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1. 发明授权

US5496666A Contact hole mask for semiconductor fabrication 失效
标题翻译：用于半导体制造的接触孔掩模
公开(公告)号：US5496666A
公开(公告)日：1996-03-05
申请号：US329887
申请日：1994-10-27
申请人： Ron-Fu Chu , Chun H. Yik
发明人： Ron-Fu Chu , Chun H. Yik
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： G03F7/70433
摘要： This invention provides an improved process latitude mask for forming contact or via hole openings in a photoresist masking layer in the fabrication of semiconductor integrated circuits. The invention also provides a method of forming contact or via hole openings in a photoresist masking layer using an improved process latitude mask. The improved process latitude mask, called a dot mask, uses an opaque blocking area formed in the center of the primary opening in a projection mask for forming contact or via hole openings in a photoresist layer. The opaque blocking area is equal to or less than the area of the primary opening divided by nine. The opaque blocking area is small enough so that it will not form an image in the photoresist layer. The opaque blocking area modifies the light intensity profile at the photoresist layer in a manner which improves process latitude.
摘要翻译：本发明提供了一种用于在半导体集成电路的制造中在光致抗蚀剂掩模层中形成接触或通孔开口的改进的工艺纬度掩模。本发明还提供了使用改进的工艺纬度掩模在光致抗蚀剂掩模层中形成接触孔或通孔开口的方法。称为点阵掩模的改进的工艺纬度掩模使用在投影掩模中形成在主开口的中心的不透明阻挡区域，用于在光致抗蚀剂层中形成接触或通孔开口。不透明阻挡区域等于或小于主开口面积除以9。不透明阻挡区域足够小，使得其不会在光致抗蚀剂层中形成图像。不透明阻挡区域以改善工艺纬度的方式改变光致抗蚀剂层处的光强度分布。

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