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1. 发明申请

WO2023047035A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SUPPORT EN CARBURE DE SILICIUM POLY-CRISTALLIN 审中-公开
公开(公告)号：WO2023047035A1
公开(公告)日：2023-03-30
申请号：PCT/FR2022/051682
申请日：2022-09-06
申请人： SOITEC
发明人： BIARD, Hugo , LAGRANGE, Mélanie
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/18 , H01L21/762
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin comprenant les étapes suivantes : a) la croissance d'un substrat initial en carbure de silicium poly-cristallin sur un germe en graphite ou en carbure de silicium; à l'issue de l'étape a), le substrat initial présentant une face avant libre et une face arrière en contact avec le germe, b) la formation d'un film raidisseur en carbone, sur la face avant du substrat initial, le substrat initial présentant, dans le plan de sa face avant et juste avant la formation du film raidisseur, une première taille moyenne de grains de carbure de silicium, c) le retrait du germe, de manière à libérer la face arrière du substrat initial, ce dernier présentant, dans le plan de sa face arrière et juste après le retrait du germe, une deuxième taille moyenne de grains de carbure de silicium, inférieure à la première taille moyenne, d) l'amincissement de la face arrière du substrat initial, jusqu'à une épaisseur pour laquelle le substrat initial présente, dans le plan de sa face arrière amincie, une troisième taille moyenne de grains égale à la première taille moyenne de grains à +/- 30% près, le substrat initial aminci formant le substrat support.

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