专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

FR3006809A1 POLARISATION D'UNE CELLULE MOS REALISEE DANS UNE TECHNOLOGIE FDSOI 未知
公开(公告)号：FR3006809A1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：FR1355267
申请日：2013-06-07
申请人： ST MICROELECTRONICS SA
发明人： HASBANI FREDERIC , DI GILIO THIERRY
IPC分类号： H01L27/092 , H03F3/30
摘要： L'invention concerne une cellule MOS réalisée dans une technologie silicium entièrement déplété sur isolant, comportant au moins un premier transistor NMOS (1N) et au moins un deuxième transistor PMOS (1P) ou NMOS, formés dans un couche de silicium au-dessus d'une couche en matériau isolant, un premier caisson de type N (2N) et un deuxième caisson de type P (2P) ou de type N, étant réalisés, sous la couche isolante, respectivement à l'aplomb des premier et des deuxième transistors, dans une couche de type N présente sur un substrat de type P, une source du premier transistor NMOS étant polarisée à un potentiel négatif par rapport à un potentiel de polarisation du substrat, ledit caisson (2N) de ce premier transistor étant polarisé à un potentiel positif ou nul par rapport au potentiel de polarisation du substrat.

2. 发明专利

FR3068187A1 CIRCUIT A POMPE DE CHARGES NEGATIVE 未知
公开(公告)号：FR3068187A1
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：FR1755764
申请日：2017-06-23
申请人： ST MICROELECTRONICS SA
发明人： DI GILIO THIERRY
IPC分类号： H02M3/07 , H02M3/155
摘要： L'invention concerne un circuit à pompe de charges négative, comprenant un premier condensateur (Cflyl) ; un premier commutateur (SW11) ; un deuxième commutateur (SW12) ; et un circuit de commande (25) adapté à : - dans une première phase de fonctionnement, commander les premier et deuxième commutateurs alternativement dans une première configuration dans laquelle les première (11) et deuxième (13) électrodes du premier condensateur sont reliées respectivement aux premier (Vbat) et deuxième (Gnd) noeuds et dans une deuxième configuration dans laquelle les première (11) et deuxième (13) électrodes du premier condensateur sont reliées respectivement aux deuxième (Gnd) et troisième (Vneg) noeuds ; et - dans une deuxième phase de fonctionnement, forcer le premier commutateur à relier la première électrode (11) du premier condensateur au deuxième noeud (Gnd) et commander le deuxième commutateur pour relier la deuxième électrode du premier condensateur alternativement au deuxième (Gnd) et au troisième (Vneg) noeud.

3. 发明专利

FR3013148A1 PROCEDE DE POLARISATION DE TRANSISTORS MOS REALISES SELON LA TECHNOLOGIE FDSOI 未知
公开(公告)号：FR3013148A1
公开(公告)日：2015-05-15
申请号：FR1361068
申请日：2013-11-13
申请人： ST MICROELECTRONICS SA
发明人： AGUT FRANCOIS , DI GILIO THIERRY
IPC分类号： H01L27/06 , H01L23/58
摘要： L'invention concerne un procédé d'alimentation d'un système intégré (IS) réalisé conformément à la technologie silicium sur isolant SOI, le procédé comprenant des étapes de génération d'une première tension (V+) supérieure à une tension d'alimentation (Vdd), une seconde tension (V-) inférieure à une tension de masse (Gnd), et une tension de polarisation (Vbp, Vbn) supérieure ou égale à la seconde tension et inférieure à la tension de masse, et de sélection d'un mode d'alimentation d'une unité de traitement du système intégré parmi plusieurs modes d'alimentation, en fonction de l'activité de l'unité de traitement, les modes d'alimentation comprenant : un premier mode dans lequel des caissons (PW) de type de conductivité P de transistors (MN, MP1) de l'unité de traitement sont polarisés à la tension de polarisation, et un second mode dans lequel la seconde tension est absente, et les caissons de type de conductivité P du système intégré à la masse.

4. 发明专利

FR3068187B1 CIRCUIT A POMPE DE CHARGES NEGATIVE 未知
公开(公告)号：FR3068187B1
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：FR1755764
申请日：2017-06-23
申请人： ST MICROELECTRONICS SA
发明人： DI GILIO THIERRY
IPC分类号： H02M3/07 , H02M3/155
摘要： L'invention concerne un circuit à pompe de charges négative, comprenant un premier condensateur (Cflyl) ; un premier commutateur (SW11) ; un deuxième commutateur (SW12) ; et un circuit de commande (25) adapté à : - dans une première phase de fonctionnement, commander les premier et deuxième commutateurs alternativement dans une première configuration dans laquelle les première (11) et deuxième (13) électrodes du premier condensateur sont reliées respectivement aux premier (Vbat) et deuxième (Gnd) noeuds et dans une deuxième configuration dans laquelle les première (11) et deuxième (13) électrodes du premier condensateur sont reliées respectivement aux deuxième (Gnd) et troisième (Vneg) noeuds ; et - dans une deuxième phase de fonctionnement, forcer le premier commutateur à relier la première électrode (11) du premier condensateur au deuxième noeud (Gnd) et commander le deuxième commutateur pour relier la deuxième électrode du premier condensateur alternativement au deuxième (Gnd) et au troisième (Vneg) noeud.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB