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1. 发明申请

WO2002083387A1 DISPOSITIF DE COUPE DE COUCHE D'UN SUBSTRAT, ET PROCEDE ASSOCIE 审中-公开
标题翻译：底层切割装置及其相关方法
公开(公告)号：WO2002083387A1
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001253
申请日：2002-04-10
申请人： S.O.I.TEC. SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MARTINEZ, Muriel , BARGE, Thierry , SOUBIE, Alain , LAGAHE, Chrystelle
发明人： MARTINEZ, Muriel , BARGE, Thierry , SOUBIE, Alain , LAGAHE, Chrystelle
IPC分类号： B28D5/00
CPC分类号： H01L21/67092 , B28D5/0011 , B28D5/0023 , B28D5/0064 , B28D5/0082 , Y10S156/921 , Y10T83/7607 , Y10T83/7667 , Y10T156/1142 , Y10T156/1179 , Y10T156/1967 , Y10T156/1983
摘要： L'invention concerne selon un premier aspect un dispositif (50) de coupe automatique de haute précision d'une couche de matériau qui est solidaire d'un substrat source par l'intermédiaire d'une zone fragilisée, le substrat source et la couche à couper formant un ensemble à couple, le dispositif comprenant des moyens de coupe (531, 532) ainsi que des moyens (510) de maintien de la position de l'ensemble à couper, caractérisé en ce que les moyens de coupe comprennent une lame pour attaquer l'ensemble à couper. Selon un deuxième aspect, l'invention concerne également un procédé de mise en oeurve d'un tel dispositif.
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过脆化区域自动高精度地切割连接到基底源的材料的装置（40），所述源基底和层形成待切割的组，所述装置包括切割除了用于保持待切割的组件的位置的装置（510）之外的装置（531,532），其特征在于，所述切割装置包括作用在要被切割的组件上的叶片。本发明还涉及一种使用所述装置的方法。

2. 发明公开

EP2118923A1 METHOD FOR POLISHING HETEROSTRUCTURES 审中-公开
标题翻译：程序对清洁HETEROFLEXIBLE结构
公开(公告)号：EP2118923A1
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：EP08702303.2
申请日：2008-01-23
申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： MARTINEZ, Muriel , SEGUIN, Corinne , LOGIOU, Morgane
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02024 , H01L21/76254
摘要： A polishing method of a heterostructure (12) comprising at least one relaxed superficial heteroepitaxial layer (121) on a substrate (120) made from a different material from that of said heteroepitaxial layer. The method comprises a first chemical mechanical polishing step of the surface of the heteroepitaxial layer (12) performed with a polishing cloth (14) having a first compressibility ratio and with a polishing solution having a first silica particle concentration. The first chemical mechanical polishing step is followed by a second chemical mechanical polishing step of the surface of the heteroepitaxial layer (121), said second step being performed with a polishing cloth having a second compressibility ratio, higher than said first compressibility ratio, and with a polishing solution having a second silica particle concentration, lower than said first concentration.

3. 发明授权

EP1385683B1 DISPOSITIF DE COUPE DE COUCHE D'UN SUBSTRAT, ET PROCEDE ASSOCIE 有权
标题翻译：基材层切割装置和方法关联公司中，
公开(公告)号：EP1385683B1
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：EP02732797.2
申请日：2002-04-10
申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： MARTINEZ, Muriel , BARGE, Thierry , SOUBIE, Alain , LAGAHE - Blanchard , Chrystelle
IPC分类号： B28D5/00 , H01L21/00 , B32B35/00
CPC分类号： H01L21/67092 , B28D5/0011 , B28D5/0023 , B28D5/0064 , B28D5/0082 , Y10S156/921 , Y10T83/7607 , Y10T83/7667 , Y10T156/1142 , Y10T156/1179 , Y10T156/1967 , Y10T156/1983
摘要： The invention relates to a device (40) for automatic high-precision cutting of a layer of material joined to a substrate source by means of an embrittled area, said source substrate and layer forming a set which is to be cut and said device comprising cutting means (531, 532) in addition to means (510) for maintaining the position of the set which is to be cut, characterized in that the cutting means comprise a blade which acts upon the set which is to be cut. The invention also relates to a method for using said device.

4. 发明公开

EP1385683A1 DISPOSITIF DE COUPE DE COUCHE D'UN SUBSTRAT, ET PROCEDE ASSOCIE 有权
标题翻译：基材层切割装置和方法关联公司中，
公开(公告)号：EP1385683A1
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：EP02732797.2
申请日：2002-04-10
申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： MARTINEZ, Muriel , BARGE, Thierry , SOUBIE, Alain , LAGAHE - Blanchard , Chrystelle
IPC分类号： B28D5/00 , H01L21/00 , B32B35/00
CPC分类号： H01L21/67092 , B28D5/0011 , B28D5/0023 , B28D5/0064 , B28D5/0082 , Y10S156/921 , Y10T83/7607 , Y10T83/7667 , Y10T156/1142 , Y10T156/1179 , Y10T156/1967 , Y10T156/1983
摘要： The invention relates to a device (40) for automatic high-precision cutting of a layer of material joined to a substrate source by means of an embrittled area, said source substrate and layer forming a set which is to be cut and said device comprising cutting means (531, 532) in addition to means (510) for maintaining the position of the set which is to be cut, characterized in that the cutting means comprise a blade which acts upon the set which is to be cut. The invention also relates to a method for using said device.

5. 发明授权

EP1385683B8 DISPOSITIF DE COUPE DE COUCHE D'UN SUBSTRAT, ET PROCEDE ASSOCIE 有权
标题翻译：基材层切割装置和方法关联公司中，
公开(公告)号：EP1385683B8
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：EP02732797.2
申请日：2002-04-10
申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： MARTINEZ, Muriel , BARGE, Thierry , SOUBIE, Alain , LAGAHE - Blanchard , Chrystelle , RAYSSAC, Olivier , Berne, Cécile
IPC分类号： B28D5/00 , H01L21/00 , B32B35/00
CPC分类号： H01L21/67092 , B28D5/0011 , B28D5/0023 , B28D5/0064 , B28D5/0082 , Y10S156/921 , Y10T83/7607 , Y10T83/7667 , Y10T156/1142 , Y10T156/1179 , Y10T156/1967 , Y10T156/1983
摘要： The invention relates to a device (40) for automatic high-precision cutting of a layer of material joined to a substrate source by means of an embrittled area, said source substrate and layer forming a set which is to be cut and said device comprising cutting means (531, 532) in addition to means (510) for maintaining the position of the set which is to be cut, characterized in that the cutting means comprise a blade which acts upon the set which is to be cut. The invention also relates to a method for using said device.

6. 发明申请

WO2005120775A1 PLANARIZATION OF A HETEROEPITAXIAL LAYER 审中-公开
标题翻译：异位层的平面化
公开(公告)号：WO2005120775A1
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：PCT/EP2004/006186
申请日：2004-06-08
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MARTINEZ, Muriel , METRAL, Frédéric , REYNAUD, Patrick , CHAHRA, Zohra
发明人： MARTINEZ, Muriel , METRAL, Frédéric , REYNAUD, Patrick , CHAHRA, Zohra
IPC分类号： B24B37/04
CPC分类号： B24B37/24 , B24B37/042
摘要： A method of planarization of a heteroepitaxial layer (121) comprises a step of chemical-mechanical polishing the surface of the heteroepitaxial layer with a polishing pad (14) having a compressibility comprised between 2 and 15 % and a slurry containing at least 20 % of silica particles having a size comprised between 70 and 100 nm. This method allows to reach high polishing rates appropriated for eliminating surface defects on heteroepitaxial layers, such as crosshatch patterns, and to achieve, in the same time, a final post splitting polish.
摘要翻译：异质外延层（121）的平面化方法包括用具有2至15％压缩率的抛光垫（14）化学机械抛光异质外延层表面的步骤和含有至少20％二氧化硅颗粒的尺寸在70和100nm之间。该方法允许达到用于消除异质外延层上的表面缺陷（例如交叉阴影图案）的高抛光速率，并且在同一时间内实现最终的后分裂抛光。

7. 发明申请

WO2004075287A1 STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE SUR SUBSTRAT A FORTE RUGOSITE 审中-公开
标题翻译：极端粗糙基板上的半导体结构
公开(公告)号：WO2004075287A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/FR2004/000305
申请日：2004-02-11
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , RAYSSAC, Olivier , MARTINEZ, Muriel , BISSON, Sephorah , PORTIGLIATTI, Lionel
发明人： RAYSSAC, Olivier , MARTINEZ, Muriel , BISSON, Sephorah , PORTIGLIATTI, Lionel
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/7624 , H01L21/76251 , H01L21/76259
摘要： L'invention concerne une structure semi-conductrice, comportant : un substrat (10), ou une couche de base, présentant une surface ayant une rugosité supérieure à 0,5 nm RMS, ou dont la chimie n'est pas compatible avec une adhésion moléculaire, -une couche (14) de matériau choisi parmi les matériaux semi-conducteurs, -une couche (12), dite couche d'adhérence, située entre le substrat, ou la couche de base, et la couche de matériau choisi parmi les matériaux semi-conducteurs.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体结构，其包括基底（10）或具有粗糙度大于0.5nm RMS的表面或其化学不与分子粘合性相适应的基底层; 由半导体材料制成的层（14）; 设置在基板或基底层之间的粘合层（12）和由半导体材料制成的层。

8. 发明申请

WO2010001028A1 POLISSAGE DE COUCHES DE GERMANIUM. 审中-公开
标题翻译：锗层抛光
公开(公告)号：WO2010001028A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/FR2009/051081
申请日：2009-06-09
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MARTINEZ, Muriel , BEY, Pierre
发明人： MARTINEZ, Muriel , BEY, Pierre
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/04 , H01L21/321
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , H01L21/30625
摘要： Afin de polir une couche de germanium (121), une première étape de polissage mécano-chimique de Ia surface (121a) de Ia couche de germanium (121) est réalisée avec une première solution de polissage présentant un pH acide. La première étape de polissage est suivie d'une deuxième étape de polissage mécano-chimique de la surface de la couche de germanium (121) réalisée avec une deuxième solution de polissage présentant un pH basique.
摘要翻译：为了研磨锗层（121），包括锗层（121）的表面（121a）的机械化学抛光的第一步骤用具有酸性pH的第一抛光溶液进行。第一抛光步骤之后是第二机械化学抛光步骤，其包括用具有碱性pH的第二抛光溶液进行的锗层（121）的表面的机械化学抛光。

9. 发明申请

WO2008099245A1 METHOD FOR POLISHING HETEROSTRUCTURES 审中-公开
标题翻译：抛光方法
公开(公告)号：WO2008099245A1
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：PCT/IB2008/000156
申请日：2008-01-23
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MARTINEZ, Muriel , SEGUIN, Corinne , LOGIOU, Morgane
发明人： MARTINEZ, Muriel , SEGUIN, Corinne , LOGIOU, Morgane
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02024 , H01L21/76254
摘要： A polishing method of a heterostructure (12) comprising at least one relaxed superficial heteroepitaxial layer (121) on a substrate (120) made from a different material from that of said heteroepitaxial layer. The method comprises a first chemical mechanical polishing step of the surface of the heteroepitaxial layer (12) performed with a polishing cloth (14) having a first compressibility ratio and with a polishing solution having a first silica particle concentration. The first chemical mechanical polishing step is followed by a second chemical mechanical polishing step of the surface of the heteroepitaxial layer (121), said second step being performed with a polishing cloth having a second compressibility ratio, higher than said first compressibility ratio, and with a polishing solution having a second silica particle concentration, lower than said first concentration.
摘要翻译：异质结构（12）的抛光方法包括由与所述异质外延层不同的材料制成的衬底（120）上的至少一个弛豫表面异质外延层（121）。该方法包括用具有第一可压缩比的抛光布（14）和具有第一二氧化硅颗粒浓度的抛光溶液进行的异质外延层（12）的表面的第一化学机械抛光步骤。第一化学机械抛光步骤之后是异质外延层（121）的表面的第二化学机械抛光步骤，所述第二步骤用具有高于所述第一可压缩比的第二可压缩比的抛光布进行，并且与具有低于所述第一浓度的第二二氧化硅颗粒浓度的抛光溶液。

10. 发明申请

WO2006032298A1 PLANARIZATION OF EPITAXIAL HETEROSTRUCTURES INCLUDING THERMAL TREATMENT 审中-公开
标题翻译：包含热处理的外源性结构的平面化
公开(公告)号：WO2006032298A1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：PCT/EP2004/011439
申请日：2004-09-22
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MARTINEZ, Muriel , DAVAL, Nicolas , RAYSSAC, Olivier , BLONDEAU, Beryl
发明人： MARTINEZ, Muriel , DAVAL, Nicolas , RAYSSAC, Olivier , BLONDEAU, Beryl
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B24B37/14 , B24B37/042 , H01L21/0245 , H01L21/0251 , H01L21/02664 , H01L21/2007 , H01L21/3212 , H01L21/324
摘要： A method of planarization of an epitaxial heterostructure comprising at least a strain-relaxed buffer layer epitaxially grown on a substrate of a different material, said method comprising: - a step of thermal annealing the epitaxial heterostructure at a temperature of at least 900 °C for a period of at least 2 hours, and - a step of chemical-mechanical polishing the surface of the strain-relaxed buffer layer. This method provides a specific thermal treatment which allows, by improving the relaxation of the strain-relaxed buffer layer, to obtain a better quality of the surface planarization and to insure a stable material for further processing.
摘要翻译：一种外延异质结构的平面化方法，包括至少在不同材料的衬底上生长的应变松弛缓冲层，所述方法包括： - 在至少900℃的温度下对外延异质结构进行热退火的步骤，至少2小时的时间，以及 - 对应变松弛缓冲层的表面进行化学机械抛光的步骤。该方法提供了特定的热处理，其允许通过改善应变松弛缓冲层的松弛以获得更好的表面平坦化质量并且确保用于进一步加工的稳定材料。

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