具有所述重量之原料(S15),以及基於初期液位之預測值來控制晶種之著液(S17)。
    • 正确地掌握各氧化硅玻璃坩埚之容积来事先预测氧化硅玻璃坩埚内之硅熔液之初期液位,据此可靠地进行晶种之着液工艺。于氧化硅玻璃坩埚内填充原料之前测量氧化硅玻璃坩埚之内表面上之复数点之空间座标,根据将各测量点作为顶点座标之多角形组合来特定氧化硅玻璃坩埚之内表面之三维形状(S11),预先设置氧化硅玻璃坩埚内之硅熔液之初期液位之预测值(S12),基于氧化硅玻璃坩埚之内表面之三维形状来求取满足初期液位之预测值硅熔液之体积(S13),求取具有所述体积之硅熔液之重量(S14),于氧化硅玻璃坩埚中填充具有所述重量之原料(S15),以及基于初期液位之预测值来控制晶种之着液(S17)。
    • 9. 发明专利
    • 坩堝管理系統、坩堝管理方法、氧化矽玻璃坩堝的製造方法、矽錠的製造方法及同質外延晶圓的製造方法
    • 坩埚管理系统、坩埚管理方法、氧化硅玻璃坩埚的制造方法、硅锭的制造方法及同质外延晶圆的制造方法
    • TW201732096A
    • 2017-09-16
    • TW105142862
    • 2016-12-23
    • SUMCO股份有限公司SUMCO CORPORATION
    • 須藤俊明SUDO, TOSHIAKI佐藤忠廣SATO, TADAHIRO北原賢KITAHARA, KEN北原江梨子KITAHARA, ERIKO
    • C30B15/20H01L31/077
    • C30B15/10C30B29/06G01B11/16G01B11/24Y02E10/50
    • 本發明要解決的是無法調查變形前的氧化矽玻璃坩堝來確定原因這樣的問題。坩堝管理系統具有:內部反射光檢測單元,向氧化矽玻璃坩堝的內表面照射雷射,檢測內表面反射光;內部距離計算單元,基於檢測結果來計算內表面距離;座標計算單元,基於內表面距離和三維座標來計算內表面座標,所述三維座標是計算該內表面距離的基礎,表示內部反射光檢測單元檢測內表面反射光之際的位置;內表面圖像數據獲取單元,獲取氧化矽玻璃坩堝的內表面的圖像數據;以及坩堝數據信息存儲單元,存儲如下信息作為各個氧化矽玻璃坩堝的坩堝數據信息,所述信息是將由內表面圖像數據獲取單元獲取的圖像數據和表示該圖像數據的拍攝部位的內表面座標建立對應關係而成的。
    • 本发明要解决的是无法调查变形前的氧化硅玻璃坩埚来确定原因这样的问题。坩埚管理系统具有:内部反射光检测单元,向氧化硅玻璃坩埚的内表面照射激光,检测内表面反射光;内部距离计算单元,基于检测结果来计算内表面距离;座标计算单元,基于内表面距离和三维座标来计算内表面座标,所述三维座标是计算该内表面距离的基础,表示内部反射光检测单元检测内表面反射光之际的位置;内表面图像数据获取单元,获取氧化硅玻璃坩埚的内表面的图像数据;以及坩埚数据信息存储单元,存储如下信息作为各个氧化硅玻璃坩埚的坩埚数据信息,所述信息是将由内表面图像数据获取单元获取的图像数据和表示该图像数据的拍摄部位的内表面座标创建对应关系而成的。