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1. 发明公开

KR20200129840A 기판 건조 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200129840A
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：KR20190054832
申请日：2019-05-10
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： CHO YONG JHIN , KO YONG SUN , PARK KI BYUNG , PARK SANG JINE , SHIM WOO GWAN
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 기판건조장치가제공된다. 본발명의실시예에따른기판건조장치는내부에공간이형성된공정챔버, 공정챔버의바닥면상에배치되어기판을지지하는냉각플레이트로, 내부에유로가형성되어기판의건조시에상면의온도가제1 온도이하로적용되는냉각플레이트, 공정챔버의상면상에배치되고, 기판의건조시에하면의온도가제2 온도이상으로적용되는가열플레이트, 공정챔버의상면을관통하여형성되어공정챔버의내부에제1 기체를공급하는제1 공급포트, 공정챔버의하면을관통하여형성되어제1 기체를공정챔버의외부로배기하는배기포트및 공정챔버의하면및 냉각플레이트를관통하여형성되고, 기판의하면에제2 기체를분사하도록구성되는제2 공급포트를포함한다.

2. 发明公开

KR20200130945A 랜딩 패드를 갖는 반도체 소자 审中-公开
公开(公告)号：KR20200130945A
公开(公告)日：2020-11-23
申请号：KR20190055520
申请日：2019-05-13
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： CHOI BO WO , KIM YOUNG TAK , PARK SANG JINE , KIM SU JI , SHIN JAE UK , LEE HYUN JUNG , CHEON JI HUN
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/311 , H01L27/108
摘要： 반도체소자는랜딩패드, 랜딩패드의측면의하부와접하는제1 절연패턴, 랜딩패드의상면상의수평부및 측면의상부와접하는수직부를갖는패드산화층, 제1 절연패턴의상면과접하며제1 절연패턴및 패드산화층을덮는제2 절연패턴, 및제2 절연패턴을수직으로관통하며, 랜딩패드의상면및 측면에접하는하부전극을포함한다.

3. 发明公开

KR20200141346A 광 조사 기반 웨이퍼 세정 장치 및 그 세정 장치를 포함한 웨이퍼 세정 시스템 审中-公开
公开(公告)号：KR20200141346A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：KR20190068277
申请日：2019-06-10
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： CHO BYUNG KWON , PARK SANG JINE , KO YONG SUN , JEON SEUL GEE , JEONG JI HOON , HONG SEONG SIK
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 본발명의기술적사상은웨이퍼의손상없이웨이퍼상의잔류물을효과적으로세정할수 있는광 조사기반웨이퍼세정장치, 및그 세정장치를포함한웨이퍼세정시스템을제공한다. 그광 조사기반웨이퍼세정장치는광을웨이퍼로조사하는광 조사부; 상기웨이퍼가배치되고, 상기웨이퍼에설정된에너지의광이조사되도록상기웨이퍼의위치를조절하는웨이퍼처리부; 및광의조사가완료된상기웨이퍼를냉각하는냉각부;를포함하고, 상기광 조사부, 웨이퍼처리부, 및냉각부가수직구조로위에서부터순차적으로배치된다.

4. 发明公开

KR20180016841A 반도체 장치의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR20180016841A
公开(公告)日：2018-02-20
申请号：KR20160100738
申请日：2016-08-08
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： PARK SANG JINE , KO YONG SUN , HWANG IN SEAK
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/027 , H01L29/66
CPC分类号： H01L21/28114 , H01L21/0337 , H01L21/28123 , H01L21/28132 , H01L27/0207 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66795 , H01L29/7856
摘要： 미세한피치로더미게이트패턴을형성하는경우, 더미게이트패턴에발생할수 있는기울어짐을방지하는서포트부를형성하기위한반도체장치의제조방법을제공하기위한것이다. 상기반도체장치의제조방법은, 기판상에, 게이트층과, 맨드릴층을순차적으로형성하고, 상기맨드릴층상에제1 포토레지스트를형성하고, 상기제1 포토레지스트를마스크로이용하여, 상기맨드릴층의적어도일부를제거한맨드릴패턴을형성하되, 상기맨드릴패턴은제1 방향으로길게연장되고, 상기맨드릴패턴에포함된제1 맨드릴의일측에위치하는제1 맨드릴스페이서와상기제1 맨드릴의타측에위치하는제2 맨드릴스페이서를포함하는스페이서패턴을형성하고, 상기맨드릴패턴을제거한뒤, 상기제1 및제2 맨드릴스페이서를덮는희생층을형성하고, 상기희생층상에, 상기제1 맨드릴스페이서의일부및 제2 맨드릴스페이서의일부와오버랩되며, 상기제1 방향과교차하는제2 방향으로길게연장되는브릿지패턴을포함하는제2 포토레지스트를형성하고, 상기제1 및제2 맨드릴스페이서와상기제2 포토레지스트를마스크로이용하여, 상기게이트층의적어도일부를제거한게이트패턴을형성하는것을포함한다.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上顺序地形成栅极层和心轴层;在心轴层上形成第一光致抗蚀剂;通过使用第一光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除心轴层来形成心轴图案; 间隔物图案，其包括位于所述心轴图案中所包括的第一心轴的一侧上的第一心轴间隔物和位于所述第一心轴的另一侧上的第二心轴间隔物，形成牺牲层，所述牺牲层在所述第一心轴间隔物和所述第二心轴间隔物之后去除所述心轴图案，形成第二光致抗蚀剂，所述第二光致抗蚀剂包括在所述牺牲层上重叠所述第一和第二心轴间隔件的部分的桥接图案; 以及通过使用所述第一心轴间隔物和所述第二心轴间隔物和所述第二光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除所述栅极层来形成栅极图案。

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