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1. 发明专利

TW201738414A 氧化矽玻璃坩堝和氧化矽玻璃坩堝的製造方法审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚和氧化硅玻璃坩埚的制造方法
公开(公告)号：TW201738414A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106107891
申请日：2017-03-10
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 飛田修司 , TOBITA, SHUJI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C30B15/10 , G01N21/51
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , G01N21/47
摘要：在通過旋轉模具法製造氧化矽玻璃坩堝的製造方法中，包括對射入氧化矽玻璃坩堝內的雷射在該氧化矽玻璃坩堝的厚度方向的各位置處的散射狀況進行測量的程序，所述氧化矽玻璃坩堝包括在上端包括開口部的圓筒狀直筒部和在所述直筒部的下端形成的底部。另外，氧化矽玻璃坩堝包括：光透射層，其從該氧化矽玻璃坩堝的內表面朝向外表面，透射向該氧化矽玻璃坩堝射出的雷射；以及光散射層，其位於光透射層的外側，光透射層基於射出到氧化矽玻璃坩堝的雷射的散射狀況而測量出的厚度遍及氧化矽玻璃坩堝的邊緣的全周都處於規定範圍內。
简体摘要：在通过旋转模具法制造氧化硅玻璃坩埚的制造方法中，包括对射入氧化硅玻璃坩埚内的激光在该氧化硅玻璃坩埚的厚度方向的各位置处的散射状况进行测量的进程，所述氧化硅玻璃坩埚包括在上端包括开口部的圆筒状直筒部和在所述直筒部的下端形成的底部。另外，氧化硅玻璃坩埚包括：光透射层，其从该氧化硅玻璃坩埚的内表面朝向外表面，透射向该氧化硅玻璃坩埚射出的激光；以及光散射层，其位于光透射层的外侧，光透射层基于射出到氧化硅玻璃坩埚的激光的散射状况而测量出的厚度遍及氧化硅玻璃坩埚的边缘的全周都处于规定范围内。

2. 发明专利

TW201732222A 氧化矽玻璃坩堝、氧化矽玻璃坩堝的製造方法、單晶矽的提拉裝置、錠及同質外延晶圓审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚、氧化硅玻璃坩埚的制造方法、单晶硅的提拉设备、锭及同质外延晶圆
公开(公告)号：TW201732222A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142314
申请日：2016-12-20
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： G01B11/16 , C03B5/08 , C03B20/00 , C03C3/04 , G01N21/21 , G01N21/958 , C30B15/10
CPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57
摘要：本發明提供準確測量內部殘留應力的氧化矽玻璃坩堝。被歪曲測量裝置測量過的氧化矽玻璃坩堝包括：圓筒狀的側壁部、彎曲的底部、以及角部，角部設置在側壁部與底部之間並且具有比底部的曲率大的曲率，歪曲測量裝置具有：發光部，配置在側壁部的側方，向側壁部照射偏振光；拍攝部，讀入與側壁部的上端面的偏振光對應的影像；以及輸出部，基於由拍攝部讀入的影像，輸出氧化矽玻璃坩堝的歪曲分佈。
简体摘要：本发明提供准确测量内部残留应力的氧化硅玻璃坩埚。被歪曲测量设备测量过的氧化硅玻璃坩埚包括：圆筒状的侧壁部、弯曲的底部、以及角部，角部设置在侧壁部与底部之间并且具有比底部的曲率大的曲率，歪曲测量设备具有：发光部，配置在侧壁部的侧方，向侧壁部照射偏振光；拍摄部，读入与侧壁部的上端面的偏振光对应的影像；以及输出部，基于由拍摄部读入的影像，输出氧化硅玻璃坩埚的歪曲分布。

3. 发明专利

TW201732221A 氧化矽玻璃坩堝的歪曲測量裝置、單晶矽的製造方法、氧化矽玻璃坩堝的歪曲測量方法、相位差圖、錠及同質外延晶圓审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的歪曲测量设备、单晶硅的制造方法、氧化硅玻璃坩埚的歪曲测量方法、相位差图、锭及同质外延晶圆
公开(公告)号：TW201732221A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142313
申请日：2016-12-20
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： G01B11/16 , C30B15/10
CPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57
摘要：本發明在於準確地測量氧化矽玻璃坩堝的內部殘留應力。本發明的歪曲測量裝置用於測量氧化矽玻璃坩堝的歪曲，其中氧化矽玻璃坩堝包括：圓筒狀的側壁部、彎曲的底部、以及角部，角部設置在側壁部與底部之間並且具有比底部的曲率大的曲率，歪曲測量裝置具有：發光部，配置在側壁部的側方，向側壁部照射偏振光；拍攝部，讀入與側壁部的上端面的偏振光對應的影像；以及輸出部，基於由拍攝部讀入的影像，輸出氧化矽玻璃坩堝的歪曲分佈。
简体摘要：本发明在于准确地测量氧化硅玻璃坩埚的内部残留应力。本发明的歪曲测量设备用于测量氧化硅玻璃坩埚的歪曲，其中氧化硅玻璃坩埚包括：圆筒状的侧壁部、弯曲的底部、以及角部，角部设置在侧壁部与底部之间并且具有比底部的曲率大的曲率，歪曲测量设备具有：发光部，配置在侧壁部的侧方，向侧壁部照射偏振光；拍摄部，读入与侧壁部的上端面的偏振光对应的影像；以及输出部，基于由拍摄部读入的影像，输出氧化硅玻璃坩埚的歪曲分布。

4. 发明专利

TW201738528A 坩堝測量裝置、坩堝測量方法以及坩堝的製造方法审中-公开
简体标题：坩埚测量设备、坩埚测量方法以及坩埚的制造方法
公开(公告)号：TW201738528A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106107890
申请日：2017-03-10
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 飛田修司 , TOBITA, SHUJI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： G01B11/02 , G01B11/16 , C30B13/14
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , G01N21/47
摘要：測量氧化矽玻璃坩堝的坩堝測量裝置包括：光射出部，其對作為測量對象的氧化矽玻璃坩堝射出雷射，其中，氧化矽玻璃坩堝具有在上端具有開口部的圓筒狀直筒部和在所述直筒部的下端形成的底部；以及散射狀況測量部，其測量表示通過光射出部向氧化矽玻璃坩堝內射入的雷射的散射狀態的散射狀況。光射出部射出的雷射在氧化矽玻璃坩堝的厚度方向的各位置，表示各種散射狀況。因此，散射狀況測量部測量氧化矽玻璃坩堝的厚度方向的各位置處的散射狀況。
简体摘要：测量氧化硅玻璃坩埚的坩埚测量设备包括：光射出部，其对作为测量对象的氧化硅玻璃坩埚射出激光，其中，氧化硅玻璃坩埚具有在上端具有开口部的圆筒状直筒部和在所述直筒部的下端形成的底部；以及散射状况测量部，其测量表示通过光射出部向氧化硅玻璃坩埚内射入的激光的散射状态的散射状况。光射出部射出的激光在氧化硅玻璃坩埚的厚度方向的各位置，表示各种散射状况。因此，散射状况测量部测量氧化硅玻璃坩埚的厚度方向的各位置处的散射状况。

5. 发明专利

TW201732095A 單晶矽之製造方法及製造系統审中-公开
简体标题：单晶硅之制造方法及制造系统
公开(公告)号：TW201732095A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106117655
申请日：2015-09-22
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO , 須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 北原賢 , KITAHARA, KEN
IPC分类号： C30B15/02 , C30B15/20 , C30B15/28 , G01B5/004 , B25J9/10
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/007
摘要：正確地掌握各氧化矽玻璃坩堝之容積來事先預測氧化矽玻璃坩堝內之矽熔液之初期液位，據此可靠地進行晶種之著液工藝。於氧化矽玻璃坩堝內填充原料之前測量氧化矽玻璃坩堝之內表面上之複數點之空間座標，根據將各測量點作為頂點座標之多角形組合來特定氧化矽玻璃坩堝之內表面之三維形狀(S11)，預先設定氧化矽玻璃坩堝內之矽熔液之初期液位之預測值(S12)，基於氧化矽玻璃坩堝之內表面之三維形狀來求取滿足初期液位之預測值矽熔液之體積(S13)，求取具有所述體積之矽熔液之重量(S14)，於氧化矽玻璃坩堝中填充具有所述重量之原料(S15)，以及基於初期液位之預測值來控制晶種之著液(S17)。
简体摘要：正确地掌握各氧化硅玻璃坩埚之容积来事先预测氧化硅玻璃坩埚内之硅熔液之初期液位，据此可靠地进行晶种之着液工艺。于氧化硅玻璃坩埚内填充原料之前测量氧化硅玻璃坩埚之内表面上之复数点之空间座标，根据将各测量点作为顶点座标之多角形组合来特定氧化硅玻璃坩埚之内表面之三维形状(S11)，预先设置氧化硅玻璃坩埚内之硅熔液之初期液位之预测值(S12)，基于氧化硅玻璃坩埚之内表面之三维形状来求取满足初期液位之预测值硅熔液之体积(S13)，求取具有所述体积之硅熔液之重量(S14)，于氧化硅玻璃坩埚中填充具有所述重量之原料(S15)，以及基于初期液位之预测值来控制晶种之着液(S17)。

6. 发明专利

TWI592524B 單晶矽之製造方法及製造系統有权
简体标题：单晶硅之制造方法及制造系统
公开(公告)号：TWI592524B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104131328
申请日：2015-09-22
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO , 須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 北原賢 , KITAHARA, KEN
IPC分类号： C30B15/02 , C30B35/00
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/007

7. 发明专利

TW201730543A 坩堝檢查裝置、坩堝檢查方法、氧化矽玻璃坩堝、氧化矽玻璃坩堝的製造方法、矽錠的製造方法以及同質外延晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：坩埚检查设备、坩埚检查方法、氧化硅玻璃坩埚、氧化硅玻璃坩埚的制造方法、硅锭的制造方法以及同质外延晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201730543A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105142868
申请日：2016-12-23
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO , 山崎亨 , YAMAZAKI, TORU
IPC分类号： G01N19/08 , G01L1/10 , C30B15/10 , B01L3/04
CPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06
摘要：解決無法檢查可能成為破裂起點的裂紋的存在這一問題。一種檢查氧化矽玻璃坩堝的破裂容易度的坩堝檢查裝置，具有設置於氧化矽玻璃坩堝的表面、檢測向該氧化矽玻璃坩堝施加規定外力時產生的AE(Acoustic Emission)波的AE波檢測單元。此外，坩堝檢查裝置基於AE波檢測單元的檢測結果，評價氧化矽玻璃坩堝的破裂容易度。
简体摘要：解决无法检查可能成为破裂起点的裂纹的存在这一问题。一种检查氧化硅玻璃坩埚的破裂容易度的坩埚检查设备，具有设置于氧化硅玻璃坩埚的表面、检测向该氧化硅玻璃坩埚施加规定外力时产生的AE(Acoustic Emission)波的AE波检测单元。此外，坩埚检查设备基于AE波检测单元的检测结果，评价氧化硅玻璃坩埚的破裂容易度。

8. 发明专利

TWI638916B 石英玻璃坩堝之破壞檢查方法及是否良好之判定方法有权
简体标题：石英玻璃坩埚之破坏检查方法及是否良好之判定方法
公开(公告)号：TWI638916B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW106106828
申请日：2015-09-22
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：北原賢 , KITAHARA, KEN , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10

9. 发明专利

TW201732096A 坩堝管理系統、坩堝管理方法、氧化矽玻璃坩堝的製造方法、矽錠的製造方法及同質外延晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：坩埚管理系统、坩埚管理方法、氧化硅玻璃坩埚的制造方法、硅锭的制造方法及同质外延晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201732096A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142862
申请日：2016-12-23
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C30B15/20 , H01L31/077
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , G01B11/16 , G01B11/24 , Y02E10/50
摘要：本發明要解決的是無法調查變形前的氧化矽玻璃坩堝來確定原因這樣的問題。坩堝管理系統具有：內部反射光檢測單元，向氧化矽玻璃坩堝的內表面照射雷射，檢測內表面反射光；內部距離計算單元，基於檢測結果來計算內表面距離；座標計算單元，基於內表面距離和三維座標來計算內表面座標，所述三維座標是計算該內表面距離的基礎，表示內部反射光檢測單元檢測內表面反射光之際的位置；內表面圖像數據獲取單元，獲取氧化矽玻璃坩堝的內表面的圖像數據；以及坩堝數據信息存儲單元，存儲如下信息作為各個氧化矽玻璃坩堝的坩堝數據信息，所述信息是將由內表面圖像數據獲取單元獲取的圖像數據和表示該圖像數據的拍攝部位的內表面座標建立對應關係而成的。
简体摘要：本发明要解决的是无法调查变形前的氧化硅玻璃坩埚来确定原因这样的问题。坩埚管理系统具有：内部反射光检测单元，向氧化硅玻璃坩埚的内表面照射激光，检测内表面反射光；内部距离计算单元，基于检测结果来计算内表面距离；座标计算单元，基于内表面距离和三维座标来计算内表面座标，所述三维座标是计算该内表面距离的基础，表示内部反射光检测单元检测内表面反射光之际的位置；内表面图像数据获取单元，获取氧化硅玻璃坩埚的内表面的图像数据；以及坩埚数据信息存储单元，存储如下信息作为各个氧化硅玻璃坩埚的坩埚数据信息，所述信息是将由内表面图像数据获取单元获取的图像数据和表示该图像数据的拍摄部位的内表面座标创建对应关系而成的。

10. 发明专利

TW201723243A 石英玻璃坩堝之破壞檢查方法及是否良好之判定方法审中-公开
简体标题：石英玻璃坩埚之破坏检查方法及是否良好之判定方法
公开(公告)号：TW201723243A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW106106828
申请日：2015-09-22
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：北原賢 , KITAHARA, KEN , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10
CPC分类号： G01N3/307 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , G01N2203/001 , G01N2203/0035 , G01N2203/0064
摘要：提供一種可於與實際使用狀況盡可能接近之狀態下進行檢查之石英玻璃坩堝之破壞檢查方法和是否良好之判定方法。根據本發明之石英玻璃坩堝之破壞檢查方法，自動中心沖頭之前端部碰撞石墨基座上支撐之單晶矽提拉用之石英玻璃坩堝之內表面，並且評價借由所述自動中心沖頭於內表面之一點上瞬間施加負荷時之內表面之裂痕之狀態。
简体摘要：提供一种可于与实际使用状况尽可能接近之状态下进行检查之石英玻璃坩埚之破坏检查方法和是否良好之判定方法。根据本发明之石英玻璃坩埚之破坏检查方法，自动中心冲头之前端部碰撞石墨基座上支撑之单晶硅提拉用之石英玻璃坩埚之内表面，并且评价借由所述自动中心冲头于内表面之一点上瞬间施加负荷时之内表面之裂痕之状态。

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