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    • 6. 发明授权
    • Semiconductor memory
    • 半导体存储器
    • US08014191B2
    • 2011-09-06
    • US12352838
    • 2009-01-13
    • Toshikazu SuzukiYoshinobu YamagamiSatoshi Ishikura
    • Toshikazu SuzukiYoshinobu YamagamiSatoshi Ishikura
    • G11C11/00
    • G11C5/14G11C11/412
    • In a semiconductor memory including word lines and bit lines arranged in a matrix and a plurality of memory cells provided at intersections of the word lines and the bit lines, a bit line precharge circuit is provided for controlling the potential of a low-data holding power supply coupled to memory cells provided on a corresponding one of the bit lines. In a write operation, the bit line precharge circuit controls the potential of a low-data holding power supply of a memory cell corresponding to a selected bit line to be higher than the potential of a low-data holding power supply of a memory cell corresponding to an unselected bit line.
    • 在包括排列成矩阵的字线和位线的半导体存储器以及设置在字线和位线的交叉处的多个存储单元的情况下,提供位线预充电电路,用于控制低数据保持电力的电位 电源耦合到提供在对应的一个位线上的存储器单元。 在写入操作中,位线预充电电路控制与所选位线对应的存储单元的低数据保持电源的电位高于对应于存储单元的低数据保持电源的电位 到未选择的位线。