会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 9. 发明专利
    • МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СВАРКА НАПРАВЛЕННО УПРОЧНЕННЫХ МАТЕРИАЛОВ
    • RU2509639C2
    • 2014-03-20
    • RU2012125028
    • 2010-11-15
    • SIEMENS AGFRAUNHOFER GES FORSCHUNG
    • BURBAUM BERNDGASSER ANDRESJAMBOR TORSTENLINNENBRINK SHTEFANIPIRKH NORBERTARZHAKIN NIKOLAJBOSTANJOGLO GEORGMEL TSER-JOKISH TORSTENMOKADEM SELIMOTT MIKHAEHLVIL KENKHENER ROL F
    • B23K26/34
    • Изобретениеотноситсяк способулазернойнаплавкиупрочненногосварногошванаподложкуконструктивногоэлементаизжаропрочногосплавас направленнойориентациейдендритов. Осуществляютподачупорошкаи лазерноголучананаплавляемуюповерхностьподложкис расплавлениемподаваемогопорошкаи поверхностногослояподложкии получаютв процессенаплавкив поверхностномслоедендриты (31), которыеориентированыв направлении (32) дендритовподложки. Параметрылазернойнаплавки: скоростьсканированиялуча, лазернуюмощность, диаметрлуча, фокуспорошковогопучкаи/илирасходпорошкаустанавливаютизусловияобеспечениялокальнойориентациитемпературногоградиента (28) нафронте (19) кристаллизации, которыйменьшечем 45° кнаправлению (32) дендритовподложкидлядендритов (3 1) вподложке (4). Скоростьсканированиялучаустанавливаютот 30 мм/миндо 100 мм/мин, предпочтительно 50 мм/мини/илилазернуюмощностьустанавливаютот 200 Втдо 500 Вт, предпочтительно 300 Вт, и/илидиаметрлазерноголучанаповерхностиподложкиустанавливаютот 3 ммдо 6 мм, предпочтительно 4 мм, и/илискоростьподачипорошкаустанавливаютот 300 мг/миндо 600 мг/мин, предпочтительно 400 мг/мин. Врезультатеобеспечиваетсяоднонаправлениеростадендритови полноерасплавлениечастицпорошкав расплаве. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.