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1. 发明申请

WO2008096194A1 METHOD OF FABRICATION OF HIGHLY HEAT DISSIPATIVE SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：高热耗散基板的制造方法
公开(公告)号：WO2008096194A1
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：PCT/IB2007/000950
申请日：2007-02-08
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , KONONCHUK, Oleg , LETERTRE, Fabrice , LANGER, Robert
发明人： KONONCHUK, Oleg , LETERTRE, Fabrice , LANGER, Robert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method for fabricating a composite structure having heat dissipation properties greater than a bulk single crystal silicon structure having the same dimensions, the structure comprising a support substrate, a top layer and an oxide layer between the support substrate and the top layer, the method comprising the steps of: a) providing a top layer made of a crystalline material, b) bonding the top layer with a support substrate made of a polycrystalline material having high heat dissipation properties, such that an oxide layer is formed at the bonding interface, in order to obtain said structure, characterized in that it further comprises a heat treatment of the structure in an inert or reducing atmosphere at a predetermined temperature and a predetermined duration to increase the heat dissipation properties by dissolving at least a part of the oxide layer.
摘要翻译：本发明涉及一种制造具有大于具有相同尺寸的本体单晶硅结构的散热特性的复合结构的方法，该结构包括支撑基板和顶层之间的支撑基板，顶层和氧化物层所述方法包括以下步骤：a）提供由结晶材料制成的顶层，b）将顶层与由具有高散热性质的多晶材料制成的支撑衬底结合，使得氧化物层形成在接合界面，以获得所述结构，其特征在于，其还包括在预定温度和预定持续时间内在惰性或还原性气氛中对结构进行热处理，以通过将至少一部分氧化层。

2. 发明申请

WO2008077796A1 A METHOD OF FABRICATING A MIXED SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：一种混合基板的方法
公开(公告)号：WO2008077796A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/EP2007/063829
申请日：2007-12-12
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , KOSTRZEWA, Marek , LETERTRE, Fabrice
发明人： KOSTRZEWA, Marek , LETERTRE, Fabrice
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention provides a method of fabricating a mixed substrate which comprises the following steps: forming or depositing an insulating layer (2) on a support substrate (1) formed from a semiconductor material the front face (11) of which comprises open cavities (13), in order to fill said cavities with insulating material (21) and to form thereover an upper insulating layer; polishing at least a portion of said upper insulating layer to obtain a thinned insulating layer (22') of a predetermined thickness and perfectly planar; transferring an active layer (31) derived from a source substrate (3) formed from semiconductor material onto said thinned insulating layer (22'); and heat treating in an inert and/or reducing atmosphere, the thicknesses of the active layer (31) and of the thinned insulating layer (22'), and the temperature and the duration of the heat treatment are selected in order to cause the removal of at least a portion of said thinned insulating layer (22') and only conserve insulating material (21) in the cavities of said support substrate (1).
摘要翻译：本发明提供一种制造混合基板的方法，其包括以下步骤：在由半导体材料形成的支撑基板（1）上形成或沉积绝缘层（2），所述半导体材料的前表面（11）包括开放空腔（13）），以便用绝缘材料（21）填充所述空腔并在其上形成上绝缘层; 抛光所述上绝缘层的至少一部分以获得具有预定厚度并且完全平坦的薄化绝缘层（22'）; 将衍生自由半导体材料形成的源极衬底（3）的有源层（31）转移到所述薄化绝缘层（22'）上; 在惰性和/或还原气氛中进行热处理，选择活性层（31）和薄化绝缘层（22'）的厚度，以及热处理的温度和持续时间，以便除去的所述薄化绝缘层（22'）的至少一部分，并且仅在所述支撑衬底（1）的空腔中保存绝缘材料（21）。

3. 发明申请

WO2004014607A1 A METHOD OF POLISHING A WAFER OF MATERIAL 审中-公开
标题翻译：抛光材料的方法
公开(公告)号：WO2004014607A1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：PCT/IB2003/003738
申请日：2003-07-30
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , RICHTARCH, Claire , LETERTRE, Fabrice
发明人： RICHTARCH, Claire , LETERTRE, Fabrice
IPC分类号： B24B37/04
CPC分类号： C30B33/00 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： The invention relates to a method of polishing a wafer of material, the method implementing at least one step of polishing with an abrasive based on diamond particles in suspension in a solution, wherein the abrasive mixture used implements diamond particles and silica particles with a diamond/silica volume ratio that is controlled to obtain desired roughness for the wafer.
摘要翻译：本发明涉及一种抛光材料晶片的方法，该方法实施至少一个步骤，其中使用基于悬浮液中的金刚石颗粒的研磨剂在溶液中抛光，其中使用的磨料混合物实施金刚石颗粒和具有金刚石/ 二氧化硅体积比被控制以获得晶片所需的粗糙度。

4. 发明申请

WO2003063214A2 PROCESS FOR PREPARATION OF SEPARABLE SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES, PARTICULARLY TO FORM SUBSTRATES FOR ELECTRONICS, OPTOELECTRONICS AND OPTICS 审中-公开
标题翻译：制备可分离的半导体组件的方法，特别是形成电子，光电和光学的基板
公开(公告)号：WO2003063214A2
公开(公告)日：2003-07-31
申请号：PCT/IB2003/000424
申请日：2003-01-21
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , LETERTRE, Fabrice , GHYSELEN, Bruno , RAYSSAC, Olivier
发明人： LETERTRE, Fabrice , GHYSELEN, Bruno , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/0445 , H01L21/187 , H01L21/7602 , H01L33/0012 , H01L33/0029
摘要： The invention propoeses processes for the preparation of an assembly (10, 12, 22, 30) based on semiconductors comprising a first layer such as a thin layer (22). A process comprises the followingsteps: form an interface layer (26) on only one (22) of the two layers, bring the layer on which the interface layer is formed and the other exposed layer into contact with each other, the interface layer (26) being chosen as a function of the material in the exposed layer to form a bonding interface that can be separated under the action of stresses applied after exposure to temperatures within a predetermined range. Application to the manufacture of substrates that can be separated from the support in the fields of electronics, optoelectronics or optics.
摘要翻译：本发明提出了基于包括第一层例如薄层（22）的半导体制备组件（10,12,22,30）的方法。一种方法包括以下步骤：仅在两层中的一个（22）上形成界面层（26），使其上形成有界面层的层与另一暴露层相互接触，界面层（26 ）被选择为暴露层中的材料的函数，以形成可在暴露于预定范围内的温度之后施加的应力作用下分离的结合界面。适用于可在电子，光电子学或光学领域与支持体分离的衬底的制造。

5. 发明申请

WO2010070377A1 STRAIN ENGINEERED COMPOSITE SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND METHODS OF FORMING SAME 审中-公开
标题翻译：应变工程复合半导体基片及其形成方法
公开(公告)号：WO2010070377A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/IB2008/003597
申请日：2008-12-19
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , LETERTRE, Fabrice , BETHOUX, Jean-Marc , BOUSSAGOL, Alice
发明人： LETERTRE, Fabrice , BETHOUX, Jean-Marc , BOUSSAGOL, Alice
IPC分类号： H01L21/762 , H01L33/00 , H01L21/20
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/76254 , H01L33/0079
摘要： Composite substrates are produced that include a strained Ill-nitride material seed layer on a support substrate. Methods of producing the composite substrate include developing a desired lattice strain in the Ill-nitride material to produce a lattice parameter substantially matching a lattice parameter of a device structure to be formed on the composite substrate. The Ill-nitride material may be formed with a Ga polarity or a N polarity. The desired lattice strain may be developed by forming a buffer layer between the Ill-nitride material and a growth substrate, implanting a dopant or introducing an impurity in the Ill-nitride material to modify its lattice parameter, or forming the Ill-nitride material with a coefficient of thermal expansion (CTE) on a growth substrate with a different CTE.
摘要翻译：制造复合衬底，其包括在支撑衬底上的应变的III族氮化物材料种子层。制造复合衬底的方法包括在III族氮化物材料中开发所需的晶格应变以产生基本上与要在复合衬底上形成的器件结构的晶格参数匹配的晶格参数。 III族氮化物材料可以形成为Ga极性或N极性。可以通过在III族氮化物材料和生长衬底之间形成缓冲层来形成所需的晶格应变，在III族氮化物材料中注入掺杂剂或引入杂质以改变其晶格参数，或者用在具有不同CTE的生长衬底上的热膨胀系数（CTE）。

6. 发明申请

WO2008099246A3 MULTILAYER STRUCTURE AND ITS FABRICATION PROCESS 审中-公开
公开(公告)号：WO2008099246A3
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：PCT/IB2008/000201
申请日：2008-01-28
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , LETERTRE, Fabrice
发明人： LETERTRE, Fabrice
IPC分类号： H01L21/20
摘要： The invention relates to a process for fabricating a multilayer structure, comprising at least the following steps : a) epitaxial growth (S1) of a growth layer on a silicon substrate; b) formation of at least one pattern (S2, S3) in the growth layer,- c) deposition of an oxide layer (S5) on the silicon substrate; d) transfer of a silicon active layer (S7-S10) onto the oxide layer; e) formation of a cavity (S11, S12) in the silicon active layer and in the oxide layer above each pattern; and f) growth in the cavity of a III-V material (S14) from each exposed pattern of the growth layer.

7. 发明申请

WO2006082467A1 SUBSTRATE FOR CRYSTAL GROWING A NITRIDE SEMICONDUCTOR 审中-公开
标题翻译：用于晶体生长的氮化物半导体基板
公开(公告)号：WO2006082467A1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：PCT/IB2005/000436
申请日：2005-02-01
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , PICOGIGA INTERNATIONAL , FAURE, Bruce , LETERTRE, Fabrice , LAHRECHE, Hacène
发明人： FAURE, Bruce , LETERTRE, Fabrice , LAHRECHE, Hacène
IPC分类号： C30B23/02 , C30B29/38 , C30B29/40 , H01L21/762
CPC分类号： C30B25/02 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/76254
摘要： The invention relates to a substrate (10) for crystalline growing an alloy, comprising at least one atomic element of column III and nitrogen, on the front side (1) of the substrate (10), characterized in that the substrate (10) comprises in its rear side (2) a rear layer (12) of a non-metallic infraredabsorptive/emittive material. The invention also relates to a wafer comprising such a substrate and a layer grown on this substrate. The invention also relates to the method of manufacturing the said substrate.
摘要翻译：本发明涉及在衬底（10）的前侧（1）上用于结晶生长合金的衬底（10），其包含至少一个第三列原子元素和氮，其特征在于，所述衬底（10）包括在其后侧（2）是非金属红外吸收/发射材料的后层（12）。本发明还涉及包含这种基底和在该基底上生长的层的晶片。本发明还涉及制造所述衬底的方法。

8. 发明申请

WO2006074933A1 METHOD OF PRODUCING A SUBSTRATE FOR AN OPTOELECTRONIC APPLICATION 审中-公开
标题翻译：生产用于光电子应用的基板的方法
公开(公告)号：WO2006074933A1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：PCT/EP2006/000230
申请日：2006-01-12
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES S.A. , LETERTRE, Fabrice , FAURE, Bruce
发明人： LETERTRE, Fabrice , FAURE, Bruce
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00
CPC分类号： H01L31/1892 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L33/0079 , Y02E10/50
摘要： The present invention relates to a method of producing a substrate for an optoelectronic application, the substrate having at least one active nitride layer on a final carrier and a metallic intermediate layer therebetween, wherein the method comprises: preparation of an auxiliary substrate wherein one semi-conducting nitride layer is placed on an auxiliary carrier; metallising the auxiliary substrate on the side of the nitride layer; bonding of the metallised carrier substrate with the final carrier; and removing of the auxiliary carrier after the bonding step. It is the object of the present invention to provide a method of this type in which the crystalline quality of the active nitride layer(s) can be improved. The object is solved by a method of the above mentioned type wherein the step of preparing the auxiliary substrate comprises: detaching a part from a massive semi-conducting nitride substrate; and transferring said part onto the auxiliary carrier to form the semi-conducting nitride layer thereon.
摘要翻译：本发明涉及一种制备光电子应用基片的方法，该基底在最终载体上具有至少一个活性氮化物层和其间的金属中间层，其中所述方法包括：制备辅助基底，其中，导电氮化物层放置在辅助载体上; 在氮化物层的侧面对辅助衬底进行金属化; 金属化载体基板与最终载体的接合; 以及在接合步骤之后去除辅助载体。本发明的目的是提供一种可以提高活性氮化物层的结晶质量的方法。该目的通过上述类型的方法来解决，其中准备辅助衬底的步骤包括：从块状半导体氮化物衬底分离一部分; 并将所述部分转移到辅助载体上以在其上形成半导电氮化物层。

9. 发明申请

WO2011061580A1 METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND DEVICES USING GLASS BONDING LAYERS, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND DEVICES FORMED BY SUCH METHODS 审中-公开
标题翻译：使用玻璃粘结层制造半导体结构和器件的方法以及通过这些方法形成的半导体结构和器件
公开(公告)号：WO2011061580A1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：PCT/IB2010/002542
申请日：2010-09-24
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , LETERTRE, Fabrice
发明人： LETERTRE, Fabrice
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： Methods of fabricating semiconductor structures and devices include bonding a seed structure to a substrate using a glass. The seed structure may comprise a crystal of semiconductor material. Thermal treatment of the seed structure bonded to a substrate using a glass may be utilized to control the strain state within the seed structure. The seed structure may be placed in a state of compressive strain at room temperature. The seed structure bonded to the glass may be used for growth of semiconductor material, or, in additional methods, a seed structure may be bonded to a first substrate using a glass, thermally treated to control the strain state within the seed structure and a second substrate may be bonded to an opposite side of the seed structure using a non-glassy material.
摘要翻译：制造半导体结构和器件的方法包括使用玻璃将种子结构粘合到基底上。种子结构可以包括半导体材料的晶体。使用玻璃对结合到基底的种子结构的热处理可用于控制种子结构内的应变状态。种子结构可以在室温下处于压缩应变状态。结合到玻璃上的种子结构可以用于半导体材料的生长，或者在另外的方法中，可以使用玻璃将种子结构结合到第一基底上，进行热处理以控制种子结构内的应变状态，基底可以使用非玻璃质材料结合到种子结构的相对侧。

10. 发明申请

WO2006100301A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE HETERO-STRUCTURE COMPORTANT AU MOINS UNE COUCHE EPAISSE DE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR 审中-公开
标题翻译：生产包含至少一层半导体材料的异质结构的方法
公开(公告)号：WO2006100301A1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/EP2006/061012
申请日：2006-03-23
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , LETERTRE, Fabrice , GHYSELEN, Bruno , CAYREFOURCQ, Ian
发明人： LETERTRE, Fabrice , GHYSELEN, Bruno , CAYREFOURCQ, Ian
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76251
摘要： Un procédé de fabrication d'une structure comprenant au moins un matériau semi-conducteur pour des applications en micro-électronique, opto- électronique, optique, etc., comprend le transfert sur un support (10) en un premier matériau d'une couche mince monocristalline (22) en un second matériau différent du premier, ainsi qu'un traitement thermique prédéterminé réalisant au moins un renforcement d'une interface de collage (12) entre la couche mince et le support. Le procédé est remarquable en ce que l'épaisseur (e1) de la couche mince est choisie en fonction de la différence entre les coefficients de dilatation thermique des premier et second matériaux et en fonction des paramètres dudit traitement thermique prédéterminé, de telle sorte que les contraintes exercées par ledit traitement thermique sur l'assemblage du support et de la couche mince transférée laisse ledit assemblage intact, et en ce qu'il comprend une étape supplémentaire de dépôt, sur la couche mince, d'une épaisseur supplémentaire (22') du second matériau à l'état monocristallin. Application à la fabrication d'hétéro-substrats à couche utile épaisse.
摘要翻译：本发明涉及一种制造结构的方法，该结构包括用于微电子学，光电子学，光学等的至少一种半导体材料。本发明的方法包括以下步骤：装备由第一材料制成的支撑体（10）具有与第一材料不同的第二材料的薄单晶层（22），所述层被转移到支撑体上; 以及进行预定的热处理，例如至少加强薄层和支撑体之间的结合界面（12）。该方法的特征在于，选择薄层的厚度（e1）作为第一和第二材料的热膨胀系数之间的差异的函数，并且作为所述预定热处理的参数的函数，所述处理对支撑/转移的薄层组件施加的应力保持不变。本发明的特征还在于其包括另外的步骤，其中在薄层上沉积单晶态的第二材料的附加厚度（22'）。本发明适用于生产包含厚有用层的异质衬底。

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