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    • 3. 发明申请
    • METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES
    • 制造半导体器件的方法
    • US20140120680A1
    • 2014-05-01
    • US14149889
    • 2014-01-08
    • SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
    • Sangeun LEE
    • H01L21/8234
    • H01L21/823418H01L21/82345H01L21/823456H01L27/11529
    • A semiconductor device includes a substrate having first and second regions, a device isolation layer on the substrate defining an active region in each of the first and second regions, a gate pattern on the active region of each of the first and second regions, and a first dopant region and a second dopant region in each of the first and second regions of the substrate, the gate pattern in each of the first and second regions being between respective first and second dopant regions. At least one of upper surfaces of the first and second dopant regions in the second region is lower in level than an upper surface of the substrate under the gate pattern in the second region, the first and second dopant regions in the second region having an asymmetric recessed structure with respect to the gate pattern in the second region.
    • 半导体器件包括具有第一和第二区域的衬底,衬底上的器件隔离层限定第一和第二区域中的每个区域中的有源区,在第一和第二区域中的每一个的有源区上的栅极图案,以及 第一掺杂区域和第二掺杂区域,第一和第二区域中的每一个中的栅极图案在相应的第一和第二掺杂剂区域之间。 第二区域中的第一和第二掺杂剂区域的至少一个上表面的水平比第二区域中的栅极图案下的衬底的上表面低,第二区域中的第一和第二掺杂剂区域具有不对称 相对于第二区域中的栅极图案的凹陷结构。